Silicon hydride — FTIR শোষণ পিক এবং অ্যাসাইনমেন্ট
এগুলো হলো বৈশিষ্ট্যপূর্ণ FTIR ওয়েভনাম্বর, যেখানে Silicon hydride সাধারণত শোষণ করতে প্রবণ, যা প্রকাশিত সাহিত্য থেকে সংকলিত এবং সহায়ক প্রমাণের ভিত্তিতে র্যাঙ্ক করা হয়েছে। প্রতিটি অ্যাসাইনমেন্ট একটি উৎস (DOI)-এর সঙ্গে ট্রেসযোগ্য এবং আমাদের 320,000+টি রেফারেন্স স্পেকট্রাম ও নলেজ গ্রাফের বিরুদ্ধে ক্রস-ভ্যালিডেট করা হয়েছে।
8টি উদ্ধৃত উৎস দ্বারা সমর্থিত
দ্রুত উত্তর
Silicon hydride সাধারণত একটি নির্দিষ্ট পাঠ্যপুস্তকের সংখ্যার পরিবর্তে বৈশিষ্ট্যপূর্ণ পিকের পুনরাবৃত্ত ক্লাস্টার খুঁজে নির্ধারণ করা হয়। নীচের সারণীটি দেখায় যে সাহিত্যে এই গ্রুপটি FTIR-এ সবচেয়ে বেশি কোথায় রাখে, সঞ্চিত প্রমাণ অনুযায়ী র্যাঙ্ক করা।
Silicon hydride-এর জন্য বৈশিষ্ট্যযুক্ত FTIR পিক
| তরঙ্গসংখ্যা (cm⁻¹) | সমর্থনকারী তথ্য | উদ্ধৃত সূত্র | সর্বোচ্চ আত্মবিশ্বাস |
|---|---|---|---|
| 2100 | 11 | 9 | 1.0 |
| 2000 | 11 | 7 | 1.0 |
| 2160 | 4 | 3 | 1.0 |
| 2080 | 4 | 3 | 1.0 |
| 640 | 4 | 3 | 1.0 |
| 630 | 4 | 2 | 1.0 |
| 620 | 4 | 2 | 1.0 |
| 2169 | 3 | 3 | 1.0 |
| 2159 | 3 | 3 | 1.0 |
| 2158 | 3 | 2 | 1.0 |
| 890 | 3 | 2 | 1.0 |
| 2250 | 3 | 2 | 1.0 |
| 2120 | 3 | 2 | 1.0 |
| 885 | 2 | 2 | 1.0 |
| 2200 | 2 | 2 | 1.0 |
| 2109 | 2 | 2 | 1.0 |
| 2170 | 2 | 2 | 1.0 |
| 2110 | 2 | 2 | 1.0 |
| 792 | 2 | 2 | 1.0 |
| 2090 | 2 | 2 | 1.0 |
| 880 | 2 | 2 | 1.0 |
| 2140 | 2 | 2 | 1.0 |
| 2148 | 2 | 2 | 1.0 |
| 2086 | 2 | 2 | 1.0 |
| 2083 | 2 | 2 | 1.0 |
| 670 | 2 | 1 | 1.0 |
| 906 | 2 | 1 | 1.0 |
| 2186 | 2 | 1 | 1.0 |
| 907 | 2 | 1 | 1.0 |
| 840 | 2 | 1 | 1.0 |
Showing the 30 best-supported peaks of 111 total for Silicon hydride.
স্পেকট্রাম লজিক
যখন বেশ কয়েকটি প্রত্যাশিত ব্যান্ড একসাথে দেখা যায় তখন একটি কার্যকরী-গ্রুপ নির্ধারণ আরও আত্মবিশ্বাসী হয়। এই পৃষ্ঠাটি ব্যবহার করে সবচেয়ে শক্তিশালী সমর্থিত শিখরগুলি খুঁজুন, তারপর নিশ্চিত করুন যে একই নমুনা একটি একক বিচ্ছিন্ন হিটের পরিবর্তে একটি সুসংগত প্যাটার্ন প্রদর্শন করে।
বাস্তব বিশ্বের ব্যবহার
এই পৃষ্ঠাগুলি অজানা উপাদান বিশ্লেষণ, প্রতিবেদনে শিখর ব্যাখ্যা, পলিমার সমস্যা সমাধান এবং একটি প্রার্থী উপাদান পরিবার রাসায়নিকভাবে সম্ভাব্য কিনা তা যাচাই করার জন্য দরকারী।
সাধারণ ভুল
- বর্ণালীর বাকি অংশ না দেখে একটি কার্যকরী-গ্রুপ পৃষ্ঠাকে সম্পূর্ণ উপাদান রায় হিসেবে ব্যবহার করা।
- ধরে নেওয়া হচ্ছে যে সবচেয়ে শক্তিশালী ব্যান্ডটি সর্বদা সবচেয়ে ডায়াগনস্টিক।
- ভুলে যাওয়া যে প্রক্রিয়াজাতকরণ, সংযোজন, বার্ধক্য এবং মিশ্রণ প্রত্যাশিত শিখর সরাতে বা প্রশস্ত করতে পারে।
পরামর্শ যাচাই
যখন একাধিক উপাদান পরিবার একই রকম ব্যান্ড শেয়ার করে বা যখন মিশ্রণ প্রভাব FTIR নির্ধারণকে অনিশ্চিত করে, তখন DSC, GC-MS, বা TGA ব্যবহার করুন।
এই অ্যাসাইনমেন্টগুলোর পেছনে সাহিত্য
-
470 cm⁻¹ আত্মবিশ্বাস 1.0
“cm-1 The absorption bands centered at around 470, 820, 1170, 2180, and 3300 can be assigned to the Si-N symmetric stretching, Si-N asymmetric stretching, N-H bending, Si-H stretching, and NH stretching modes, respectively.”
