Silicon hydride — Picos de absorção FTIR e atribuições

Resposta rápida

Silicon hydride é geralmente atribuído procurando por um aglomerado recorrente de picos característicos em vez de um número exato de livro-texto. A tabela abaixo mostra onde a literatura mais frequentemente coloca este grupo em FTIR, classificados por evidência acumulada.

Picos FTIR característicos para Silicon hydride

Mostrando os 30 picos mais suportados de 108 total para Silicon hydride.

Lógica do espectro

A atribuição de grupos funcionais torna-se mais confiante quando várias bandas esperadas aparecem juntas. Use esta página para encontrar os picos mais apoiados e, em seguida, confirme que a mesma amostra exibe um padrão coerente, em vez de um único hit isolado.

Uso no mundo real

Estas páginas são úteis para análise de material desconhecido, explicação de picos em relatórios, solução de problemas de polímeros e verificação se uma família de materiais candidata é quimicamente plausível.

Erros comuns

• Usar uma página de grupo funcional como veredito completo do material sem verificar o resto do espectro.
• Assumindo que a banda mais forte é sempre a mais diagnóstica.
• Esquecer que processamento, aditivos, envelhecimento e misturas podem deslocar ou alargar os picos esperados.

Conselho de verificação

Use DSC, GC-MS ou TGA quando várias famílias de materiais compartilham bandas semelhantes ou quando efeitos de mistura tornam a atribuição FTIR incerta.

Literatura por trás destas atribuições

• 470 cm⁻¹ confiança 1,0

  “cm-1 The absorption bands centered at around 470, 820, 1170, 2180, and 3300 can be assigned to the Si-N symmetric stretching, Si-N asymmetric stretching, N-H bending, Si-H stretching, and NH stretching modes, respectively.”

  Benyahia 等 - 2017 - Evolution of Optical and Structural Properties of DOI: 10.4028/www.scientific.net/JNanoR.49.163
• 2110 cm⁻¹ confiança 1,0

  “The band at 2110 corresponds to stretching vibrations of Si-H bonds [44,45].”

  Mechanical properties, chemical analysis and evaluation of antimicrobial response of Si-DLC coatings fabricated on AISI 316 LVM substrate by a multi-target DC-RF magnetron sputtering method for potential biomedical applications DOI: 10.1016/j.apsusc.2017.03.223
• 3660 cm⁻¹ confiança 1,0

  “cm-1) cm-1) 3660 and Si-H peak (observed at 2160 417 (1997) relative to Si-O-Si peak as a function of film thickness.”

  Bougharouat 等 - 2011 - Plasma polymerization of TEOS for QCM-based VOC va DOI: 10.1051/epjap/2011110144
• 640 cm⁻¹ confiança 1,0

  “118 Materials Engineering and Mechanical Automation cm-1, C Further, H content ( ) can be calculated according to the absorption intensity at about 640 H * C R which is due to the Si-H wagging mode [9].”

  Chen 等 - 2014 - Effect of Deposition Power on the Structure Proper DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMM.442.116
• 2940 cm⁻¹ confiança 1,0

  “The 640 starts to appear stretching modes around 2940 mode.10,11 SC36,13 to Si-H wagging or rocking It gradually diminin and can be clearly seen in SC96 and SC100.”

  Chew 等 - 2002 - Hydrogenated amorphous silicon carbide deposition DOI: 10.1063/1.1500418
• 2159 cm⁻¹ confiança 1,0

  “Figure 14 shows the changes in the silane peak at 2159 The silane peak did not show any intensity for neat asphalt and LPs of CRMA binders interacted at 160-10 or 160-50.”

  Effect of used motor oil as a rejuvenator on crumb rubber modifier’s released components to asphalt binder DOI: 10.1177/1477760620918600
• 2300 cm⁻¹ confiança 1,0

  “IR-spectra of the meso-PS films the absorption between 2300 Let us consider the possible mechanisms of the formation of cm(cid:2)1 and 2000 appears due to Si-H valence vibrations.”

  Gorbanyuk 等 - 2006 - Porous silicon microstructure and composition char DOI: 10.1016/j.tsf.2005.08.188
• 490 cm⁻¹ confiança 1,0

  “(cm(cid:2)2) K Reference Bond Mode Wavenumber (cm(cid:2)1) symmetric stretching 490 - [15] Si-N N-Si3 Si-H Si-H wag-rocking”

  Effect of PECVD silicon oxynitride film composition on the surface passivation of silicon wafers DOI: 10.1016/j.solmat.2011.09.052