Come si identifica SiC dall＇FTIR?
Questa pagina riassume le evidenze FTIR ricorrenti riportate per SiC, inclusi i picchi più frequenti, i gruppi funzionali di supporto e i modelli di interpretazione supportati dalla letteratura. È una pagina di evidenze strutturate, non una rivendicazione di certezza automatica su singolo spettro.
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Risposta rapida
SiC viene solitamente segnalato con uno schema ricorrente di picchi e prove di gruppi funzionali. L＇approccio più utile è verificare incrociando almeno due picchi caratteristici prima di considerarlo una corrispondenza, quindi verificare se l＇intero spettro si adatta ancora alla stessa famiglia di materiali.
Interpretazione dei picchi
Materiali/gruppi possibili
| Gruppo funzionale | Evidenza |
|---|---|
| Silicon carbon | 18 |
| Silicon-oxygen (Si-O) | 10 |
| Silicon (Si) | 6 |
| Siloxane (Si-O-Si) | 6 |
| Alkyl C-H | 2 |
| Carbonyl (C=O) | 1 |
| Silicon nitrogen | 1 |
| C c single bond | 1 |
Logica dello spettro
La logica qui è l＇aggregazione di prove: menzioni ripetute in letteratura di SiC, posizioni dei picchi ripetute e associazioni di gruppi funzionali ripetute. Un＇ipotesi forte sul materiale dovrebbe ancora essere supportata da più picchi che concordano tra loro, non da una singola banda principale.
Utilizzo nel mondo reale
Questa pagina è progettata per l＇identificazione dei polimeri, il controllo qualità dei materiali in entrata, l＇analisi di plastiche sconosciute, la revisione del contenuto riciclato e l＇interpretazione supportata dalla letteratura degli spettri di riferimento.
Errori comuni
- Dichiarare una corrispondenza del materiale troppo presto perché è presente un picco famoso.
- Ignorando la preparazione del campione, cariche, ossidazione, acqua o additivi che possono cambiare il pattern apparente.
- Utilizzare prove bibliografiche senza verificare se la propria modalità di campionamento e la qualità dello spettro sono comparabili.
Consiglio di verifica
Utilizzare DSC, GC-MS o TGA per validare l＇ipotesi del materiale quando il pattern dei picchi è ambiguo o misto.
Letteratura alla base di questa pagina
-
affidabilità 4,8
SiC
Fuad 等 - 2018 - Nanostructural Characters of beta-SiC Nanoparticle DOI: 10.1088/1742-6596/1011/1/012066 -
affidabilità 4,8
SiC
Growth of silicon carbide nanorods from the hybrid of lignin and polysiloxane using sol-gel process and polymer blend technique DOI: 10.1016/j.matlet.2009.08.029 -
affidabilità 4,8
SiC
In situ formation of β-silicon carbide nanorods from the hybrid of an organic moiety and methyltriethoxysilane DOI: 10.1016/j.matlet.2011.04.040 -
affidabilità 4,8
SiC
Yan 等 - 2003 - SiC heteroepitaxial growth by low pressure chemica DOI: 10.1016/S0925-3467(03)00070-3 -
affidabilità 4,8
SiC
Criner 等 - 2018 - Quantification of Material State using Reflectance DOI: 10.1063/1.5031610 -
affidabilità 4,8
SiC
Henry 等 - 2018 - Characterization of Ceramic Matrix Composite Degra DOI: 10.1063/1.5031613 -
affidabilità 4,8
SiC
Hermann 等 - 2014 - Characterization of semiconductor materials using DOI: 10.1364/OE.22.017948 -
affidabilità 4,8
SiC
Kaestner 等 - 2018 - Compressed sensing FTIR nano-spectroscopy and nano DOI: 10.1364/OE.26.018115 -
affidabilità 4,8
SiC
Low-energy Ar+ and N+ ion beam induced chemical vapor deposition using hexamethyldisilazane for the formation of nitrogen containing SiC and carbon containing SiN films DOI: 10.1371/journal.pone.0259216 -
affidabilità 3,6
SiC
Ultra-fine beta SiC nanowires Isothermally converted from high activated silica by Carbothermic Reduction and Carburization at low temperature DOI: 10.1016/j.matchemphys.2020.123716
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