Cum puteți identifica SiC din FTIR?
Această pagină rezumă dovezile FTIR recurente raportate pentru SiC, inclusiv cele mai frecvente vârfuri, grupările funcționale suport și modelele de interpretare susținute de literatură. Este o pagină structurată de dovezi, nu o afirmație de certitudine automată pe un singur spectru.
Backed by 17 cited sources
Răspuns rapid
SiC este raportat de obicei cu un model recurent de vârfuri și dovezi de grup funcțional. Cea mai utilă abordare este să verificați încrucișat cel puțin două vârfuri caracteristice înainte de a-l considera o potrivire, apoi să verificați dacă întregul spectru se încadrează în aceeași familie de materiale.
Interpretarea vârfurilor
Materiale / grupuri posibile
| Grup funcțional | Dovezi |
|---|---|
| Siliciu carbon | 18 |
| Siliciu-oxigen (Si-O) | 10 |
| Siliciu (Si) | 6 |
| Siloxan (Si-O-Si) | 6 |
| Alchil C-H | 2 |
| Carbonil (C=O) | 1 |
| Siliciu azot | 1 |
| Legătură simplă C-C | 1 |
Logica spectrului
Logica aici este agregarea dovezilor: mențiuni repetate în literatură ale SiC, poziții repetate ale vârfurilor și asocieri repetate ale grupurilor funcționale. O ipoteză materială solidă ar trebui să fie susținută de mai multe vârfuri care sunt în acord între ele, nu doar de o singură bandă principală.
Utilizare în condiții reale
Această pagină este concepută pentru identificarea polimerilor, controlul calității materialelor primite, analiza materialelor plastice necunoscute, revizuirea conținutului reciclat și interpretarea spectrelor de referință bazată pe literatură.
Greșeli comune
- Declararea unei potriviri de material prea devreme deoarece un vârf celebru este prezent.
- Ignorarea preparării probei, a materialelor de umplutură, a oxidării, a apei sau a aditivilor care pot schimba modelul aparent.
- Utilizarea dovezilor din literatură fără a verifica dacă propriul mod de eșantionare și calitatea spectrului sunt comparabile.
Sfat de verificare
Utilizați DSC, GC-MS sau TGA pentru a valida ipoteza materialului atunci când modelul de vârf este ambiguu sau mixt.
Literatura din spatele acestei pagini
-
încredere 4,8
SiC
Fuad 等 - 2018 - Nanostructural Characters of beta-SiC Nanoparticle DOI: 10.1088/1742-6596/1011/1/012066 -
încredere 4,8
SiC
Growth of silicon carbide nanorods from the hybrid of lignin and polysiloxane using sol-gel process and polymer blend technique DOI: 10.1016/j.matlet.2009.08.029 -
încredere 4,8
SiC
In situ formation of β-silicon carbide nanorods from the hybrid of an organic moiety and methyltriethoxysilane DOI: 10.1016/j.matlet.2011.04.040 -
încredere 4,8
SiC
Yan 等 - 2003 - SiC heteroepitaxial growth by low pressure chemica DOI: 10.1016/S0925-3467(03)00070-3 -
încredere 4,8
SiC
Criner 等 - 2018 - Quantification of Material State using Reflectance DOI: 10.1063/1.5031610 -
încredere 4,8
SiC
Henry 等 - 2018 - Characterization of Ceramic Matrix Composite Degra DOI: 10.1063/1.5031613 -
încredere 4,8
SiC
Hermann 等 - 2014 - Characterization of semiconductor materials using DOI: 10.1364/OE.22.017948 -
încredere 4,8
SiC
Kaestner 等 - 2018 - Compressed sensing FTIR nano-spectroscopy and nano DOI: 10.1364/OE.26.018115 -
încredere 4,8
SiC
Low-energy Ar+ and N+ ion beam induced chemical vapor deposition using hexamethyldisilazane for the formation of nitrogen containing SiC and carbon containing SiN films DOI: 10.1371/journal.pone.0259216 -
încredere 3,6
SiC
Ultra-fine beta SiC nanowires Isothermally converted from high activated silica by Carbothermic Reduction and Carburization at low temperature DOI: 10.1016/j.matchemphys.2020.123716
Încărcați spectrul FTIR
Obțineți analiza polimerilor asistată de AI și interpretare vârf cu vârf din propriul spectru.