Si-Si键 — FTIR 吸收峰及归属
以下是 Si-Si键 往往出现吸收的特征 FTIR 波数，汇编自已发表的文献，并按支持证据排序。每项归属均可追溯至来源（DOI），并与我们的 320,000+ 条参考光谱和知识图谱进行交叉验证。
有 8 个已引用来源支持
快速答案
Si-Si键通常通过寻找重复出现的特征峰簇而非某个确切的教科书数值来归属。下表按累积证据排名，展示了文献中最常将此基团置于FTIR中的位置。
Si-Si键 的特征 FTIR 峰
| 波数 (cm⁻¹) | 支持性事实 | 引用来源 | 最高置信度 |
|---|---|---|---|
| 520 | 4 | 4 | 1.0 |
| 2000 | 2 | 2 | 1.0 |
| 400 | 2 | 2 | 1.0 |
| 480 | 2 | 2 | 1.0 |
| 1255 | 1 | 1 | 1.0 |
| 1030 | 1 | 1 | 1.0 |
| 612 | 1 | 1 | 1.0 |
| 615 | 1 | 1 | 1.0 |
| 773 | 1 | 1 | 1.0 |
| 1050 | 1 | 1 | 1.0 |
| 768 | 1 | 1 | 1.0 |
| 1600 | 1 | 1 | 1.0 |
| 519 | 1 | 1 | 1.0 |
| 460 | 1 | 1 | 1.0 |
| 976 | 1 | 1 | 1.0 |
| 2013 | 1 | 1 | 1.0 |
| 618 | 1 | 1 | 1.0 |
| 962 | 1 | 1 | 1.0 |
| 728 | 1 | 1 | 1.0 |
| 744 | 1 | 1 | 1.0 |
| 762 | 1 | 1 | 1.0 |
| 788 | 1 | 1 | 1.0 |
| 605 | 1 | 1 | 1.0 |
| 611 | 1 | 1 | 1.0 |
| 1061 | 1 | 1 | 1.0 |
| 452 | 1 | 1 | 1.0 |
| 787 | 1 | 1 | 1.0 |
| 461 | 1 | 1 | 1.0 |
| 518 | 1 | 1 | 1.0 |
| 430 | 1 | 1 | 1.0 |
Showing the 30 best-supported peaks of 44 total for Si-Si键.
可能的材料
光谱逻辑
当多个预期谱带同时出现时，官能团归属变得更加可靠。使用此页面找到最受支持的峰，然后确认同一样品表现出连贯的模式而非孤立的单个命中。
实际应用
这些页面适用于未知材料分析、报告中的峰解释、聚合物故障排除以及验证候选材料类别是否化学上合理。
常见错误
- 仅使用一个功能基团页面作为完整的材料判定，而不检查光谱的其余部分。
- 假设最强谱带总是最具诊断性的。
- 忘记加工、添加剂、老化和混合物会移动或展宽预期峰。
验证建议
当几种材料类别共享相似谱带或混合物效应使FTIR归属不确定时，请使用DSC、GC-MS或TGA。
这些分配背后的文献
-
480 cm⁻¹ 置信度 1.0
“在退火处理前，生长的材料光谱中存在一些Si-Si键的特征（以480 cm-1为中心的弱带归属于非晶硅相）。”
Evolution of Optical and Structural Properties of Silicon Nanocrystals Embedded in Silicon Nitride Films with Annealing Temperature DOI: 10.4028/www.scientific.net/JNanoR.49.163 -
980 cm⁻¹ 置信度 1.0
“7 (a) 典型的吸收、透射和反射光谱 cm(cid:3)1 对于 30 和 60 秒的 Si-Si 峰位于 979.56 和 943.58，通过无电镀工艺制备的垂直 SiNW。”
Synthesis and Characterization of Silicon Nanowires by Electroless Etching DOI: 10.1007/s11665-018-3179-z -
480 cm⁻¹ 置信度 1.0
“在拉曼光谱中，非晶相和晶相的Si-Si TO声子模式分别出现在约480 cm-1和520 cm-1处。”
Effect of Deposition Power on the Structure Properties of Microcrystalline Silicon Thin Films DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMM.442.116 -
400 cm⁻¹ 置信度 1.0
“三种化合物在近红外区域 (~400 cm-1) 的弱吸收归因于 Si-Si 键。”
Synthesis, characterization and properties of diamidodisilanes and azocyclosilane DOI: 10.1360/982004-590 -
464 cm⁻¹ 置信度 1.0
“由于在 GaAs 中，464 cm-1 峰对应于该对的纵向伸缩模式 [5]，可以想象，当 Al 原子取代最接近 SiAs 阳离子位点的 Ga 原子时，由于 Al- 的影响，Si-Si 键会变得稍微弱一些”
Kaczor 等 - 1995 - Silicon-related local vibrational mode absorption DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.196-201.1091 -
411 cm⁻¹ 置信度 1.0
“cm-1 ZnO:Al,N ZnO:Al,N ZnO:Al,N 薄膜与 Si 衬底之间的唯一区别是在 411 cm 处的峰，该峰仅在薄膜中可见。”
Karpyna 等 - 2020 - Raman and Photoluminescence Study of Al,N-Codoped DOI: 10.1002/pssb.201900788 -
400 cm⁻¹ 置信度 1.0
“插图为 400 ºC 和 500 ºC 下 Si-Si 峰的放大视图。图 1 显示了自注入样品在不同温度退火后的拉曼光谱。”
Red Light Emission from Silicon Created by Self-Ion Implantation and Thermal Annealing DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMM.320.109 -
614 cm⁻¹ 置信度 1.0
“LLM确认的规则峰组候选”
Ion beam induced modification and nanostructures formation in thin SiC/Pd films on c-Si substrate DOI: 10.1016/j.nimb.2021.01.018
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