Evolution of Optical and Structural Properties of Silicon Nanocrystals Embedded in Silicon Nitride Films with Annealing Temperature DOI: 10.4028/www.scientific.net/JNanoR.49.163 -
2110 cm⁻¹ আত্মবিশ্বাস 1.0
“The band at 2110 corresponds to stretching vibrations of Si-H bonds [44,45].”
Mechanical properties, chemical analysis and evaluation of antimicrobial response of Si-DLC coatings fabricated on AISI 316 LVM substrate by a multi-target DC-RF magnetron sputtering method for potential biomedical applications DOI: 10.1016/j.apsusc.2017.03.223 -
3660 cm⁻¹ আত্মবিশ্বাস 1.0
“cm-1) cm-1) 3660 and Si-H peak (observed at 2160 417 (1997) relative to Si-O-Si peak as a function of film thickness.”
Bougharouat 等 - 2011 - Plasma polymerization of TEOS for QCM-based VOC va DOI: 10.1051/epjap/2011110144 -
640 cm⁻¹ আত্মবিশ্বাস 1.0
“118 Materials Engineering and Mechanical Automation cm-1, C Further, H content ( ) can be calculated according to the absorption intensity at about 640 H * C R which is due to the Si-H wagging mode [9].”
Effect of Deposition Power on the Structure Properties of Microcrystalline Silicon Thin Films DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMM.442.116 -
2940 cm⁻¹ আত্মবিশ্বাস 1.0
“The 640 starts to appear stretching modes around 2940 mode.10,11 SC36,13 to Si-H wagging or rocking It gradually diminin and can be clearly seen in SC96 and SC100.”
Hydrogenated amorphous silicon carbide deposition using electron cyclotron resonance chemical vapor deposition under high microwave power and strong hydrogen dilution DOI: 10.1063/1.1500418 -
2300 cm⁻¹ আত্মবিশ্বাস 1.0
“IR-spectra of the meso-PS films the absorption between 2300 Let us consider the possible mechanisms of the formation of cm(cid:2)1 and 2000 appears due to Si-H valence vibrations.”
Porous silicon microstructure and composition characterization depending on the formation conditions DOI: 10.1016/j.tsf.2005.08.188 -
490 cm⁻¹ আত্মবিশ্বাস 1.0
“(cm(cid:2)2) K Reference Bond Mode Wavenumber (cm(cid:2)1) symmetric stretching 490 - [15] Si-N N-Si3 Si-H Si-H wag-rocking”
Effect of PECVD silicon oxynitride film composition on the surface passivation of silicon wafers DOI: 10.1016/j.solmat.2011.09.052 -
2159 cm⁻¹ আত্মবিশ্বাস 1.0
“Figure 14 shows the changes in the silane peak at 2159 The silane peak did not show any intensity for neat asphalt and LPs of CRMA binders interacted at 160-10 or 160-50.”
Effect of used motor oil as a rejuvenator on crumb rubber modifier’s released components to asphalt binder DOI: 10.1177/1477760620918600
আপনার নিজের স্পেকট্রামে Silicon hydride দেখুন
আপনার FTIR স্পেকট্রাম আপলোড করুন এবং সেকেন্ডের মধ্যে একটি সম্পূর্ণ ব্যাখ্যা প্রতিবেদন পান — সাহিত্য উদ্ধৃতি সহ শীর্ষ নির্ধারণ, লাইব্রেরি ম্যাচ এবং সাহিত্য-সমর্থিত বিশ্লেষণ।