Silicon silicon — FTIR শোষণ পিক এবং অ্যাসাইনমেন্ট
এগুলো হলো বৈশিষ্ট্যপূর্ণ FTIR ওয়েভনাম্বর, যেখানে Silicon silicon সাধারণত শোষণ করতে প্রবণ, যা প্রকাশিত সাহিত্য থেকে সংকলিত এবং সহায়ক প্রমাণের ভিত্তিতে র্যাঙ্ক করা হয়েছে। প্রতিটি অ্যাসাইনমেন্ট একটি উৎস (DOI)-এর সঙ্গে ট্রেসযোগ্য এবং আমাদের 320,000+টি রেফারেন্স স্পেকট্রাম ও নলেজ গ্রাফের বিরুদ্ধে ক্রস-ভ্যালিডেট করা হয়েছে।
8টি উদ্ধৃত উৎস দ্বারা সমর্থিত
দ্রুত উত্তর
Silicon silicon সাধারণত একটি নির্দিষ্ট পাঠ্যপুস্তকের সংখ্যার পরিবর্তে বৈশিষ্ট্যপূর্ণ পিকের পুনরাবৃত্ত ক্লাস্টার খুঁজে নির্ধারণ করা হয়। নীচের সারণীটি দেখায় যে সাহিত্যে এই গ্রুপটি FTIR-এ সবচেয়ে বেশি কোথায় রাখে, সঞ্চিত প্রমাণ অনুযায়ী র্যাঙ্ক করা।
Silicon silicon-এর জন্য বৈশিষ্ট্যযুক্ত FTIR পিক
| তরঙ্গসংখ্যা (cm⁻¹) | সমর্থনকারী তথ্য | উদ্ধৃত সূত্র | সর্বোচ্চ আত্মবিশ্বাস |
|---|---|---|---|
| 520 | 4 | 4 | 1.0 |
| 2000 | 2 | 2 | 1.0 |
| 400 | 2 | 2 | 1.0 |
| 480 | 2 | 2 | 1.0 |
| 1255 | 1 | 1 | 1.0 |
| 1030 | 1 | 1 | 1.0 |
| 612 | 1 | 1 | 1.0 |
| 615 | 1 | 1 | 1.0 |
| 773 | 1 | 1 | 1.0 |
| 1050 | 1 | 1 | 1.0 |
| 768 | 1 | 1 | 1.0 |
| 1600 | 1 | 1 | 1.0 |
| 519 | 1 | 1 | 1.0 |
| 460 | 1 | 1 | 1.0 |
| 976 | 1 | 1 | 1.0 |
| 2013 | 1 | 1 | 1.0 |
| 618 | 1 | 1 | 1.0 |
| 962 | 1 | 1 | 1.0 |
| 728 | 1 | 1 | 1.0 |
| 744 | 1 | 1 | 1.0 |
| 762 | 1 | 1 | 1.0 |
| 788 | 1 | 1 | 1.0 |
| 605 | 1 | 1 | 1.0 |
| 611 | 1 | 1 | 1.0 |
| 1061 | 1 | 1 | 1.0 |
| 452 | 1 | 1 | 1.0 |
| 787 | 1 | 1 | 1.0 |
| 461 | 1 | 1 | 1.0 |
| 518 | 1 | 1 | 1.0 |
| 430 | 1 | 1 | 1.0 |
Showing the 30 best-supported peaks of 44 total for Silicon silicon.
