Silicon silicon — пики поглощения FTIR и назначения
Это характеристические волновые числа FTIR, при которых Silicon silicon обычно поглощает излучение; они собраны по опубликованным научным данным и ранжированы по подтверждающим свидетельствам. Каждое отнесение прослеживается до источника (DOI) и перекрёстно проверено по нашим 320,000+ эталонным спектрам и графу знаний.
Подкреплено 8 цитируемыми источниками
Быстрый ответ
Silicon silicon обычно определяется по повторяющемуся кластеру характерных пиков, а не по одному точному числу из учебника. В таблице ниже показано, где в литературе чаще всего размещается эта группа в FTIR, ранжированная по накопленным доказательствам.
Характерные пики FTIR для Silicon silicon
| Волновое число (см⁻¹) | Подтверждающие факты | Цитируемые источники | Максимальная достоверность |
|---|---|---|---|
| 520 | 4 | 4 | 1,0 |
| 2000 | 2 | 2 | 1,0 |
| 400 | 2 | 2 | 1,0 |
| 480 | 2 | 2 | 1,0 |
| 1255 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1030 | 1 | 1 | 1,0 |
| 612 | 1 | 1 | 1,0 |
| 615 | 1 | 1 | 1,0 |
| 773 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1050 | 1 | 1 | 1,0 |
| 768 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1600 | 1 | 1 | 1,0 |
| 519 | 1 | 1 | 1,0 |
| 460 | 1 | 1 | 1,0 |
| 976 | 1 | 1 | 1,0 |
| 2013 | 1 | 1 | 1,0 |
| 618 | 1 | 1 | 1,0 |
| 962 | 1 | 1 | 1,0 |
| 728 | 1 | 1 | 1,0 |
| 744 | 1 | 1 | 1,0 |
| 762 | 1 | 1 | 1,0 |
| 788 | 1 | 1 | 1,0 |
| 605 | 1 | 1 | 1,0 |
| 611 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1061 | 1 | 1 | 1,0 |
| 452 | 1 | 1 | 1,0 |
| 787 | 1 | 1 | 1,0 |
| 461 | 1 | 1 | 1,0 |
| 518 | 1 | 1 | 1,0 |
| 430 | 1 | 1 | 1,0 |
Показаны 30 наиболее подтвержденных пиков из 44 всего для Silicon silicon.
Возможные материалы
Логика спектра
Назначение функциональных групп становится более уверенным, когда несколько ожидаемых полос появляются вместе. Используйте эту страницу, чтобы найти наиболее подтвержденные пики, затем убедитесь, что тот же образец демонстрирует согласованную картину, а не единичное изолированное совпадение.
Использование в реальных условиях
Эти страницы полезны для анализа неизвестных материалов, объяснения пиков в отчетах, устранения неполадок полимеров и проверки химической обоснованности семейства материалов-кандидатов.
Распространенные ошибки
- Использование одной страницы функциональной группы как полного заключения о материале без проверки остальной части спектра.
- Предполагая, что самая сильная полоса всегда является наиболее диагностической.
- Забывая, что обработка, добавки, старение и смеси могут смещать или расширять ожидаемые пики.
Рекомендации по проверке
Используйте DSC, GC-MS или TGA, когда несколько семейств материалов имеют схожие полосы или когда эффекты смеси делают интерпретацию FTIR неопределенной.
Литература, лежащая в основе этих назначений
-
480 cm⁻¹ достоверность 1,0
“Before annealing treatments, some signature of the presence of Si-Si bonds (weak band centered at 480 cm-1 assigned to the amorphous silicon phase) are present in the spectrum of the as-grown material.”
Evolution of Optical and Structural Properties of Silicon Nanocrystals Embedded in Silicon Nitride Films with Annealing Temperature DOI: 10.4028/www.scientific.net/JNanoR.49.163 -
980 cm⁻¹ достоверность 1,0
“7 (a) Typical absorption, transmission and reflection spectra of cm(cid:3)1 for 30and 60-s Si-Si peaks are at 979.56 and 943.58 vertical SiNWs by electroless process.”
Synthesis and Characterization of Silicon Nanowires by Electroless Etching DOI: 10.1007/s11665-018-3179-z -
480 cm⁻¹ достоверность 1,0
“In Raman spectrum, for amorphous phase and crystalline phase, the Si-Si TO phonon mode occurs at about 480 cm-1 and 520 cm-1, respectively.”
Effect of Deposition Power on the Structure Properties of Microcrystalline Silicon Thin Films DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMM.442.116 -
400 cm⁻¹ достоверность 1,0
“The weak absorption in the near infrared region (~400 cm-1) of three compounds is ascribed to Si-Si bonds.”
Synthesis, characterization and properties of diamidodisilanes and azocyclosilane DOI: 10.1360/982004-590 -
464 cm⁻¹ достоверность 1,0
“Since in GaAs the 464 cm-1 peak corresponds to the longitudinal stretching mode of the pair [5] one can imagine that when Al atoms substitute Ga atoms nearest to the SiAs cation sites the Si-Si bond will become somewhat weaker due to an Al-”
Kaczor 等 - 1995 - Silicon-related local vibrational mode absorption DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.196-201.1091 -
411 cm⁻¹ достоверность 1,0
“The only difference between FTIR of cm-1 ZnO:Al,N ZnO:Al,N ZnO:Al,N films films films and and and Si Si Si substrate substrate substrate is is is the the the peak peak peak at at at 411 411 411 cm cm that is only seen in the films.”
Karpyna 等 - 2020 - Raman and Photoluminescence Study of Al,N-Codoped DOI: 10.1002/pssb.201900788 -
400 cm⁻¹ достоверность 1,0
“The inset is a magnified view of Si-Si peak at the temperature of 400 ºC and 500 ºC Figure 1 shows the Raman spectra of the self-implanted sample annealed at different”
Red Light Emission from Silicon Created by Self-Ion Implantation and Thermal Annealing DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMM.320.109 -
614 cm⁻¹ достоверность 1,0
“LLM confirmed rule peak-group candidate”
Ion beam induced modification and nanostructures formation in thin SiC/Pd films on c-Si substrate DOI: 10.1016/j.nimb.2021.01.018
Посмотрите Silicon silicon в своем спектре
Загрузите свой FTIR-спектр и получите полный отчет с интерпретацией — назначение пиков с литературными ссылками, совпадения с библиотеками и анализ на основе литературы — за секунды.