Silicon hydride — пики поглощения FTIR и назначения
Это характерные волновые числа FTIR, где Silicon hydride обычно поглощает, собранные из опубликованной литературы и ранжированные по степени подтверждения. Каждое назначение привязано к источнику (DOI) и перекрестно проверено с помощью нашей базы из 130 000+ эталонных спектров и графа знаний.
Backed by 8 cited sources
Быстрый ответ
Silicon hydride обычно определяется по повторяющемуся кластеру характерных пиков, а не по одному точному числу из учебника. В таблице ниже показано, где в литературе чаще всего размещается эта группа в FTIR, ранжированная по накопленным доказательствам.
Характерные пики FTIR для Silicon hydride
| Волновое число (см⁻¹) | Подтверждающие факты | Цитируемые источники | Максимальная достоверность |
|---|---|---|---|
| 2000 | 11 | 7 | 1,0 |
| 2100 | 10 | 8 | 1,0 |
| 640 | 5 | 3 | 1,0 |
| 2160 | 4 | 3 | 1,0 |
| 2080 | 4 | 3 | 1,0 |
| 2120 | 4 | 3 | 1,0 |
| 630 | 4 | 2 | 1,0 |
| 2169 | 3 | 3 | 1,0 |
| 2159 | 3 | 3 | 1,0 |
| 620 | 3 | 2 | 1,0 |
| 2158 | 3 | 2 | 1,0 |
| 890 | 3 | 2 | 1,0 |
| 2250 | 3 | 2 | 1,0 |
| 885 | 2 | 2 | 1,0 |
| 2200 | 2 | 2 | 1,0 |
| 2109 | 2 | 2 | 1,0 |
| 2170 | 2 | 2 | 1,0 |
| 2110 | 2 | 2 | 1,0 |
| 792 | 2 | 2 | 1,0 |
| 2090 | 2 | 2 | 1,0 |
| 880 | 2 | 2 | 1,0 |
| 2148 | 2 | 2 | 1,0 |
| 2086 | 2 | 2 | 1,0 |
| 2083 | 2 | 2 | 1,0 |
| 910 | 2 | 2 | 0,9 |
| 670 | 2 | 1 | 1,0 |
| 906 | 2 | 1 | 1,0 |
| 2186 | 2 | 1 | 1,0 |
| 907 | 2 | 1 | 1,0 |
| 840 | 2 | 1 | 1,0 |
Показаны 30 наиболее подтвержденных пиков из 108 всего для Silicon hydride.
Логика спектра
Назначение функциональных групп становится более уверенным, когда несколько ожидаемых полос появляются вместе. Используйте эту страницу, чтобы найти наиболее подтвержденные пики, затем убедитесь, что тот же образец демонстрирует согласованную картину, а не единичное изолированное совпадение.
Использование в реальных условиях
Эти страницы полезны для анализа неизвестных материалов, объяснения пиков в отчетах, устранения неполадок полимеров и проверки химической обоснованности семейства материалов-кандидатов.
Распространенные ошибки
- Использование одной страницы функциональной группы как полного заключения о материале без проверки остальной части спектра.
- Предполагая, что самая сильная полоса всегда является наиболее диагностической.
- Забывая, что обработка, добавки, старение и смеси могут смещать или расширять ожидаемые пики.
Рекомендации по проверке
Используйте DSC, GC-MS или TGA, когда несколько семейств материалов имеют схожие полосы или когда эффекты смеси делают интерпретацию FTIR неопределенной.
Литература, лежащая в основе этих назначений
-
470 cm⁻¹ достоверность 1,0
“cm-1 The absorption bands centered at around 470, 820, 1170, 2180, and 3300 can be assigned to the Si-N symmetric stretching, Si-N asymmetric stretching, N-H bending, Si-H stretching, and NH stretching modes, respectively.”
Benyahia 等 - 2017 - Evolution of Optical and Structural Properties of DOI: 10.4028/www.scientific.net/JNanoR.49.163 -
2110 cm⁻¹ достоверность 1,0
“The band at 2110 corresponds to stretching vibrations of Si-H bonds [44,45].”
Mechanical properties, chemical analysis and evaluation of antimicrobial response of Si-DLC coatings fabricated on AISI 316 LVM substrate by a multi-target DC-RF magnetron sputtering method for potential biomedical applications DOI: 10.1016/j.apsusc.2017.03.223 -
3660 cm⁻¹ достоверность 1,0
“cm-1) cm-1) 3660 and Si-H peak (observed at 2160 417 (1997) relative to Si-O-Si peak as a function of film thickness.”
Bougharouat 等 - 2011 - Plasma polymerization of TEOS for QCM-based VOC va DOI: 10.1051/epjap/2011110144 -
640 cm⁻¹ достоверность 1,0
“118 Materials Engineering and Mechanical Automation cm-1, C Further, H content ( ) can be calculated according to the absorption intensity at about 640 H * C R which is due to the Si-H wagging mode [9].”
Chen 等 - 2014 - Effect of Deposition Power on the Structure Proper DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMM.442.116 -
2940 cm⁻¹ достоверность 1,0
“The 640 starts to appear stretching modes around 2940 mode.10,11 SC36,13 to Si-H wagging or rocking It gradually diminin and can be clearly seen in SC96 and SC100.”
Chew 等 - 2002 - Hydrogenated amorphous silicon carbide deposition DOI: 10.1063/1.1500418 -
2159 cm⁻¹ достоверность 1,0
“Figure 14 shows the changes in the silane peak at 2159 The silane peak did not show any intensity for neat asphalt and LPs of CRMA binders interacted at 160-10 or 160-50.”
Effect of used motor oil as a rejuvenator on crumb rubber modifier’s released components to asphalt binder DOI: 10.1177/1477760620918600 -
2300 cm⁻¹ достоверность 1,0
“IR-spectra of the meso-PS films the absorption between 2300 Let us consider the possible mechanisms of the formation of cm(cid:2)1 and 2000 appears due to Si-H valence vibrations.”
Gorbanyuk 等 - 2006 - Porous silicon microstructure and composition char DOI: 10.1016/j.tsf.2005.08.188 -
490 cm⁻¹ достоверность 1,0
“(cm(cid:2)2) K Reference Bond Mode Wavenumber (cm(cid:2)1) symmetric stretching 490 - [15] Si-N N-Si3 Si-H Si-H wag-rocking”
Effect of PECVD silicon oxynitride film composition on the surface passivation of silicon wafers DOI: 10.1016/j.solmat.2011.09.052
Посмотрите Silicon hydride в своем спектре
Загрузите свой FTIR-спектр и получите полный отчет с интерпретацией — назначение пиков с литературными ссылками, совпадения с библиотеками и анализ на основе литературы — за секунды.