Silicon hydride — Picchi di assorbimento FTIR e assegnazioni
Questi sono i numeri d＇onda FTIR caratteristici in cui Silicon hydride tende ad assorbire, compilati dalla letteratura pubblicata e classificati per evidenze di supporto. Ogni assegnazione è tracciabile a una fonte (DOI) e convalidata incrociando i nostri oltre 130.000 spettri di riferimento e il grafico della conoscenza.
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Risposta rapida
Silicon hydride viene solitamente assegnato cercando un cluster ricorrente di picchi caratteristici piuttosto che un numero esatto da manuale. La tabella seguente mostra dove la letteratura colloca più spesso questo gruppo in FTIR, classificato per evidenza accumulata.
Picchi FTIR caratteristici per Silicon hydride
| Numero d＇onda (cm⁻¹) | Fatti di supporto | Fonti citate | Affidabilità massima |
|---|---|---|---|
| 2000 | 11 | 7 | 1,0 |
| 2100 | 10 | 8 | 1,0 |
| 640 | 5 | 3 | 1,0 |
| 2160 | 4 | 3 | 1,0 |
| 2080 | 4 | 3 | 1,0 |
| 2120 | 4 | 3 | 1,0 |
| 630 | 4 | 2 | 1,0 |
| 2169 | 3 | 3 | 1,0 |
| 2159 | 3 | 3 | 1,0 |
| 620 | 3 | 2 | 1,0 |
| 2158 | 3 | 2 | 1,0 |
| 890 | 3 | 2 | 1,0 |
| 2250 | 3 | 2 | 1,0 |
| 885 | 2 | 2 | 1,0 |
| 2200 | 2 | 2 | 1,0 |
| 2109 | 2 | 2 | 1,0 |
| 2170 | 2 | 2 | 1,0 |
| 2110 | 2 | 2 | 1,0 |
| 792 | 2 | 2 | 1,0 |
| 2090 | 2 | 2 | 1,0 |
| 880 | 2 | 2 | 1,0 |
| 2148 | 2 | 2 | 1,0 |
| 2086 | 2 | 2 | 1,0 |
| 2083 | 2 | 2 | 1,0 |
| 910 | 2 | 2 | 0,9 |
| 670 | 2 | 1 | 1,0 |
| 906 | 2 | 1 | 1,0 |
| 2186 | 2 | 1 | 1,0 |
| 907 | 2 | 1 | 1,0 |
| 840 | 2 | 1 | 1,0 |
Mostrando i 30 picchi meglio supportati su 108 totali per Silicon hydride.
Logica dello spettro
Un＇assegnazione di gruppo funzionale diventa più affidabile quando diverse bande attese appaiono insieme. Usa questa pagina per trovare i picchi più supportati, poi conferma che lo stesso campione mostra un pattern coerente piuttosto che un singolo hit isolato.
Utilizzo nel mondo reale
Queste pagine sono utili per l＇analisi di materiali sconosciuti, la spiegazione dei picchi nei rapporti, la risoluzione dei problemi dei polimeri e la verifica se una famiglia di materiali candidati è chimicamente plausibile.
Errori comuni
- Utilizzare una pagina di gruppo funzionale come verdetto completo del materiale senza controllare il resto dello spettro.
- Supponendo che la banda più forte sia sempre la più diagnostica.
- Dimenticare che la lavorazione, gli additivi, l＇invecchiamento e le miscele possono spostare o allargare i picchi attesi.
Consiglio di verifica
Utilizzare DSC, GC-MS o TGA quando più famiglie di materiali condividono bande simili o quando gli effetti di miscela rendono incerta l＇assegnazione FTIR.
Letteratura dietro queste assegnazioni
-
470 cm⁻¹ affidabilità 1,0
“cm-1 The absorption bands centered at around 470, 820, 1170, 2180, and 3300 can be assigned to the Si-N symmetric stretching, Si-N asymmetric stretching, N-H bending, Si-H stretching, and NH stretching modes, respectively.”
Benyahia 等 - 2017 - Evolution of Optical and Structural Properties of DOI: 10.4028/www.scientific.net/JNanoR.49.163 -
2110 cm⁻¹ affidabilità 1,0
“The band at 2110 corresponds to stretching vibrations of Si-H bonds [44,45].”
Mechanical properties, chemical analysis and evaluation of antimicrobial response of Si-DLC coatings fabricated on AISI 316 LVM substrate by a multi-target DC-RF magnetron sputtering method for potential biomedical applications DOI: 10.1016/j.apsusc.2017.03.223 -
3660 cm⁻¹ affidabilità 1,0
“cm-1) cm-1) 3660 and Si-H peak (observed at 2160 417 (1997) relative to Si-O-Si peak as a function of film thickness.”
Bougharouat 等 - 2011 - Plasma polymerization of TEOS for QCM-based VOC va DOI: 10.1051/epjap/2011110144 -
640 cm⁻¹ affidabilità 1,0
“118 Materials Engineering and Mechanical Automation cm-1, C Further, H content ( ) can be calculated according to the absorption intensity at about 640 H * C R which is due to the Si-H wagging mode [9].”
Chen 等 - 2014 - Effect of Deposition Power on the Structure Proper DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMM.442.116 -
2940 cm⁻¹ affidabilità 1,0
“The 640 starts to appear stretching modes around 2940 mode.10,11 SC36,13 to Si-H wagging or rocking It gradually diminin and can be clearly seen in SC96 and SC100.”
Chew 等 - 2002 - Hydrogenated amorphous silicon carbide deposition DOI: 10.1063/1.1500418 -
2159 cm⁻¹ affidabilità 1,0
“Figure 14 shows the changes in the silane peak at 2159 The silane peak did not show any intensity for neat asphalt and LPs of CRMA binders interacted at 160-10 or 160-50.”
Effect of used motor oil as a rejuvenator on crumb rubber modifier’s released components to asphalt binder DOI: 10.1177/1477760620918600 -
2300 cm⁻¹ affidabilità 1,0
“IR-spectra of the meso-PS films the absorption between 2300 Let us consider the possible mechanisms of the formation of cm(cid:2)1 and 2000 appears due to Si-H valence vibrations.”
Gorbanyuk 等 - 2006 - Porous silicon microstructure and composition char DOI: 10.1016/j.tsf.2005.08.188 -
490 cm⁻¹ affidabilità 1,0
“(cm(cid:2)2) K Reference Bond Mode Wavenumber (cm(cid:2)1) symmetric stretching 490 - [15] Si-N N-Si3 Si-H Si-H wag-rocking”
Effect of PECVD silicon oxynitride film composition on the surface passivation of silicon wafers DOI: 10.1016/j.solmat.2011.09.052
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