Bagaimana anda boleh mengenal pasti SiC daripada FTIR?
Halaman ini merumuskan bukti FTIR berulang yang dilaporkan untuk SiC, termasuk puncak yang paling kerap, kumpulan berfungsi yang menyokong, dan corak tafsiran yang disokong oleh literatur. Ia adalah halaman bukti berstruktur, bukan tuntutan kepastian spektrum tunggal automatik.
Disokong oleh 22 sumber yang dipetik
Jawapan pantas
SiC biasanya dilaporkan dengan corak puncak berulang dan bukti kumpulan berfungsi. Pendekatan paling berguna adalah untuk menyemak silang sekurang-kurangnya dua puncak ciri sebelum menganggapnya sebagai padanan, kemudian sahkan sama ada spektrum penuh masih sesuai dengan keluarga bahan yang sama.
Tafsiran puncak
Bahan / kumpulan yang mungkin
| Kumpulan berfungsi | Bukti |
|---|---|
| Silicon carbon | 18 |
| Silicon-oxygen (Si-O) | 11 |
| Silicon (Si) | 8 |
| Siloxane (Si-O-Si) | 7 |
| Silicon silicon | 2 |
| Metal oxygen | 1 |
| Carbon dioxide | 1 |
| Methoxy (OCH3) | 1 |
Logik spektrum
Logik di sini adalah pengagregatan bukti: sebutan berulang dalam literatur tentang SiC, kedudukan puncak berulang, dan perkaitan kumpulan berfungsi berulang. Hipotesis bahan yang kukuh harus tetap disokong oleh pelbagai puncak yang saling bersetuju, bukan hanya oleh satu jalur utama.
Penggunaan dunia sebenar
Halaman ini direka untuk pengenalpastian polimer, kawalan kualiti bahan masuk, analisis plastik tidak diketahui, semakan kandungan kitar semula, dan tafsiran spektrum rujukan yang disokong oleh literatur.
Kesilapan biasa
- Memanggil padanan bahan terlalu awal kerana satu puncak terkenal hadir.
- Mengabaikan penyediaan sampel, pengisi, pengoksidaan, air, atau bahan tambahan yang boleh mengubah corak yang nyata.
- Menggunakan bukti literatur tanpa memeriksa sama ada mod persampelan dan kualiti spektrum anda sendiri setanding.
Nasihat pengesahan
Gunakan DSC, GC-MS, atau TGA untuk mengesahkan hipotesis bahan apabila corak puncak kabur atau bercampur.
Kesusasteraan di sebalik halaman ini
-
keyakinan 4.8
SiC
SiC heteroepitaxial growth by low pressure chemical vapor deposition on Si(111) substrates DOI: 10.1016/S0925-3467(03)00070-3 -
keyakinan 4.8
SiC
Criner 等 - 2018 - Quantification of Material State using Reflectance DOI: 10.1063/1.5031610 -
keyakinan 4.8
SiC
Characterization of ceramic matrix composite degradation using Fourier transform infrared spectroscopy DOI: 10.1063/1.5031613 -
keyakinan 4.8
SiC
Characterization of semiconductor materials using synchrotron radiation-based near-field infrared microscopy and nano-FTIR spectroscopy DOI: 10.1364/OE.22.017948 -
keyakinan 4.8
SiC
Kaestner 等 - 2018 - Compressed sensing FTIR nano-spectroscopy and nano DOI: 10.1364/OE.26.018115 -
keyakinan 3.6
SiC
Nanostructural Characters of β-SiC Nanoparticles Prepared from Indonesian Natural Resource using Sonochemical Method DOI: 10.1088/1742-6596/1011/1/012066 -
keyakinan 3.6
SiC
Ion beam induced modification and nanostructures formation in thin SiC/Pd films on c-Si substrate DOI: 10.1016/j.nimb.2021.01.018 -
keyakinan 3.6
SiC
Growth of Single Crystalline 3C-SiC and AIN on Si using Porous Si as a Compliant Seed Crystal DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.338-342.313 -
keyakinan 3.6
SiC
Characterization of Thermal Oxides on 4H-SiC Epitaxial Substrates Using Fourier-Transform Infrared Spectroscopy DOI: 10.1177/0003702816658674 -
keyakinan 3.6
SiC
Structure and optical properties of the SiC/ZnO five-layer multi-layer on Si (111) substrate with a SiC buffer layer DOI: 10.1088/0022-3727/39/15/005
Muat naik spektrum FTIR anda
Dapatkan analisis polimer bantuan AI dan tafsiran puncak demi puncak daripada spektrum anda sendiri.