Comment identifier SiC à partir du FTIR ?

Réponse rapide

SiC est généralement rapporté avec un motif récurrent de pics et de preuves de groupes fonctionnels. L＇approche la plus utile est de recouper au moins deux pics caractéristiques avant de le considérer comme une correspondance, puis de vérifier si le spectre complet correspond toujours à la même famille de matériaux.

Interprétation des pics

Matériaux / groupes possibles

Logique du spectre

La logique ici est l＇agrégation de preuves : mentions répétées de SiC dans la littérature, positions de pics répétées et associations répétées de groupes fonctionnels. Une hypothèse de matériau solide doit toujours être étayée par plusieurs pics qui concordent entre eux, et non par une seule bande phare.

Utilisation réelle

Cette page est conçue pour l＇identification des polymères, le contrôle qualité des matériaux entrants, l＇analyse des plastiques inconnus, l＇examen du contenu recyclé et l＇interprétation des spectres de référence appuyée par la littérature.

Erreurs courantes

• Déclarer une correspondance de matériau trop tôt parce qu＇un pic célèbre est présent.
• Ignorer la préparation d＇échantillon, les charges, l＇oxydation, l＇eau ou les additifs qui peuvent modifier le motif apparent.
• Utiliser des preuves de la littérature sans vérifier si votre propre mode d＇échantillonnage et la qualité du spectre sont comparables.

Conseil de vérification

Utilisez DSC, GC-MS ou TGA pour valider l＇hypothèse du matériau lorsque le motif de pics est ambigu ou mélangé.

Littérature derrière cette page

• confiance 4,8

  SiC

  SiC heteroepitaxial growth by low pressure chemical vapor deposition on Si(111) substrates DOI: 10.1016/S0925-3467(03)00070-3
• confiance 4,8

  SiC

  Criner 等 - 2018 - Quantification of Material State using Reflectance DOI: 10.1063/1.5031610
• confiance 4,8

  SiC

  Characterization of ceramic matrix composite degradation using Fourier transform infrared spectroscopy DOI: 10.1063/1.5031613
• confiance 4,8

  SiC

  Characterization of semiconductor materials using synchrotron radiation-based near-field infrared microscopy and nano-FTIR spectroscopy DOI: 10.1364/OE.22.017948
• confiance 4,8

  SiC

  Kaestner 等 - 2018 - Compressed sensing FTIR nano-spectroscopy and nano DOI: 10.1364/OE.26.018115
• confiance 3,6

  SiC

  Nanostructural Characters of β-SiC Nanoparticles Prepared from Indonesian Natural Resource using Sonochemical Method DOI: 10.1088/1742-6596/1011/1/012066
• confiance 3,6

  SiC

  Ion beam induced modification and nanostructures formation in thin SiC/Pd films on c-Si substrate DOI: 10.1016/j.nimb.2021.01.018
• confiance 3,6

  SiC

  Growth of Single Crystalline 3C-SiC and AIN on Si using Porous Si as a Compliant Seed Crystal DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.338-342.313
• confiance 3,6

  SiC

  Characterization of Thermal Oxides on 4H-SiC Epitaxial Substrates Using Fourier-Transform Infrared Spectroscopy DOI: 10.1177/0003702816658674
• confiance 3,6

  SiC

  Structure and optical properties of the SiC/ZnO five-layer multi-layer on Si (111) substrate with a SiC buffer layer DOI: 10.1088/0022-3727/39/15/005