Silicium silicium — FTIR-absorptiepieken en toewijzingen
Dit zijn de karakteristieke FTIR-golfgetallen waarbij Silicium silicium doorgaans absorbeert, samengesteld uit gepubliceerde literatuur en gerangschikt op basis van ondersteunend bewijs. Elke toewijzing is herleidbaar tot een bron (DOI) en kruisgevalideerd aan de hand van onze 320,000+ referentiespectra en kennisgrafiek.
Ondersteund door 8 geciteerde bronnen
Snel antwoord
Silicium silicium wordt meestal toegewezen door te zoeken naar een terugkerende cluster van karakteristieke pieken in plaats van één exact theoretisch getal. De onderstaande tabel toont waar de literatuur deze groep het vaakst plaatst in FTIR, gerangschikt op basis van verzameld bewijs.
Karakteristieke FTIR-pieken voor Silicium silicium
| Golfgetal (cm⁻¹) | Ondersteunende feiten | Geciteerde bronnen | Hoogste vertrouwen |
|---|---|---|---|
| 520 | 4 | 4 | 1,0 |
| 2000 | 2 | 2 | 1,0 |
| 400 | 2 | 2 | 1,0 |
| 480 | 2 | 2 | 1,0 |
| 1255 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1030 | 1 | 1 | 1,0 |
| 612 | 1 | 1 | 1,0 |
| 615 | 1 | 1 | 1,0 |
| 773 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1050 | 1 | 1 | 1,0 |
| 768 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1600 | 1 | 1 | 1,0 |
| 519 | 1 | 1 | 1,0 |
| 460 | 1 | 1 | 1,0 |
| 976 | 1 | 1 | 1,0 |
| 2013 | 1 | 1 | 1,0 |
| 618 | 1 | 1 | 1,0 |
| 962 | 1 | 1 | 1,0 |
| 728 | 1 | 1 | 1,0 |
| 744 | 1 | 1 | 1,0 |
| 762 | 1 | 1 | 1,0 |
| 788 | 1 | 1 | 1,0 |
| 605 | 1 | 1 | 1,0 |
| 611 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1061 | 1 | 1 | 1,0 |
| 452 | 1 | 1 | 1,0 |
| 787 | 1 | 1 | 1,0 |
| 461 | 1 | 1 | 1,0 |
| 518 | 1 | 1 | 1,0 |
| 430 | 1 | 1 | 1,0 |
Toont de 30 best ondersteunde pieken van 44 totaal voor Silicium silicium.
Mogelijke materialen
Spectrumlogica
Een functionele-groepstoewijzing wordt zekerder wanneer meerdere verwachte banden samen voorkomen. Gebruik deze pagina om de sterkst ondersteunde pieken te vinden en bevestig vervolgens dat hetzelfde monster een coherent patroon vertoont in plaats van een enkele geïsoleerde hit.
Gebruik in de praktijk
Deze pagina＇s zijn nuttig voor analyse van onbekend materiaal, piekverklaring in rapporten, probleemoplossing voor polymeren en het verifiëren of een kandidaat-materiaalfamilie chemisch aannemelijk is.
Veelgemaakte fouten
- Het gebruiken van één functionele groepspagina als een volledig materiaaloordeel zonder de rest van het spectrum te controleren.
- Ervan uitgaande dat de sterkste band altijd de meest diagnostische is.
- Vergeten dat verwerking, additieven, veroudering en mengsels de verwachte pieken kunnen verschuiven of verbreden.
Advies voor verificatie
Gebruik DSC, GC-MS of TGA wanneer verschillende materiaalfamilies vergelijkbare banden delen of wanneer mengseleffecten de FTIR-toewijzing onzeker maken.
Literatuur achter deze toewijzingen
-
480 cm⁻¹ vertrouwen 1,0
“Voor gloeibehandelingen zijn enkele kenmerken van de aanwezigheid van Si-Si-bindingen (zwakke band gecentreerd bij 480 cm-1 toegewezen aan de amorfe siliciumfase) aanwezig in het spectrum van het as-grown materiaal.”
Evolution of Optical and Structural Properties of Silicon Nanocrystals Embedded in Silicon Nitride Films with Annealing Temperature DOI: 10.4028/www.scientific.net/JNanoR.49.163 -
980 cm⁻¹ vertrouwen 1,0
“7 (a) Typische absorptie-, transmissie- en reflectiespectra van cm(cid:3)1 voor 30- en 60-s Si-Si-pieken zijn bij 979.56 en 943.58 verticale SiNW＇s door stroomloos proces.”
Synthesis and Characterization of Silicon Nanowires by Electroless Etching DOI: 10.1007/s11665-018-3179-z -
480 cm⁻¹ vertrouwen 1,0
“In het Ramanspectrum, voor amorfe fase en kristallijne fase, treedt de Si-Si TO fononmodus op bij ongeveer 480 cm-1 en 520 cm-1, respectievelijk.”
Effect of Deposition Power on the Structure Properties of Microcrystalline Silicon Thin Films DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMM.442.116 -
400 cm⁻¹ vertrouwen 1,0
“De zwakke absorptie in het nabij-infraroodgebied (~400 cm-1) van drie verbindingen wordt toegeschreven aan Si-Si-bindingen.”
Synthesis, characterization and properties of diamidodisilanes and azocyclosilane DOI: 10.1360/982004-590 -
464 cm⁻¹ vertrouwen 1,0
“Aangezien in GaAs de 464 cm-1 piek overeenkomt met de longitudinale strekmodus van het paar [5] kan men zich voorstellen dat wanneer Al-atomen Ga-atomen vervangen die het dichtst bij de SiAs kationplaatsen zijn, de Si-Si binding enigszins zwakker wordt door een Al-”
Kaczor 等 - 1995 - Silicon-related local vibrational mode absorption DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.196-201.1091 -
411 cm⁻¹ vertrouwen 1,0
“Het enige verschil tussen FTIR van cm-1 ZnO:Al,N ZnO:Al,N ZnO:Al,N films films films en en en Si Si Si substraat substraat substraat is is is de de de piek piek piek bij bij bij 411 411 411 cm cm die alleen te zien is in de films.”
Karpyna 等 - 2020 - Raman and Photoluminescence Study of Al,N-Codoped DOI: 10.1002/pssb.201900788 -
400 cm⁻¹ vertrouwen 1,0
“De inzet is een vergroot aanzicht van de Si-Si-piek bij de temperatuur van 400 ºC en 500 ºC. Figuur 1 toont de Raman-spectra van het zelfgeïmplanteerde monster gegloeid bij verschillende”
Red Light Emission from Silicon Created by Self-Ion Implantation and Thermal Annealing DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMM.320.109 -
614 cm⁻¹ vertrouwen 1,0
“LLM bevestigde regel piekgroep kandidaat”
Ion beam induced modification and nanostructures formation in thin SiC/Pd films on c-Si substrate DOI: 10.1016/j.nimb.2021.01.018
Bekijk Silicium silicium in uw eigen spectrum
Upload uw FTIR-spectrum en ontvang in seconden een volledig interpretatierapport — piektoewijzingen met literatuurcitaten, bibliotheekmatches en een op literatuur gebaseerde analyse.