Silicon hydride — FTIR-Absorptionspeaks und Zuordnungen
Dies sind die charakteristischen FTIR-Wellenzahlen, bei denen Silicon hydride tendenziell absorbiert. Sie wurden aus veröffentlichter Literatur zusammengestellt und nach der unterstützenden Evidenz geordnet. Jede Zuordnung ist bis zu einer Quelle (DOI) rückverfolgbar und wurde anhand unserer 320,000+ Referenzspektren und unseres Wissensgraphen kreuzvalidiert.
Gestützt durch 8 zitierte Quellen
Schnelle Antwort
Silicon hydride wird normalerweise durch die Suche nach einem wiederkehrenden Cluster charakteristischer Peaks zugeordnet, nicht nach einer exakten Lehrbuchzahl. Die folgende Tabelle zeigt, wo die Literatur diese Gruppe am häufigsten im FTIR platziert, geordnet nach gesammelten Belegen.
Charakteristische FTIR-Peaks für Silicon hydride
| Wellenzahl (cm⁻¹) | Unterstützende Fakten | Zitierte Quellen | Höchstes Vertrauen |
|---|---|---|---|
| 2100 | 11 | 9 | 1,0 |
| 2000 | 11 | 7 | 1,0 |
| 2160 | 4 | 3 | 1,0 |
| 2080 | 4 | 3 | 1,0 |
| 640 | 4 | 3 | 1,0 |
| 630 | 4 | 2 | 1,0 |
| 620 | 4 | 2 | 1,0 |
| 2169 | 3 | 3 | 1,0 |
| 2159 | 3 | 3 | 1,0 |
| 2158 | 3 | 2 | 1,0 |
| 890 | 3 | 2 | 1,0 |
| 2250 | 3 | 2 | 1,0 |
| 2120 | 3 | 2 | 1,0 |
| 885 | 2 | 2 | 1,0 |
| 2200 | 2 | 2 | 1,0 |
| 2109 | 2 | 2 | 1,0 |
| 2170 | 2 | 2 | 1,0 |
| 2110 | 2 | 2 | 1,0 |
| 792 | 2 | 2 | 1,0 |
| 2090 | 2 | 2 | 1,0 |
| 880 | 2 | 2 | 1,0 |
| 2140 | 2 | 2 | 1,0 |
| 2148 | 2 | 2 | 1,0 |
| 2086 | 2 | 2 | 1,0 |
| 2083 | 2 | 2 | 1,0 |
| 670 | 2 | 1 | 1,0 |
| 906 | 2 | 1 | 1,0 |
| 2186 | 2 | 1 | 1,0 |
| 907 | 2 | 1 | 1,0 |
| 840 | 2 | 1 | 1,0 |
Zeigt die 30 am besten gestützten Peaks von insgesamt 111 für Silicon hydride an.
Spektrumslogik
Eine funktionelle Gruppen-Zuordnung wird sicherer, wenn mehrere erwartete Banden gemeinsam auftreten. Verwenden Sie diese Seite, um die am stärksten gestützten Peaks zu finden, und bestätigen Sie dann, dass dieselbe Probe ein kohärentes Muster und nicht einen einzelnen isolierten Treffer aufweist.
Praktische Anwendung
Diese Seiten sind nützlich für die Analyse unbekannter Materialien, die Erklärung von Peaks in Berichten, die Fehlerbehebung bei Polymeren und die Überprüfung, ob eine in Frage kommende Materialfamilie chemisch plausibel ist.
Häufige Fehler
- Verwendung einer Seite für funktionelle Gruppen als vollständiges Materialurteil, ohne den Rest des Spektrums zu überprüfen.
- Annahme, dass die stärkste Bande immer die diagnostischste ist.
- Vergessen, dass Verarbeitung, Zusatzstoffe, Alterung und Mischungen erwartete Peaks verschieben oder verbreitern können.
Beratung zur Verifizierung
Verwenden Sie DSC, GC-MS oder TGA, wenn mehrere Materialfamilien ähnliche Banden aufweisen oder wenn Mischeffekte die FTIR-Zuordnung unsicher machen.
Literatur hinter diesen Zuweisungen
-
470 cm⁻¹ Vertrauen 1,0
“cm-1 The absorption bands centered at around 470, 820, 1170, 2180, and 3300 can be assigned to the Si-N symmetric stretching, Si-N asymmetric stretching, N-H bending, Si-H stretching, and NH stretching modes, respectively.”
Evolution of Optical and Structural Properties of Silicon Nanocrystals Embedded in Silicon Nitride Films with Annealing Temperature DOI: 10.4028/www.scientific.net/JNanoR.49.163 -
2110 cm⁻¹ Vertrauen 1,0
“The band at 2110 corresponds to stretching vibrations of Si-H bonds [44,45].”
Mechanical properties, chemical analysis and evaluation of antimicrobial response of Si-DLC coatings fabricated on AISI 316 LVM substrate by a multi-target DC-RF magnetron sputtering method for potential biomedical applications DOI: 10.1016/j.apsusc.2017.03.223 -
3660 cm⁻¹ Vertrauen 1,0
“cm-1) cm-1) 3660 and Si-H peak (observed at 2160 417 (1997) relative to Si-O-Si peak as a function of film thickness.”
Bougharouat 等 - 2011 - Plasma polymerization of TEOS for QCM-based VOC va DOI: 10.1051/epjap/2011110144 -
640 cm⁻¹ Vertrauen 1,0
“118 Materials Engineering and Mechanical Automation cm-1, C Further, H content ( ) can be calculated according to the absorption intensity at about 640 H * C R which is due to the Si-H wagging mode [9].”
Effect of Deposition Power on the Structure Properties of Microcrystalline Silicon Thin Films DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMM.442.116 -
2940 cm⁻¹ Vertrauen 1,0
“The 640 starts to appear stretching modes around 2940 mode.10,11 SC36,13 to Si-H wagging or rocking It gradually diminin and can be clearly seen in SC96 and SC100.”
Hydrogenated amorphous silicon carbide deposition using electron cyclotron resonance chemical vapor deposition under high microwave power and strong hydrogen dilution DOI: 10.1063/1.1500418 -
2300 cm⁻¹ Vertrauen 1,0
“IR-spectra of the meso-PS films the absorption between 2300 Let us consider the possible mechanisms of the formation of cm(cid:2)1 and 2000 appears due to Si-H valence vibrations.”
Porous silicon microstructure and composition characterization depending on the formation conditions DOI: 10.1016/j.tsf.2005.08.188 -
490 cm⁻¹ Vertrauen 1,0
“(cm(cid:2)2) K Reference Bond Mode Wavenumber (cm(cid:2)1) symmetric stretching 490 - [15] Si-N N-Si3 Si-H Si-H wag-rocking”
Effect of PECVD silicon oxynitride film composition on the surface passivation of silicon wafers DOI: 10.1016/j.solmat.2011.09.052 -
2159 cm⁻¹ Vertrauen 1,0
“Figure 14 shows the changes in the silane peak at 2159 The silane peak did not show any intensity for neat asphalt and LPs of CRMA binders interacted at 160-10 or 160-50.”
Effect of used motor oil as a rejuvenator on crumb rubber modifier’s released components to asphalt binder DOI: 10.1177/1477760620918600
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