Silicon hydride — FTIR absorbcijas pīķi un piešķīrumi

Ātra atbilde

Silicon hydride parasti tiek noteikts, meklējot atkārtotu raksturīgu virsotņu kopu, nevis vienu precīzu mācību grāmatas numuru. Zemāk esošā tabula parāda, kur literatūra visbiežāk novieto šo grupu FTIR, sarindots pēc uzkrātajiem pierādījumiem.

Raksturīgie FTIR pīķi priekš Silicon hydride

Tiek rādītas 30 vislabāk atbalstītās virsotnes no 108 kopējām Silicon hydride.

Spektra loģika

Funkcionālās grupas piešķīrums kļūst pārliecinošāks, kad kopā parādās vairākas sagaidāmās joslas. Izmantojiet šo lapu, lai atrastu visspēcīgāk atbalstītos pīķus, pēc tam apstipriniet, ka tas pats paraugs uzrāda saskaņotu modeli, nevis vienu izolētu trāpījumu.

Reālās pasaules izmantošana

Šīs lapas ir noderīgas nezināmu materiālu analīzei, pīķu skaidrošanai pārskatos, polimēru problēmu risināšanai un pārbaudei, vai kandidātmateriālu grupa ir ķīmiski ticama.

Biežākās kļūdas

• Izmantojot vienu funkcionālās grupas lapu kā pilnīgu materiāla spriedumu, nepārbaudot pārējo spektru.
• Pieņemot, ka spēcīgākā josla vienmēr ir visdiagnostiskākā.
• Aizmirstot, ka apstrāde, piedevas, novecošana un maisījumi var novirzīt vai paplašināt paredzamos pīķus.

Verifikācijas padoms

Izmantojiet DSC, GC-MS vai TGA, kad vairākas materiālu grupas dalās ar līdzīgām joslām vai kad maisījumu efekti padara FTIR piešķīrumu nenoteiktu.

Literatūra aiz šiem piešķīrumiem

• 470 cm⁻¹ pārliecība 1,0

  “cm-1 The absorption bands centered at around 470, 820, 1170, 2180, and 3300 can be assigned to the Si-N symmetric stretching, Si-N asymmetric stretching, N-H bending, Si-H stretching, and NH stretching modes, respectively.”

  Benyahia 等 - 2017 - Evolution of Optical and Structural Properties of DOI: 10.4028/www.scientific.net/JNanoR.49.163
• 2110 cm⁻¹ pārliecība 1,0

  “The band at 2110 corresponds to stretching vibrations of Si-H bonds [44,45].”

  Mechanical properties, chemical analysis and evaluation of antimicrobial response of Si-DLC coatings fabricated on AISI 316 LVM substrate by a multi-target DC-RF magnetron sputtering method for potential biomedical applications DOI: 10.1016/j.apsusc.2017.03.223
• 3660 cm⁻¹ pārliecība 1,0

  “cm-1) cm-1) 3660 and Si-H peak (observed at 2160 417 (1997) relative to Si-O-Si peak as a function of film thickness.”

  Bougharouat 等 - 2011 - Plasma polymerization of TEOS for QCM-based VOC va DOI: 10.1051/epjap/2011110144
• 640 cm⁻¹ pārliecība 1,0

  “118 Materials Engineering and Mechanical Automation cm-1, C Further, H content ( ) can be calculated according to the absorption intensity at about 640 H * C R which is due to the Si-H wagging mode [9].”

  Chen 等 - 2014 - Effect of Deposition Power on the Structure Proper DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMM.442.116
• 2940 cm⁻¹ pārliecība 1,0

  “The 640 starts to appear stretching modes around 2940 mode.10,11 SC36,13 to Si-H wagging or rocking It gradually diminin and can be clearly seen in SC96 and SC100.”

  Chew 等 - 2002 - Hydrogenated amorphous silicon carbide deposition DOI: 10.1063/1.1500418
• 2159 cm⁻¹ pārliecība 1,0

  “Figure 14 shows the changes in the silane peak at 2159 The silane peak did not show any intensity for neat asphalt and LPs of CRMA binders interacted at 160-10 or 160-50.”

  Effect of used motor oil as a rejuvenator on crumb rubber modifier’s released components to asphalt binder DOI: 10.1177/1477760620918600
• 2300 cm⁻¹ pārliecība 1,0

  “IR-spectra of the meso-PS films the absorption between 2300 Let us consider the possible mechanisms of the formation of cm(cid:2)1 and 2000 appears due to Si-H valence vibrations.”

  Gorbanyuk 等 - 2006 - Porous silicon microstructure and composition char DOI: 10.1016/j.tsf.2005.08.188
• 490 cm⁻¹ pārliecība 1,0

  “(cm(cid:2)2) K Reference Bond Mode Wavenumber (cm(cid:2)1) symmetric stretching 490 - [15] Si-N N-Si3 Si-H Si-H wag-rocking”

  Effect of PECVD silicon oxynitride film composition on the surface passivation of silicon wafers DOI: 10.1016/j.solmat.2011.09.052