কীভাবে আপনি FTIR থেকে SiC সনাক্ত করতে পারেন?
এই পৃষ্ঠাটি SiC-এর জন্য রিপোর্ট করা পুনরাবৃত্ত FTIR প্রমাণের সারসংক্ষেপ করে, যার মধ্যে সবচেয়ে ঘন ঘন পিক, সহায়ক কার্যকরী গ্রুপ এবং সাহিত্য-সমর্থিত ব্যাখ্যা প্যাটার্ন অন্তর্ভুক্ত। এটি একটি কাঠামোবদ্ধ প্রমাণ পৃষ্ঠা, স্বয়ংক্রিয় একক-স্পেকট্রাম নিশ্চিততার দাবি নয়।
22টি উদ্ধৃত উৎস দ্বারা সমর্থিত
দ্রুত উত্তর
SiC সাধারণত পিক এবং ফাংশনাল-গ্রুপ প্রমাণের একটি পুনরাবৃত্ত প্যাটার্ন সহ রিপোর্ট করা হয়। সবচেয়ে কার্যকর পদ্ধতি হলো এটিকে ম্যাচ হিসেবে বিবেচনা করার আগে কমপক্ষে দুটি বৈশিষ্ট্যযুক্ত পিক ক্রস-চেক করা, তারপর সম্পূর্ণ স্পেকট্রাম একই উপাদান পরিবারের সাথে খাপ খায় কিনা যাচাই করা।
শিখর ব্যাখ্যা
সম্ভাব্য উপাদান / গোষ্ঠী
| কার্যকরী গ্রুপ | প্রমাণ |
|---|---|
| Silicon carbon | 18 |
| Silicon-oxygen (Si-O) | 11 |
| Silicon (Si) | 8 |
| Siloxane (Si-O-Si) | 7 |
| Silicon silicon | 2 |
| Metal oxygen | 1 |
| Carbon dioxide | 1 |
| Methoxy (OCH3) | 1 |
স্পেকট্রাম লজিক
এখানে যুক্তি হল প্রমাণ সংগ্রহের: SiC-এর পুনরাবৃত্ত সাহিত্য উল্লেখ, পুনরাবৃত্ত শিখর অবস্থান এবং পুনরাবৃত্ত কার্যকরী-গ্রুপ সম্পর্ক। একটি শক্তিশালী উপাদান অনুমান এখনও একাধিক শিখর দ্বারা সমর্থিত হওয়া উচিত যা একে অপরের সাথে একমত, শুধুমাত্র একটি শিরোনাম ব্যান্ড দ্বারা নয়।
বাস্তব বিশ্বের ব্যবহার
এই পৃষ্ঠাটি পলিমার সনাক্তকরণ, আগত-উপাদান QC, অজানা প্লাস্টিক বিশ্লেষণ, পুনর্ব্যবহৃত-উপাদান পর্যালোচনা, এবং রেফারেন্স স্পেকট্রার সাহিত্য-সমর্থিত ব্যাখ্যার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে।
সাধারণ ভুল
- একটি বিখ্যাত শিখর উপস্থিত থাকায় খুব তাড়াতাড়ি উপাদান মিল বলা।
- নমুনা প্রস্তুতি, ফিলার, অক্সিডেশন, জল, বা সংযোজন উপেক্ষা করা যা আপাত প্যাটার্ন পরিবর্তন করতে পারে।
- নিজের নমুনা সংগ্রহ পদ্ধতি এবং স্পেকট্রাম গুণমান তুলনাযোগ্য কিনা তা যাচাই না করেই সাহিত্যের প্রমাণ ব্যবহার করা।
পরামর্শ যাচাই
যখন শিখর প্যাটার্ন অস্পষ্ট বা মিশ্রিত থাকে, তখন DSC, GC-MS বা TGA ব্যবহার করে উপাদান অনুমানটি বৈধতা দিন।
এই পৃষ্ঠার পিছনের সাহিত্য
-
আত্মবিশ্বাস 4.8
SiC
SiC heteroepitaxial growth by low pressure chemical vapor deposition on Si(111) substrates DOI: 10.1016/S0925-3467(03)00070-3 -
আত্মবিশ্বাস 4.8
SiC
Criner 等 - 2018 - Quantification of Material State using Reflectance DOI: 10.1063/1.5031610 -
আত্মবিশ্বাস 4.8
SiC
Characterization of ceramic matrix composite degradation using Fourier transform infrared spectroscopy DOI: 10.1063/1.5031613 -
আত্মবিশ্বাস 4.8
SiC
Characterization of semiconductor materials using synchrotron radiation-based near-field infrared microscopy and nano-FTIR spectroscopy DOI: 10.1364/OE.22.017948 -
আত্মবিশ্বাস 4.8
SiC
Kaestner 等 - 2018 - Compressed sensing FTIR nano-spectroscopy and nano DOI: 10.1364/OE.26.018115 -
আত্মবিশ্বাস 3.6
SiC
Nanostructural Characters of β-SiC Nanoparticles Prepared from Indonesian Natural Resource using Sonochemical Method DOI: 10.1088/1742-6596/1011/1/012066 -
আত্মবিশ্বাস 3.6
SiC
Ion beam induced modification and nanostructures formation in thin SiC/Pd films on c-Si substrate DOI: 10.1016/j.nimb.2021.01.018 -
আত্মবিশ্বাস 3.6
SiC
Growth of Single Crystalline 3C-SiC and AIN on Si using Porous Si as a Compliant Seed Crystal DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.338-342.313 -
আত্মবিশ্বাস 3.6
SiC
Characterization of Thermal Oxides on 4H-SiC Epitaxial Substrates Using Fourier-Transform Infrared Spectroscopy DOI: 10.1177/0003702816658674 -
আত্মবিশ্বাস 3.6
SiC
Structure and optical properties of the SiC/ZnO five-layer multi-layer on Si (111) substrate with a SiC buffer layer DOI: 10.1088/0022-3727/39/15/005
আপনার FTIR স্পেকট্রাম আপলোড করুন
আপনার নিজের স্পেকট্রাম থেকে AI-সহায়ক পলিমার বিশ্লেষণ এবং শিখর-দ্বারা-শিখর ব্যাখ্যা পান।