Silicon silicon — Picos de absorção FTIR e atribuições
Estes são os números de onda característicos de FTIR nos quais Silicon silicon tende a absorver, compilados a partir da literatura publicada e classificados conforme as evidências de apoio. Cada atribuição pode ser rastreada até uma fonte (DOI) e validada de forma cruzada com nossos 320,000+ espectros de referência e grafo de conhecimento.
Respaldado por 8 fontes citadas
Resposta rápida
Silicon silicon é geralmente atribuído procurando por um aglomerado recorrente de picos característicos em vez de um número exato de livro-texto. A tabela abaixo mostra onde a literatura mais frequentemente coloca este grupo em FTIR, classificados por evidência acumulada.
Picos FTIR característicos para Silicon silicon
| Número de onda (cm⁻¹) | Fatos de suporte | Fontes citadas | Maior confiança |
|---|---|---|---|
| 520 | 4 | 4 | 1,0 |
| 2000 | 2 | 2 | 1,0 |
| 400 | 2 | 2 | 1,0 |
| 480 | 2 | 2 | 1,0 |
| 1255 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1030 | 1 | 1 | 1,0 |
| 612 | 1 | 1 | 1,0 |
| 615 | 1 | 1 | 1,0 |
| 773 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1050 | 1 | 1 | 1,0 |
| 768 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1600 | 1 | 1 | 1,0 |
| 519 | 1 | 1 | 1,0 |
| 460 | 1 | 1 | 1,0 |
| 976 | 1 | 1 | 1,0 |
| 2013 | 1 | 1 | 1,0 |
| 618 | 1 | 1 | 1,0 |
| 962 | 1 | 1 | 1,0 |
| 728 | 1 | 1 | 1,0 |
| 744 | 1 | 1 | 1,0 |
| 762 | 1 | 1 | 1,0 |
| 788 | 1 | 1 | 1,0 |
| 605 | 1 | 1 | 1,0 |
| 611 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1061 | 1 | 1 | 1,0 |
| 452 | 1 | 1 | 1,0 |
| 787 | 1 | 1 | 1,0 |
| 461 | 1 | 1 | 1,0 |
| 518 | 1 | 1 | 1,0 |
| 430 | 1 | 1 | 1,0 |
Mostrando os 30 picos mais suportados de 44 total para Silicon silicon.
Materiais possíveis
Lógica do espectro
A atribuição de grupos funcionais torna-se mais confiante quando várias bandas esperadas aparecem juntas. Use esta página para encontrar os picos mais apoiados e, em seguida, confirme que a mesma amostra exibe um padrão coerente, em vez de um único hit isolado.
Uso no mundo real
Estas páginas são úteis para análise de material desconhecido, explicação de picos em relatórios, solução de problemas de polímeros e verificação se uma família de materiais candidata é quimicamente plausível.
Erros comuns
- Usar uma página de grupo funcional como veredito completo do material sem verificar o resto do espectro.
- Assumindo que a banda mais forte é sempre a mais diagnóstica.
- Esquecer que processamento, aditivos, envelhecimento e misturas podem deslocar ou alargar os picos esperados.
Conselho de verificação
Use DSC, GC-MS ou TGA quando várias famílias de materiais compartilham bandas semelhantes ou quando efeitos de mistura tornam a atribuição FTIR incerta.
Literatura por trás destas atribuições
-
480 cm⁻¹ confiança 1,0
“Before annealing treatments, some signature of the presence of Si-Si bonds (weak band centered at 480 cm-1 assigned to the amorphous silicon phase) are present in the spectrum of the as-grown material.”
Evolution of Optical and Structural Properties of Silicon Nanocrystals Embedded in Silicon Nitride Films with Annealing Temperature DOI: 10.4028/www.scientific.net/JNanoR.49.163 -
980 cm⁻¹ confiança 1,0
“7 (a) Typical absorption, transmission and reflection spectra of cm(cid:3)1 for 30and 60-s Si-Si peaks are at 979.56 and 943.58 vertical SiNWs by electroless process.”
Synthesis and Characterization of Silicon Nanowires by Electroless Etching DOI: 10.1007/s11665-018-3179-z -
480 cm⁻¹ confiança 1,0
“In Raman spectrum, for amorphous phase and crystalline phase, the Si-Si TO phonon mode occurs at about 480 cm-1 and 520 cm-1, respectively.”
Effect of Deposition Power on the Structure Properties of Microcrystalline Silicon Thin Films DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMM.442.116 -
400 cm⁻¹ confiança 1,0
“The weak absorption in the near infrared region (~400 cm-1) of three compounds is ascribed to Si-Si bonds.”
Synthesis, characterization and properties of diamidodisilanes and azocyclosilane DOI: 10.1360/982004-590 -
464 cm⁻¹ confiança 1,0
“Since in GaAs the 464 cm-1 peak corresponds to the longitudinal stretching mode of the pair [5] one can imagine that when Al atoms substitute Ga atoms nearest to the SiAs cation sites the Si-Si bond will become somewhat weaker due to an Al-”
Kaczor 等 - 1995 - Silicon-related local vibrational mode absorption DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.196-201.1091 -
411 cm⁻¹ confiança 1,0
“The only difference between FTIR of cm-1 ZnO:Al,N ZnO:Al,N ZnO:Al,N films films films and and and Si Si Si substrate substrate substrate is is is the the the peak peak peak at at at 411 411 411 cm cm that is only seen in the films.”
Karpyna 等 - 2020 - Raman and Photoluminescence Study of Al,N-Codoped DOI: 10.1002/pssb.201900788 -
400 cm⁻¹ confiança 1,0
“The inset is a magnified view of Si-Si peak at the temperature of 400 ºC and 500 ºC Figure 1 shows the Raman spectra of the self-implanted sample annealed at different”
Red Light Emission from Silicon Created by Self-Ion Implantation and Thermal Annealing DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMM.320.109 -
614 cm⁻¹ confiança 1,0
“LLM confirmed rule peak-group candidate”
Ion beam induced modification and nanostructures formation in thin SiC/Pd films on c-Si substrate DOI: 10.1016/j.nimb.2021.01.018
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