Hydrure de silicium — Pics d＇absorption FTIR et attributions
Ce sont les nombres d＇onde FTIR caractéristiques où Hydrure de silicium a tendance à absorber, compilés à partir de la littérature publiée et classés par preuves à l＇appui. Chaque attribution est traçable jusqu＇à une source (DOI) et recoupée avec nos plus de 130 000 spectres de référence et notre graphe de connaissances.
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Réponse rapide
Hydrure de silicium est généralement attribué en recherchant un groupe récurrent de pics caractéristiques plutôt qu＇un numéro exact de manuel. Le tableau ci-dessous montre où la littérature place le plus souvent ce groupe en FTIR, classé par preuves accumulées.
Pics FTIR caractéristiques pour Hydrure de silicium
| Nombre d＇onde (cm⁻¹) | Faits à l＇appui | Sources citées | Confiance maximale |
|---|---|---|---|
| 2000 | 11 | 7 | 1,0 |
| 2100 | 10 | 8 | 1,0 |
| 640 | 5 | 3 | 1,0 |
| 2160 | 4 | 3 | 1,0 |
| 2080 | 4 | 3 | 1,0 |
| 2120 | 4 | 3 | 1,0 |
| 630 | 4 | 2 | 1,0 |
| 2169 | 3 | 3 | 1,0 |
| 2159 | 3 | 3 | 1,0 |
| 620 | 3 | 2 | 1,0 |
| 2158 | 3 | 2 | 1,0 |
| 890 | 3 | 2 | 1,0 |
| 2250 | 3 | 2 | 1,0 |
| 885 | 2 | 2 | 1,0 |
| 2200 | 2 | 2 | 1,0 |
| 2109 | 2 | 2 | 1,0 |
| 2170 | 2 | 2 | 1,0 |
| 2110 | 2 | 2 | 1,0 |
| 792 | 2 | 2 | 1,0 |
| 2090 | 2 | 2 | 1,0 |
| 880 | 2 | 2 | 1,0 |
| 2148 | 2 | 2 | 1,0 |
| 2086 | 2 | 2 | 1,0 |
| 2083 | 2 | 2 | 1,0 |
| 910 | 2 | 2 | 0,9 |
| 670 | 2 | 1 | 1,0 |
| 906 | 2 | 1 | 1,0 |
| 2186 | 2 | 1 | 1,0 |
| 907 | 2 | 1 | 1,0 |
| 840 | 2 | 1 | 1,0 |
Affichage des 30 pics les mieux soutenus sur 108 au total pour Hydrure de silicium.
Logique du spectre
Une attribution de groupe fonctionnel devient plus fiable lorsque plusieurs bandes attendues apparaissent ensemble. Utilisez cette page pour trouver les pics les mieux soutenus, puis confirmez que le même échantillon présente un motif cohérent plutôt qu＇un seul résultat isolé.
Utilisation réelle
Ces pages sont utiles pour l＇analyse de matériaux inconnus, l＇explication des pics dans les rapports, le dépannage des polymères et la vérification de la plausibilité chimique d＇une famille de matériaux candidate.
Erreurs courantes
- Utiliser une page de groupe fonctionnel comme verdict complet du matériau sans vérifier le reste du spectre.
- En supposant que la bande la plus forte est toujours la plus diagnostique.
- Oublier que le traitement, les additifs, le vieillissement et les mélanges peuvent décaler ou élargir les pics attendus.
Conseil de vérification
Utilisez DSC, GC-MS ou TGA lorsque plusieurs familles de matériaux partagent des bandes similaires ou lorsque les effets de mélange rendent l＇attribution FTIR incertaine.
Bibliographie derrière ces attributions
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470 cm⁻¹ confiance 1,0
“cm-1 Les bandes d＇absorption centrées autour de 470, 820, 1170, 2180, et 3300 peuvent être attribuées aux modes d＇étirement symétrique Si-N, étirement asymétrique Si-N, flexion N-H, étirement Si-H, et étirement NH, respectivement.”
Benyahia 等 - 2017 - Evolution of Optical and Structural Properties of DOI: 10.4028/www.scientific.net/JNanoR.49.163 -
2110 cm⁻¹ confiance 1,0
“La bande à 2110 correspond aux vibrations d＇étirement des liaisons Si-H [44,45].”
Mechanical properties, chemical analysis and evaluation of antimicrobial response of Si-DLC coatings fabricated on AISI 316 LVM substrate by a multi-target DC-RF magnetron sputtering method for potential biomedical applications DOI: 10.1016/j.apsusc.2017.03.223 -
3660 cm⁻¹ confiance 1,0
“cm-1) cm-1) 3660 et pic Si-H (observé à 2160 417 (1997) par rapport au pic Si-O-Si en fonction de l＇épaisseur du film.”
Bougharouat 等 - 2011 - Plasma polymerization of TEOS for QCM-based VOC va DOI: 10.1051/epjap/2011110144 -
640 cm⁻¹ confiance 1,0
“118 Materials Engineering and Mechanical Automation cm-1, C De plus, la teneur en H ( ) peut être calculée selon l＇intensité d＇absorption à environ 640 H * C R qui est due au mode de balancement Si-H [9].”
Chen 等 - 2014 - Effect of Deposition Power on the Structure Proper DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMM.442.116 -
2940 cm⁻¹ confiance 1,0
“Le 640 commence à apparaître des modes d＇étirement autour du mode 2940.10,11 SC36,13 vers Si-H cisaillement ou balancement. Il diminue progressivement et peut être clairement observé dans SC96 et SC100.”
Chew 等 - 2002 - Hydrogenated amorphous silicon carbide deposition DOI: 10.1063/1.1500418 -
2159 cm⁻¹ confiance 1,0
“La figure 14 montre les changements dans le pic de silane à 2159 Le pic de silane n＇a montré aucune intensité pour l＇asphalte pur et les LP des liants CRMA ont interagi à 160-10 ou 160-50.”
Effect of used motor oil as a rejuvenator on crumb rubber modifier’s released components to asphalt binder DOI: 10.1177/1477760620918600 -
2300 cm⁻¹ confiance 1,0
“Les spectres IR des films de méso-PS l＇absorption entre 2300 Considérons les mécanismes possibles de la formation de cm(cid:2)1 et 2000 apparaît due aux vibrations de valence Si-H.”
Gorbanyuk 等 - 2006 - Porous silicon microstructure and composition char DOI: 10.1016/j.tsf.2005.08.188 -
490 cm⁻¹ confiance 1,0
“(cm(cid:2)2) K Reference Bond Mode Wavenumber (cm(cid:2)1) symmetric stretching 490 - [15] Si-N N-Si3 Si-H Si-H wag-rocking”
Effect of PECVD silicon oxynitride film composition on the surface passivation of silicon wafers DOI: 10.1016/j.solmat.2011.09.052
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