Silicon (Si) — Picchi di assorbimento FTIR e assegnazioni

Risposta rapida

Silicon (Si) viene solitamente assegnato cercando un cluster ricorrente di picchi caratteristici piuttosto che un numero esatto da manuale. La tabella seguente mostra dove la letteratura colloca più spesso questo gruppo in FTIR, classificato per evidenza accumulata.

Picchi FTIR caratteristici per Silicon (Si)

Mostrando i 30 picchi meglio supportati su 715 totali per Silicon (Si).

Materiali possibili

Logica dello spettro

Un＇assegnazione di gruppo funzionale diventa più affidabile quando diverse bande attese appaiono insieme. Usa questa pagina per trovare i picchi più supportati, poi conferma che lo stesso campione mostra un pattern coerente piuttosto che un singolo hit isolato.

Utilizzo nel mondo reale

Queste pagine sono utili per l＇analisi di materiali sconosciuti, la spiegazione dei picchi nei rapporti, la risoluzione dei problemi dei polimeri e la verifica se una famiglia di materiali candidati è chimicamente plausibile.

Errori comuni

• Utilizzare una pagina di gruppo funzionale come verdetto completo del materiale senza controllare il resto dello spettro.
• Supponendo che la banda più forte sia sempre la più diagnostica.
• Dimenticare che la lavorazione, gli additivi, l＇invecchiamento e le miscele possono spostare o allargare i picchi attesi.

Consiglio di verifica

Utilizzare DSC, GC-MS o TGA quando più famiglie di materiali condividono bande simili o quando gli effetti di miscela rendono incerta l＇assegnazione FTIR.

Letteratura dietro queste assegnazioni

• 3429 cm⁻¹ affidabilità 1,0

  “The FTIR spectra of the cm-1 montmorillonite-carbon nanotube nano filler display bands at 3429, 1076, and 798 which correspond to OH functional groups, Si-O-Si stretching, and Si-O-Si vibration, respectively.”

  Synthesis and Physical Properties Characterization of Montmorillonite-modified Carbon Nanotubes Filler DOI: 10.1088/1757-899X/546/4/042004
• 1089 cm⁻¹ affidabilità 1,0

  “FTIR spectra showed peaks at 1089 and cm-1, 801 which corresponded to asymmetric and symmetric O-Si-O.”

  Fabrication of Biogenic Silica Nanostructures from Sorghum bicolor Leaves for Food Industry Applications DOI: 10.1007/s12633-020-00379-4
• 3604 cm⁻¹ affidabilità 1,0

  “3741cm-1 sorption peaks at 3604 and observed on both treatment of H-BEA is as follows: H-BEA powder was imH-BEA and Ca/H-BEA have been assigned to Si (OH) Al mersed in an aqueous solution of an alkaline earth metal nibridge structure and lo”

  Phenol oxidation over alkaline earth metal ion exchange beta zeolite in the presence of ketone DOI: 10.1016/j.molcata.2004.08.020
• 1106 cm⁻¹ affidabilità 1,0

  “cm(cid:2)1, 1040¨1180 Acknowledgments It shows a weak peak at 1106 which is attributed to the stretching vibration of Si-O.”

  Structural characterization of β-SiC nanowires synthesized by direct heating method DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.083
• 1000 cm⁻¹ affidabilità 1,0

  “In the spectrum peaks are observed cm-1 cm-1 in the region of 1258.88 corresponding to methyl, between 1000 - 1100 a peak cm-1 corresponding to the Si-O-Si bond and a band at 792.10 characteristic of the siloxanes, confirming the presence o”

  Fabrication of a silver particle-integrated silicone polymer-covered metal stent against sludge and biofilm formation and stent-induced tissue inflammation DOI: 10.1038/srep35446
• 1009 cm⁻¹ affidabilità 1,0

  “3.3 Topographical analysis Si-O-Si modes.20 breathing The spectra display asymmetric cm(cid:1)1, stretching at 1009 which corresponds to the presence of The topographical investigation of pristine the PC, PC/FAC and PC/GFACwerestudiedbyAFM.”

  Thin film encapsulation of nano composites of polycarbonate (PC) for thermal management systems DOI: 10.1039/c4ra10183a
• 470 cm⁻¹ affidabilità 1,0

  “cm-1 The absorption bands centered at around 470, 820, 1170, 2180, and 3300 can be assigned to the Si-N symmetric stretching, Si-N asymmetric stretching, N-H bending, Si-H stretching, and NH stretching modes, respectively.”

  Evolution of Optical and Structural Properties of Silicon Nanocrystals Embedded in Silicon Nitride Films with Annealing Temperature DOI: 10.4028/www.scientific.net/JNanoR.49.163
• 721 cm⁻¹ affidabilità 1,0

  “381.74 Si-Ob-Si bending vibration 720.8 128.70 725.9 110.96 766.2”

  Theoretical and experimental study of structures and properties of cement paste: The nanostructural aspects of C–S–H DOI: 10.1016/j.jpcs.2011.05.001