Silicon silicon — Picchi di assorbimento FTIR e assegnazioni
Questi sono i numeri d＇onda FTIR caratteristici ai quali Silicon silicon tende ad assorbire, compilati dalla letteratura pubblicata e classificati in base alle evidenze disponibili. Ogni assegnazione è riconducibile a una fonte (DOI) e convalidata incrociandola con le nostre 320,000+ spettri di riferimento e il grafo della conoscenza.
Supportato da 8 fonti citate
Risposta rapida
Silicon silicon viene solitamente assegnato cercando un cluster ricorrente di picchi caratteristici piuttosto che un numero esatto da manuale. La tabella seguente mostra dove la letteratura colloca più spesso questo gruppo in FTIR, classificato per evidenza accumulata.
Picchi FTIR caratteristici per Silicon silicon
| Numero d＇onda (cm⁻¹) | Fatti di supporto | Fonti citate | Affidabilità massima |
|---|---|---|---|
| 520 | 4 | 4 | 1,0 |
| 2000 | 2 | 2 | 1,0 |
| 400 | 2 | 2 | 1,0 |
| 480 | 2 | 2 | 1,0 |
| 1255 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1030 | 1 | 1 | 1,0 |
| 612 | 1 | 1 | 1,0 |
| 615 | 1 | 1 | 1,0 |
| 773 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1050 | 1 | 1 | 1,0 |
| 768 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1600 | 1 | 1 | 1,0 |
| 519 | 1 | 1 | 1,0 |
| 460 | 1 | 1 | 1,0 |
| 976 | 1 | 1 | 1,0 |
| 2013 | 1 | 1 | 1,0 |
| 618 | 1 | 1 | 1,0 |
| 962 | 1 | 1 | 1,0 |
| 728 | 1 | 1 | 1,0 |
| 744 | 1 | 1 | 1,0 |
| 762 | 1 | 1 | 1,0 |
| 788 | 1 | 1 | 1,0 |
| 605 | 1 | 1 | 1,0 |
| 611 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1061 | 1 | 1 | 1,0 |
| 452 | 1 | 1 | 1,0 |
| 787 | 1 | 1 | 1,0 |
| 461 | 1 | 1 | 1,0 |
| 518 | 1 | 1 | 1,0 |
| 430 | 1 | 1 | 1,0 |
Mostrando i 30 picchi meglio supportati su 44 totali per Silicon silicon.
Materiali possibili
Logica dello spettro
Un＇assegnazione di gruppo funzionale diventa più affidabile quando diverse bande attese appaiono insieme. Usa questa pagina per trovare i picchi più supportati, poi conferma che lo stesso campione mostra un pattern coerente piuttosto che un singolo hit isolato.
Utilizzo nel mondo reale
Queste pagine sono utili per l＇analisi di materiali sconosciuti, la spiegazione dei picchi nei rapporti, la risoluzione dei problemi dei polimeri e la verifica se una famiglia di materiali candidati è chimicamente plausibile.
Errori comuni
- Utilizzare una pagina di gruppo funzionale come verdetto completo del materiale senza controllare il resto dello spettro.
- Supponendo che la banda più forte sia sempre la più diagnostica.
- Dimenticare che la lavorazione, gli additivi, l＇invecchiamento e le miscele possono spostare o allargare i picchi attesi.
Consiglio di verifica
Utilizzare DSC, GC-MS o TGA quando più famiglie di materiali condividono bande simili o quando gli effetti di miscela rendono incerta l＇assegnazione FTIR.
Letteratura dietro queste assegnazioni
-
480 cm⁻¹ affidabilità 1,0
“Before annealing treatments, some signature of the presence of Si-Si bonds (weak band centered at 480 cm-1 assigned to the amorphous silicon phase) are present in the spectrum of the as-grown material.”
Evolution of Optical and Structural Properties of Silicon Nanocrystals Embedded in Silicon Nitride Films with Annealing Temperature DOI: 10.4028/www.scientific.net/JNanoR.49.163 -
980 cm⁻¹ affidabilità 1,0
“7 (a) Typical absorption, transmission and reflection spectra of cm(cid:3)1 for 30and 60-s Si-Si peaks are at 979.56 and 943.58 vertical SiNWs by electroless process.”
Synthesis and Characterization of Silicon Nanowires by Electroless Etching DOI: 10.1007/s11665-018-3179-z -
480 cm⁻¹ affidabilità 1,0
“In Raman spectrum, for amorphous phase and crystalline phase, the Si-Si TO phonon mode occurs at about 480 cm-1 and 520 cm-1, respectively.”
Effect of Deposition Power on the Structure Properties of Microcrystalline Silicon Thin Films DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMM.442.116 -
400 cm⁻¹ affidabilità 1,0
“The weak absorption in the near infrared region (~400 cm-1) of three compounds is ascribed to Si-Si bonds.”
Synthesis, characterization and properties of diamidodisilanes and azocyclosilane DOI: 10.1360/982004-590 -
464 cm⁻¹ affidabilità 1,0
“Since in GaAs the 464 cm-1 peak corresponds to the longitudinal stretching mode of the pair [5] one can imagine that when Al atoms substitute Ga atoms nearest to the SiAs cation sites the Si-Si bond will become somewhat weaker due to an Al-”
Kaczor 等 - 1995 - Silicon-related local vibrational mode absorption DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.196-201.1091 -
411 cm⁻¹ affidabilità 1,0
“The only difference between FTIR of cm-1 ZnO:Al,N ZnO:Al,N ZnO:Al,N films films films and and and Si Si Si substrate substrate substrate is is is the the the peak peak peak at at at 411 411 411 cm cm that is only seen in the films.”
Karpyna 等 - 2020 - Raman and Photoluminescence Study of Al,N-Codoped DOI: 10.1002/pssb.201900788 -
400 cm⁻¹ affidabilità 1,0
“The inset is a magnified view of Si-Si peak at the temperature of 400 ºC and 500 ºC Figure 1 shows the Raman spectra of the self-implanted sample annealed at different”
Red Light Emission from Silicon Created by Self-Ion Implantation and Thermal Annealing DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMM.320.109 -
614 cm⁻¹ affidabilità 1,0
“LLM confirmed rule peak-group candidate”
Ion beam induced modification and nanostructures formation in thin SiC/Pd films on c-Si substrate DOI: 10.1016/j.nimb.2021.01.018
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