Cum puteți identifica SiC din FTIR?
Această pagină rezumă dovezile FTIR recurente raportate pentru SiC, inclusiv cele mai frecvente vârfuri, grupările funcționale suport și modelele de interpretare susținute de literatură. Este o pagină structurată de dovezi, nu o afirmație de certitudine automată pe un singur spectru.
Susținut de 22 surse citate
Răspuns rapid
SiC este raportat de obicei cu un model recurent de vârfuri și dovezi de grup funcțional. Cea mai utilă abordare este să verificați încrucișat cel puțin două vârfuri caracteristice înainte de a-l considera o potrivire, apoi să verificați dacă întregul spectru se încadrează în aceeași familie de materiale.
Interpretarea vârfurilor
Materiale / grupuri posibile
| Grup funcțional | Dovezi |
|---|---|
| Siliciu carbon | 18 |
| Siliciu-oxigen (Si-O) | 11 |
| Siliciu (Si) | 8 |
| Siloxan (Si-O-Si) | 7 |
| Siliciu siliciu | 2 |
| Metal-oxigen | 1 |
| Dioxid de carbon | 1 |
| Metoxi (OCH3) | 1 |
Logica spectrului
Logica aici este agregarea dovezilor: mențiuni repetate în literatură ale SiC, poziții repetate ale vârfurilor și asocieri repetate ale grupurilor funcționale. O ipoteză materială solidă ar trebui să fie susținută de mai multe vârfuri care sunt în acord între ele, nu doar de o singură bandă principală.
Utilizare în condiții reale
Această pagină este concepută pentru identificarea polimerilor, controlul calității materialelor primite, analiza materialelor plastice necunoscute, revizuirea conținutului reciclat și interpretarea spectrelor de referință bazată pe literatură.
Greșeli comune
- Declararea unei potriviri de material prea devreme deoarece un vârf celebru este prezent.
- Ignorarea preparării probei, a materialelor de umplutură, a oxidării, a apei sau a aditivilor care pot schimba modelul aparent.
- Utilizarea dovezilor din literatură fără a verifica dacă propriul mod de eșantionare și calitatea spectrului sunt comparabile.
Sfat de verificare
Utilizați DSC, GC-MS sau TGA pentru a valida ipoteza materialului atunci când modelul de vârf este ambiguu sau mixt.
Literatura din spatele acestei pagini
-
încredere 4,8
SiC
SiC heteroepitaxial growth by low pressure chemical vapor deposition on Si(111) substrates DOI: 10.1016/S0925-3467(03)00070-3 -
încredere 4,8
SiC
Criner 等 - 2018 - Quantification of Material State using Reflectance DOI: 10.1063/1.5031610 -
încredere 4,8
SiC
Characterization of ceramic matrix composite degradation using Fourier transform infrared spectroscopy DOI: 10.1063/1.5031613 -
încredere 4,8
SiC
Characterization of semiconductor materials using synchrotron radiation-based near-field infrared microscopy and nano-FTIR spectroscopy DOI: 10.1364/OE.22.017948 -
încredere 4,8
SiC
Kaestner 等 - 2018 - Compressed sensing FTIR nano-spectroscopy and nano DOI: 10.1364/OE.26.018115 -
încredere 3,6
SiC
Nanostructural Characters of β-SiC Nanoparticles Prepared from Indonesian Natural Resource using Sonochemical Method DOI: 10.1088/1742-6596/1011/1/012066 -
încredere 3,6
SiC
Ion beam induced modification and nanostructures formation in thin SiC/Pd films on c-Si substrate DOI: 10.1016/j.nimb.2021.01.018 -
încredere 3,6
SiC
Growth of Single Crystalline 3C-SiC and AIN on Si using Porous Si as a Compliant Seed Crystal DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.338-342.313 -
încredere 3,6
SiC
Characterization of Thermal Oxides on 4H-SiC Epitaxial Substrates Using Fourier-Transform Infrared Spectroscopy DOI: 10.1177/0003702816658674 -
încredere 3,6
SiC
Structure and optical properties of the SiC/ZnO five-layer multi-layer on Si (111) substrate with a SiC buffer layer DOI: 10.1088/0022-3727/39/15/005
Încărcați spectrul FTIR
Obțineți analiza polimerilor asistată de AI și interpretare vârf cu vârf din propriul spectru.