Silicon silicon — FTIR-absorptionstoppar och tilldelningar
Detta är de karakteristiska FTIR-vågtalen där Silicon silicon tenderar att absorbera, sammanställda från publicerad litteratur och rangordnade efter stödjande evidens. Varje tilldelning kan spåras till en källa (DOI) och har korsvaliderats mot våra 320,000+ referensspektra och kunskapsgraf.
Med stöd av 8 citerade källor
Snabbt svar
Silicon silicon tilldelas vanligtvis genom att leta efter en återkommande kluster av karakteristiska toppar snarare än ett exakt läroboksnummer. Tabellen nedan visar var litteraturen oftast placerar denna grupp i FTIR, rangordnad efter ackumulerad bevisning.
Karakteristiska FTIR-toppar för Silicon silicon
| Vågtal (cm⁻¹) | Stödjande fakta | Citerade källor | Högsta förtroende |
|---|---|---|---|
| 520 | 4 | 4 | 1,0 |
| 2000 | 2 | 2 | 1,0 |
| 400 | 2 | 2 | 1,0 |
| 480 | 2 | 2 | 1,0 |
| 1255 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1030 | 1 | 1 | 1,0 |
| 612 | 1 | 1 | 1,0 |
| 615 | 1 | 1 | 1,0 |
| 773 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1050 | 1 | 1 | 1,0 |
| 768 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1600 | 1 | 1 | 1,0 |
| 519 | 1 | 1 | 1,0 |
| 460 | 1 | 1 | 1,0 |
| 976 | 1 | 1 | 1,0 |
| 2013 | 1 | 1 | 1,0 |
| 618 | 1 | 1 | 1,0 |
| 962 | 1 | 1 | 1,0 |
| 728 | 1 | 1 | 1,0 |
| 744 | 1 | 1 | 1,0 |
| 762 | 1 | 1 | 1,0 |
| 788 | 1 | 1 | 1,0 |
| 605 | 1 | 1 | 1,0 |
| 611 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1061 | 1 | 1 | 1,0 |
| 452 | 1 | 1 | 1,0 |
| 787 | 1 | 1 | 1,0 |
| 461 | 1 | 1 | 1,0 |
| 518 | 1 | 1 | 1,0 |
| 430 | 1 | 1 | 1,0 |
Visar de 30 bäst understödda topparna av totalt 44 för Silicon silicon.
Möjliga material
Spektrumlogik
En funktionell grupptilldelning blir mer säker när flera förväntade band uppträder tillsammans. Använd denna sida för att hitta de starkast stödda topparna, bekräfta sedan att samma prov uppvisar ett sammanhängande mönster snarare än en enskild isolerad träff.
Användning i verkligheten
Dessa sidor är användbara för analys av okänt material, tolkning av toppar i rapporter, felsökning av polymerer och för att verifiera om en kandidatmaterialfamilj är kemiskt rimlig.
Vanliga misstag
- Använda en funktionell grupp-sida som en fullständig materialbedömning utan att kontrollera resten av spektrat.
- Antag att det starkaste bandet alltid är det mest diagnostiska.
- Att glömma att bearbetning, tillsatser, åldring och blandningar kan förskjuta eller bredda förväntade toppar.
Verifieringsråd
Använd DSC, GC-MS eller TGA när flera materialfamiljer har liknande band eller när blandningseffekter gör FTIR-tilldelningen osäker.
Litteratur bakom dessa identifieringar
-
480 cm⁻¹ förtroende 1,0
“Before annealing treatments, some signature of the presence of Si-Si bonds (weak band centered at 480 cm-1 assigned to the amorphous silicon phase) are present in the spectrum of the as-grown material.”
Evolution of Optical and Structural Properties of Silicon Nanocrystals Embedded in Silicon Nitride Films with Annealing Temperature DOI: 10.4028/www.scientific.net/JNanoR.49.163 -
980 cm⁻¹ förtroende 1,0
“7 (a) Typical absorption, transmission and reflection spectra of cm(cid:3)1 for 30and 60-s Si-Si peaks are at 979.56 and 943.58 vertical SiNWs by electroless process.”
Synthesis and Characterization of Silicon Nanowires by Electroless Etching DOI: 10.1007/s11665-018-3179-z -
480 cm⁻¹ förtroende 1,0
“In Raman spectrum, for amorphous phase and crystalline phase, the Si-Si TO phonon mode occurs at about 480 cm-1 and 520 cm-1, respectively.”
Effect of Deposition Power on the Structure Properties of Microcrystalline Silicon Thin Films DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMM.442.116 -
400 cm⁻¹ förtroende 1,0
“The weak absorption in the near infrared region (~400 cm-1) of three compounds is ascribed to Si-Si bonds.”
Synthesis, characterization and properties of diamidodisilanes and azocyclosilane DOI: 10.1360/982004-590 -
464 cm⁻¹ förtroende 1,0
“Since in GaAs the 464 cm-1 peak corresponds to the longitudinal stretching mode of the pair [5] one can imagine that when Al atoms substitute Ga atoms nearest to the SiAs cation sites the Si-Si bond will become somewhat weaker due to an Al-”
Kaczor 等 - 1995 - Silicon-related local vibrational mode absorption DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.196-201.1091 -
411 cm⁻¹ förtroende 1,0
“The only difference between FTIR of cm-1 ZnO:Al,N ZnO:Al,N ZnO:Al,N films films films and and and Si Si Si substrate substrate substrate is is is the the the peak peak peak at at at 411 411 411 cm cm that is only seen in the films.”
Karpyna 等 - 2020 - Raman and Photoluminescence Study of Al,N-Codoped DOI: 10.1002/pssb.201900788 -
400 cm⁻¹ förtroende 1,0
“The inset is a magnified view of Si-Si peak at the temperature of 400 ºC and 500 ºC Figure 1 shows the Raman spectra of the self-implanted sample annealed at different”
Red Light Emission from Silicon Created by Self-Ion Implantation and Thermal Annealing DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMM.320.109 -
614 cm⁻¹ förtroende 1,0
“LLM confirmed rule peak-group candidate”
Ion beam induced modification and nanostructures formation in thin SiC/Pd films on c-Si substrate DOI: 10.1016/j.nimb.2021.01.018
Se Silicon silicon i ditt eget spektrum
Ladda upp ditt FTIR-spektrum och få en fullständig tolkningsrapport — toppassignment med litteraturcitat, biblioteksträffar och en litteraturbaserad analys — på några sekunder.