Silicon hydride — FTIR-absorptionstoppar och tilldelningar

Snabbt svar

Silicon hydride tilldelas vanligtvis genom att leta efter en återkommande kluster av karakteristiska toppar snarare än ett exakt läroboksnummer. Tabellen nedan visar var litteraturen oftast placerar denna grupp i FTIR, rangordnad efter ackumulerad bevisning.

Karakteristiska FTIR-toppar för Silicon hydride

Visar de 30 bäst understödda topparna av totalt 108 för Silicon hydride.

Spektrumlogik

En funktionell grupptilldelning blir mer säker när flera förväntade band uppträder tillsammans. Använd denna sida för att hitta de starkast stödda topparna, bekräfta sedan att samma prov uppvisar ett sammanhängande mönster snarare än en enskild isolerad träff.

Användning i verkligheten

Dessa sidor är användbara för analys av okänt material, tolkning av toppar i rapporter, felsökning av polymerer och för att verifiera om en kandidatmaterialfamilj är kemiskt rimlig.

Vanliga misstag

• Använda en funktionell grupp-sida som en fullständig materialbedömning utan att kontrollera resten av spektrat.
• Antag att det starkaste bandet alltid är det mest diagnostiska.
• Att glömma att bearbetning, tillsatser, åldring och blandningar kan förskjuta eller bredda förväntade toppar.

Verifieringsråd

Använd DSC, GC-MS eller TGA när flera materialfamiljer har liknande band eller när blandningseffekter gör FTIR-tilldelningen osäker.

Litteratur bakom dessa identifieringar

• 470 cm⁻¹ förtroende 1,0

  “cm-1 The absorption bands centered at around 470, 820, 1170, 2180, and 3300 can be assigned to the Si-N symmetric stretching, Si-N asymmetric stretching, N-H bending, Si-H stretching, and NH stretching modes, respectively.”

  Benyahia 等 - 2017 - Evolution of Optical and Structural Properties of DOI: 10.4028/www.scientific.net/JNanoR.49.163
• 2110 cm⁻¹ förtroende 1,0

  “The band at 2110 corresponds to stretching vibrations of Si-H bonds [44,45].”

  Mechanical properties, chemical analysis and evaluation of antimicrobial response of Si-DLC coatings fabricated on AISI 316 LVM substrate by a multi-target DC-RF magnetron sputtering method for potential biomedical applications DOI: 10.1016/j.apsusc.2017.03.223
• 3660 cm⁻¹ förtroende 1,0

  “cm-1) cm-1) 3660 and Si-H peak (observed at 2160 417 (1997) relative to Si-O-Si peak as a function of film thickness.”

  Bougharouat 等 - 2011 - Plasma polymerization of TEOS for QCM-based VOC va DOI: 10.1051/epjap/2011110144
• 640 cm⁻¹ förtroende 1,0

  “118 Materials Engineering and Mechanical Automation cm-1, C Further, H content ( ) can be calculated according to the absorption intensity at about 640 H * C R which is due to the Si-H wagging mode [9].”

  Chen 等 - 2014 - Effect of Deposition Power on the Structure Proper DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMM.442.116
• 2940 cm⁻¹ förtroende 1,0

  “The 640 starts to appear stretching modes around 2940 mode.10,11 SC36,13 to Si-H wagging or rocking It gradually diminin and can be clearly seen in SC96 and SC100.”

  Chew 等 - 2002 - Hydrogenated amorphous silicon carbide deposition DOI: 10.1063/1.1500418
• 2159 cm⁻¹ förtroende 1,0

  “Figure 14 shows the changes in the silane peak at 2159 The silane peak did not show any intensity for neat asphalt and LPs of CRMA binders interacted at 160-10 or 160-50.”

  Effect of used motor oil as a rejuvenator on crumb rubber modifier’s released components to asphalt binder DOI: 10.1177/1477760620918600
• 2300 cm⁻¹ förtroende 1,0

  “IR-spectra of the meso-PS films the absorption between 2300 Let us consider the possible mechanisms of the formation of cm(cid:2)1 and 2000 appears due to Si-H valence vibrations.”

  Gorbanyuk 等 - 2006 - Porous silicon microstructure and composition char DOI: 10.1016/j.tsf.2005.08.188
• 490 cm⁻¹ förtroende 1,0

  “(cm(cid:2)2) K Reference Bond Mode Wavenumber (cm(cid:2)1) symmetric stretching 490 - [15] Si-N N-Si3 Si-H Si-H wag-rocking”

  Effect of PECVD silicon oxynitride film composition on the surface passivation of silicon wafers DOI: 10.1016/j.solmat.2011.09.052