Как идентифицировать SiC по FTIR?
На этой странице обобщены повторяющиеся доказательства FTIR, сообщенные для SiC, включая наиболее частые пики, поддерживающие функциональные группы и подтвержденные литературой шаблоны интерпретации. Это структурированная страница доказательств, а не утверждение автоматической достоверности по одному спектру.
Backed by 17 cited sources
Быстрый ответ
SiC обычно идентифицируется по повторяющемуся набору пиков и признакам функциональных групп. Наиболее полезный подход — перепроверить как минимум два характерных пика, прежде чем считать это совпадением, затем убедиться, что весь спектр все еще соответствует тому же семейству материалов.
Интерпретация пиков
Возможные материалы / группы
| Функциональная группа | Доказательства |
|---|---|
| Silicon carbon | 18 |
| Silicon-oxygen (Si-O) | 10 |
| Silicon (Si) | 6 |
| Siloxane (Si-O-Si) | 6 |
| Alkyl C-H | 2 |
| Carbonyl (C=O) | 1 |
| Silicon nitrogen | 1 |
| C c single bond | 1 |
Логика спектра
Логика здесь — агрегация доказательств: повторяющиеся упоминания в литературе SiC, повторяющиеся положения пиков и повторяющиеся ассоциации функциональных групп. Убедительная гипотеза о материале должна по-прежнему подтверждаться несколькими пиками, согласующимися друг с другом, а не одной основной полосой.
Использование в реальных условиях
Эта страница предназначена для идентификации полимеров, контроля качества поступающих материалов, анализа неизвестных пластиков, оценки содержания переработанных материалов и интерпретации эталонных спектров на основе литературы.
Распространенные ошибки
- Объявление о совпадении материала слишком рано из-за наличия одного известного пика.
- Игнорирование подготовки образца, наполнителей, окисления, воды или добавок, которые могут изменить видимый узор.
- Использование литературных данных без проверки сопоставимости вашего собственного режима отбора проб и качества спектра.
Рекомендации по проверке
Используйте DSC, GC-MS или TGA для проверки гипотезы материала, когда рисунок пика неоднозначен или смешан.
Литература, лежащая в основе этой страницы
-
достоверность 4,8
SiC
Fuad 等 - 2018 - Nanostructural Characters of beta-SiC Nanoparticle DOI: 10.1088/1742-6596/1011/1/012066 -
достоверность 4,8
SiC
Growth of silicon carbide nanorods from the hybrid of lignin and polysiloxane using sol-gel process and polymer blend technique DOI: 10.1016/j.matlet.2009.08.029 -
достоверность 4,8
SiC
In situ formation of β-silicon carbide nanorods from the hybrid of an organic moiety and methyltriethoxysilane DOI: 10.1016/j.matlet.2011.04.040 -
достоверность 4,8
SiC
Yan 等 - 2003 - SiC heteroepitaxial growth by low pressure chemica DOI: 10.1016/S0925-3467(03)00070-3 -
достоверность 4,8
SiC
Criner 等 - 2018 - Quantification of Material State using Reflectance DOI: 10.1063/1.5031610 -
достоверность 4,8
SiC
Henry 等 - 2018 - Characterization of Ceramic Matrix Composite Degra DOI: 10.1063/1.5031613 -
достоверность 4,8
SiC
Hermann 等 - 2014 - Characterization of semiconductor materials using DOI: 10.1364/OE.22.017948 -
достоверность 4,8
SiC
Kaestner 等 - 2018 - Compressed sensing FTIR nano-spectroscopy and nano DOI: 10.1364/OE.26.018115 -
достоверность 4,8
SiC
Low-energy Ar+ and N+ ion beam induced chemical vapor deposition using hexamethyldisilazane for the formation of nitrogen containing SiC and carbon containing SiN films DOI: 10.1371/journal.pone.0259216 -
достоверность 3,6
SiC
Ultra-fine beta SiC nanowires Isothermally converted from high activated silica by Carbothermic Reduction and Carburization at low temperature DOI: 10.1016/j.matchemphys.2020.123716
Загрузите ваш FTIR спектр
Получите анализ полимеров с помощью ИИ и интерпретацию пик за пиком на основе вашего собственного спектра.