Silicon hydride — FTIR吸収ピークと帰属

クイックアンサー

Silicon hydride は、教科書の正確な数値ではなく、特徴的なピークの繰り返しクラスターを探すことで通常割り当てられます。以下の表は、文献がこのグループをFTIRで最も頻繁に配置する場所を、蓄積された証拠に基づいてランク付けしたものです。

Silicon hydride の特性FTIRピーク

合計 111 個中、最も支持されている30個のピークを Silicon hydride に対して表示しています。

スペクトルロジック

複数の期待されるバンドが同時に現れると、官能基の帰属の信頼性が高まります。このページを使用して最も強く支持されるピークを見つけ、その後、同じサンプルが孤立したヒットではなく一貫したパターンを示すことを確認してください。

実使用例

これらのページは、未知材料分析、レポート内のピーク説明、ポリマートラブルシューティング、および候補材料ファミリーが化学的に妥当かどうかの検証に役立ちます。

よくある間違い

• スペクトルの残りを確認せずに、1つの官能基ページを完全な材料判定として使用すること。
• 最も強いバンドが常に最も診断的であると仮定しています。
• 加工、添加剤、経年変化、混合物が予想されるピークをシフトまたはブロードにする可能性があることを忘れている。

検証アドバイス

DSC、GC-MS、またはTGAを使用してください。複数の材料ファミリーが類似したバンドを共有する場合や、混合物の影響でFTIRの帰属が不確かな場合に適しています。

これらのアサインの根拠となる文献

• 470 cm⁻¹ 信頼度 1.0

  “cm-1 The absorption bands centered at around 470, 820, 1170, 2180, and 3300 can be assigned to the Si-N symmetric stretching, Si-N asymmetric stretching, N-H bending, Si-H stretching, and NH stretching modes, respectively.”

  Evolution of Optical and Structural Properties of Silicon Nanocrystals Embedded in Silicon Nitride Films with Annealing Temperature DOI: 10.4028/www.scientific.net/JNanoR.49.163
• 2110 cm⁻¹ 信頼度 1.0

  “The band at 2110 corresponds to stretching vibrations of Si-H bonds [44,45].”

  Mechanical properties, chemical analysis and evaluation of antimicrobial response of Si-DLC coatings fabricated on AISI 316 LVM substrate by a multi-target DC-RF magnetron sputtering method for potential biomedical applications DOI: 10.1016/j.apsusc.2017.03.223
• 3660 cm⁻¹ 信頼度 1.0

  “cm-1) cm-1) 3660 and Si-H peak (observed at 2160 417 (1997) relative to Si-O-Si peak as a function of film thickness.”

  Bougharouat 等 - 2011 - Plasma polymerization of TEOS for QCM-based VOC va DOI: 10.1051/epjap/2011110144
• 640 cm⁻¹ 信頼度 1.0

  “118 Materials Engineering and Mechanical Automation cm-1, C Further, H content ( ) can be calculated according to the absorption intensity at about 640 H * C R which is due to the Si-H wagging mode [9].”

  Effect of Deposition Power on the Structure Properties of Microcrystalline Silicon Thin Films DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMM.442.116
• 2940 cm⁻¹ 信頼度 1.0

  “The 640 starts to appear stretching modes around 2940 mode.10,11 SC36,13 to Si-H wagging or rocking It gradually diminin and can be clearly seen in SC96 and SC100.”

  Hydrogenated amorphous silicon carbide deposition using electron cyclotron resonance chemical vapor deposition under high microwave power and strong hydrogen dilution DOI: 10.1063/1.1500418
• 2300 cm⁻¹ 信頼度 1.0

  “IR-spectra of the meso-PS films the absorption between 2300 Let us consider the possible mechanisms of the formation of cm(cid:2)1 and 2000 appears due to Si-H valence vibrations.”

  Porous silicon microstructure and composition characterization depending on the formation conditions DOI: 10.1016/j.tsf.2005.08.188
• 490 cm⁻¹ 信頼度 1.0

  “(cm(cid:2)2) K Reference Bond Mode Wavenumber (cm(cid:2)1) symmetric stretching 490 - [15] Si-N N-Si3 Si-H Si-H wag-rocking”

  Effect of PECVD silicon oxynitride film composition on the surface passivation of silicon wafers DOI: 10.1016/j.solmat.2011.09.052
• 2159 cm⁻¹ 信頼度 1.0

  “Figure 14 shows the changes in the silane peak at 2159 The silane peak did not show any intensity for neat asphalt and LPs of CRMA binders interacted at 160-10 or 160-50.”

  Effect of used motor oil as a rejuvenator on crumb rubber modifier’s released components to asphalt binder DOI: 10.1177/1477760620918600