সম্ভাব্য উপকরণ
স্পেকট্রাম লজিক
যখন বেশ কয়েকটি প্রত্যাশিত ব্যান্ড একসাথে দেখা যায় তখন একটি কার্যকরী-গ্রুপ নির্ধারণ আরও আত্মবিশ্বাসী হয়। এই পৃষ্ঠাটি ব্যবহার করে সবচেয়ে শক্তিশালী সমর্থিত শিখরগুলি খুঁজুন, তারপর নিশ্চিত করুন যে একই নমুনা একটি একক বিচ্ছিন্ন হিটের পরিবর্তে একটি সুসংগত প্যাটার্ন প্রদর্শন করে।
বাস্তব বিশ্বের ব্যবহার
এই পৃষ্ঠাগুলি অজানা উপাদান বিশ্লেষণ, প্রতিবেদনে শিখর ব্যাখ্যা, পলিমার সমস্যা সমাধান এবং একটি প্রার্থী উপাদান পরিবার রাসায়নিকভাবে সম্ভাব্য কিনা তা যাচাই করার জন্য দরকারী।
সাধারণ ভুল
- বর্ণালীর বাকি অংশ না দেখে একটি কার্যকরী-গ্রুপ পৃষ্ঠাকে সম্পূর্ণ উপাদান রায় হিসেবে ব্যবহার করা।
- ধরে নেওয়া হচ্ছে যে সবচেয়ে শক্তিশালী ব্যান্ডটি সর্বদা সবচেয়ে ডায়াগনস্টিক।
- ভুলে যাওয়া যে প্রক্রিয়াজাতকরণ, সংযোজন, বার্ধক্য এবং মিশ্রণ প্রত্যাশিত শিখর সরাতে বা প্রশস্ত করতে পারে।
পরামর্শ যাচাই
যখন একাধিক উপাদান পরিবার একই রকম ব্যান্ড শেয়ার করে বা যখন মিশ্রণ প্রভাব FTIR নির্ধারণকে অনিশ্চিত করে, তখন DSC, GC-MS, বা TGA ব্যবহার করুন।
এই অ্যাসাইনমেন্টগুলোর পেছনে সাহিত্য
-
480 cm⁻¹ আত্মবিশ্বাস 1.0
“Before annealing treatments, some signature of the presence of Si-Si bonds (weak band centered at 480 cm-1 assigned to the amorphous silicon phase) are present in the spectrum of the as-grown material.”
Evolution of Optical and Structural Properties of Silicon Nanocrystals Embedded in Silicon Nitride Films with Annealing Temperature DOI: 10.4028/www.scientific.net/JNanoR.49.163 -
980 cm⁻¹ আত্মবিশ্বাস 1.0
“7 (a) Typical absorption, transmission and reflection spectra of cm(cid:3)1 for 30and 60-s Si-Si peaks are at 979.56 and 943.58 vertical SiNWs by electroless process.”
Synthesis and Characterization of Silicon Nanowires by Electroless Etching DOI: 10.1007/s11665-018-3179-z -
480 cm⁻¹ আত্মবিশ্বাস 1.0
“In Raman spectrum, for amorphous phase and crystalline phase, the Si-Si TO phonon mode occurs at about 480 cm-1 and 520 cm-1, respectively.”
Effect of Deposition Power on the Structure Properties of Microcrystalline Silicon Thin Films DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMM.442.116 -
400 cm⁻¹ আত্মবিশ্বাস 1.0
“The weak absorption in the near infrared region (~400 cm-1) of three compounds is ascribed to Si-Si bonds.”
Synthesis, characterization and properties of diamidodisilanes and azocyclosilane DOI: 10.1360/982004-590 -
464 cm⁻¹ আত্মবিশ্বাস 1.0
“Since in GaAs the 464 cm-1 peak corresponds to the longitudinal stretching mode of the pair [5] one can imagine that when Al atoms substitute Ga atoms nearest to the SiAs cation sites the Si-Si bond will become somewhat weaker due to an Al-”
Kaczor 等 - 1995 - Silicon-related local vibrational mode absorption DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.196-201.1091 -
411 cm⁻¹ আত্মবিশ্বাস 1.0
“The only difference between FTIR of cm-1 ZnO:Al,N ZnO:Al,N ZnO:Al,N films films films and and and Si Si Si substrate substrate substrate is is is the the the peak peak peak at at at 411 411 411 cm cm that is only seen in the films.”
Karpyna 等 - 2020 - Raman and Photoluminescence Study of Al,N-Codoped DOI: 10.1002/pssb.201900788 -
400 cm⁻¹ আত্মবিশ্বাস 1.0
“The inset is a magnified view of Si-Si peak at the temperature of 400 ºC and 500 ºC Figure 1 shows the Raman spectra of the self-implanted sample annealed at different”
Red Light Emission from Silicon Created by Self-Ion Implantation and Thermal Annealing DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMM.320.109 -
614 cm⁻¹ আত্মবিশ্বাস 1.0
“LLM confirmed rule peak-group candidate”
Ion beam induced modification and nanostructures formation in thin SiC/Pd films on c-Si substrate DOI: 10.1016/j.nimb.2021.01.018
আপনার নিজের স্পেকট্রামে Silicon silicon দেখুন
আপনার FTIR স্পেকট্রাম আপলোড করুন এবং সেকেন্ডের মধ্যে একটি সম্পূর্ণ ব্যাখ্যা প্রতিবেদন পান — সাহিত্য উদ্ধৃতি সহ শীর্ষ নির্ধারণ, লাইব্রেরি ম্যাচ এবং সাহিত্য-সমর্থিত বিশ্লেষণ।