Silicon silicon — FTIR吸収ピークと帰属

クイックアンサー

Silicon silicon は、教科書の正確な数値ではなく、特徴的なピークの繰り返しクラスターを探すことで通常割り当てられます。以下の表は、文献がこのグループをFTIRで最も頻繁に配置する場所を、蓄積された証拠に基づいてランク付けしたものです。

Silicon silicon の特性FTIRピーク

合計 44 個中、最も支持されている30個のピークを Silicon silicon に対して表示しています。

可能性のある材料

スペクトルロジック

複数の期待されるバンドが同時に現れると、官能基の帰属の信頼性が高まります。このページを使用して最も強く支持されるピークを見つけ、その後、同じサンプルが孤立したヒットではなく一貫したパターンを示すことを確認してください。

実使用例

これらのページは、未知材料分析、レポート内のピーク説明、ポリマートラブルシューティング、および候補材料ファミリーが化学的に妥当かどうかの検証に役立ちます。

よくある間違い

• スペクトルの残りを確認せずに、1つの官能基ページを完全な材料判定として使用すること。
• 最も強いバンドが常に最も診断的であると仮定しています。
• 加工、添加剤、経年変化、混合物が予想されるピークをシフトまたはブロードにする可能性があることを忘れている。

検証アドバイス

DSC、GC-MS、またはTGAを使用してください。複数の材料ファミリーが類似したバンドを共有する場合や、混合物の影響でFTIRの帰属が不確かな場合に適しています。

これらのアサインの根拠となる文献

• 480 cm⁻¹ 信頼度 1.0

  “Before annealing treatments, some signature of the presence of Si-Si bonds (weak band centered at 480 cm-1 assigned to the amorphous silicon phase) are present in the spectrum of the as-grown material.”

  Evolution of Optical and Structural Properties of Silicon Nanocrystals Embedded in Silicon Nitride Films with Annealing Temperature DOI: 10.4028/www.scientific.net/JNanoR.49.163
• 980 cm⁻¹ 信頼度 1.0

  “7 (a) Typical absorption, transmission and reflection spectra of cm(cid:3)1 for 30and 60-s Si-Si peaks are at 979.56 and 943.58 vertical SiNWs by electroless process.”

  Synthesis and Characterization of Silicon Nanowires by Electroless Etching DOI: 10.1007/s11665-018-3179-z
• 480 cm⁻¹ 信頼度 1.0

  “In Raman spectrum, for amorphous phase and crystalline phase, the Si-Si TO phonon mode occurs at about 480 cm-1 and 520 cm-1, respectively.”

  Effect of Deposition Power on the Structure Properties of Microcrystalline Silicon Thin Films DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMM.442.116
• 400 cm⁻¹ 信頼度 1.0

  “The weak absorption in the near infrared region (~400 cm-1) of three compounds is ascribed to Si-Si bonds.”

  Synthesis, characterization and properties of diamidodisilanes and azocyclosilane DOI: 10.1360/982004-590
• 464 cm⁻¹ 信頼度 1.0

  “Since in GaAs the 464 cm-1 peak corresponds to the longitudinal stretching mode of the pair [5] one can imagine that when Al atoms substitute Ga atoms nearest to the SiAs cation sites the Si-Si bond will become somewhat weaker due to an Al-”

  Kaczor 等 - 1995 - Silicon-related local vibrational mode absorption DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.196-201.1091
• 411 cm⁻¹ 信頼度 1.0

  “The only difference between FTIR of cm-1 ZnO:Al,N ZnO:Al,N ZnO:Al,N films films films and and and Si Si Si substrate substrate substrate is is is the the the peak peak peak at at at 411 411 411 cm cm that is only seen in the films.”

  Karpyna 等 - 2020 - Raman and Photoluminescence Study of Al,N-Codoped DOI: 10.1002/pssb.201900788
• 400 cm⁻¹ 信頼度 1.0

  “The inset is a magnified view of Si-Si peak at the temperature of 400 ºC and 500 ºC Figure 1 shows the Raman spectra of the self-implanted sample annealed at different”

  Red Light Emission from Silicon Created by Self-Ion Implantation and Thermal Annealing DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMM.320.109
• 614 cm⁻¹ 信頼度 1.0

  “LLM confirmed rule peak-group candidate”

  Ion beam induced modification and nanostructures formation in thin SiC/Pd films on c-Si substrate DOI: 10.1016/j.nimb.2021.01.018