실리콘 실리콘 — FTIR 흡수 피크 및 할당
다음은 실리콘 실리콘가 흡수하는 경향이 있는 특징적인 FTIR 파수로, 출판된 문헌을 바탕으로 수집하고 뒷받침 근거에 따라 순위를 지정했습니다. 각 할당은 출처(DOI)로 추적할 수 있으며, 320,000+개의 참조 스펙트럼 및 지식 그래프와 교차 검증되었습니다.
8개의 인용 출처를 바탕으로 합니다
빠른 답변
실리콘 실리콘는 일반적으로 정확한 교과서 숫자 하나보다는 반복되는 특징적 피크 클러스터를 찾아 할당됩니다. 아래 표는 문헌에서 이 그룹을 FTIR에서 가장 자주 배치하는 위치를 누적 증거 순으로 보여줍니다.
실리콘 실리콘의 특성 FTIR 피크
| 파수 (cm⁻¹) | 지원 사실 | 인용 출처 | 최고 신뢰도 |
|---|---|---|---|
| 520 | 4 | 4 | 1.0 |
| 2000 | 2 | 2 | 1.0 |
| 400 | 2 | 2 | 1.0 |
| 480 | 2 | 2 | 1.0 |
| 1255 | 1 | 1 | 1.0 |
| 1030 | 1 | 1 | 1.0 |
| 612 | 1 | 1 | 1.0 |
| 615 | 1 | 1 | 1.0 |
| 773 | 1 | 1 | 1.0 |
| 1050 | 1 | 1 | 1.0 |
| 768 | 1 | 1 | 1.0 |
| 1600 | 1 | 1 | 1.0 |
| 519 | 1 | 1 | 1.0 |
| 460 | 1 | 1 | 1.0 |
| 976 | 1 | 1 | 1.0 |
| 2013 | 1 | 1 | 1.0 |
| 618 | 1 | 1 | 1.0 |
| 962 | 1 | 1 | 1.0 |
| 728 | 1 | 1 | 1.0 |
| 744 | 1 | 1 | 1.0 |
| 762 | 1 | 1 | 1.0 |
| 788 | 1 | 1 | 1.0 |
| 605 | 1 | 1 | 1.0 |
| 611 | 1 | 1 | 1.0 |
| 1061 | 1 | 1 | 1.0 |
| 452 | 1 | 1 | 1.0 |
| 787 | 1 | 1 | 1.0 |
| 461 | 1 | 1 | 1.0 |
| 518 | 1 | 1 | 1.0 |
| 430 | 1 | 1 | 1.0 |
Showing the 30 best-supported peaks of 44 total for 실리콘 실리콘.
가능한 재료
스펙트럼 로직
여러 예상 밴드가 함께 나타날 때 작용기 할당이 더 확실해집니다. 이 페이지를 사용하여 가장 강력하게 지원되는 피크를 찾은 다음, 동일한 샘플이 단일 고립된 히트가 아닌 일관된 패턴을 보이는지 확인하세요.
실제 사용
이 페이지는 미지 물질 분석, 보고서의 피크 설명, 폴리머 문제 해결, 후보 물질군이 화학적으로 타당한지 확인하는 데 유용합니다.
일반적인 실수
- 스펙트럼의 나머지 부분을 확인하지 않고 하나의 기능 그룹 페이지를 완전한 재료 판정으로 사용하는 것.
- 가장 강한 밴드가 항상 가장 진단적이라고 가정합니다.
- 가공, 첨가제, 노화 및 혼합물이 예상 피크를 이동시키거나 넓힐 수 있다는 것을 잊는 것.
검증 조언
여러 물질군이 유사한 밴드를 공유하거나 혼합 효과로 FTIR 할당이 불확실할 때 DSC, GC-MS 또는 TGA를 사용하십시오.
이 할당의 배경이 되는 문헌
-
480 cm⁻¹ 신뢰도 1.0
“어닐링 처리 전에, Si-Si 결합의 존재 신호(480 cm-1에 중심을 둔 약한 밴드, 비정질 실리콘 상에 할당됨)가 성장된 재료의 스펙트럼에 존재함.”
Evolution of Optical and Structural Properties of Silicon Nanocrystals Embedded in Silicon Nitride Films with Annealing Temperature DOI: 10.4028/www.scientific.net/JNanoR.49.163 -
980 cm⁻¹ 신뢰도 1.0
“7 (a) 무전해 공정에 의한 30초 및 60초 Si-Si 피크의 전형적인 흡수, 투과 및 반사 스펙트럼 cm(cid:3)1은 979.56 및 943.58 수직 SiNWs에 있습니다.”
Synthesis and Characterization of Silicon Nanowires by Electroless Etching DOI: 10.1007/s11665-018-3179-z -
480 cm⁻¹ 신뢰도 1.0
“라만 스펙트럼에서 비정질 상과 결정질 상의 경우 Si-Si TO 포논 모드는 각각 약 480 cm-1 및 520 cm-1에서 발생합니다.”
Effect of Deposition Power on the Structure Properties of Microcrystalline Silicon Thin Films DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMM.442.116 -
400 cm⁻¹ 신뢰도 1.0
“세 화합물의 근적외선 영역(~400 cm-1)에서 약한 흡수는 Si-Si 결합에 기인합니다.”
Synthesis, characterization and properties of diamidodisilanes and azocyclosilane DOI: 10.1360/982004-590 -
464 cm⁻¹ 신뢰도 1.0
“GaAs에서 464 cm-1 피크는 쌍의 종방향 신축 모드에 해당하므로[5], Al 원자가 SiAs 양이온 부위에 가장 가까운 Ga 원자를 치환하면 Si-Si 결합이 Al-로 인해 다소 약해질 것으로 추정할 수 있다.”
Kaczor 等 - 1995 - Silicon-related local vibrational mode absorption DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.196-201.1091 -
411 cm⁻¹ 신뢰도 1.0
“The only difference between FTIR of cm-1 ZnO:Al,N ZnO:Al,N ZnO:Al,N films films films and and and Si Si Si substrate substrate substrate is is is the the the peak peak peak at at at 411 411 411 cm cm that is only seen in the films.”
Karpyna 等 - 2020 - Raman and Photoluminescence Study of Al,N-Codoped DOI: 10.1002/pssb.201900788 -
400 cm⁻¹ 신뢰도 1.0
“The inset is a magnified view of Si-Si peak at the temperature of 400 ºC and 500 ºC Figure 1 shows the Raman spectra of the self-implanted sample annealed at different”
Red Light Emission from Silicon Created by Self-Ion Implantation and Thermal Annealing DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMM.320.109 -
614 cm⁻¹ 신뢰도 1.0
“LLM 확인 규칙 피크-그룹 후보”
Ion beam induced modification and nanostructures formation in thin SiC/Pd films on c-Si substrate DOI: 10.1016/j.nimb.2021.01.018
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