Silicon carbon — FTIR-absorptionstoppar och tilldelningar

Snabbt svar

Silicon carbon tilldelas vanligtvis genom att leta efter en återkommande kluster av karakteristiska toppar snarare än ett exakt läroboksnummer. Tabellen nedan visar var litteraturen oftast placerar denna grupp i FTIR, rangordnad efter ackumulerad bevisning.

Karakteristiska FTIR-toppar för Silicon carbon

Visar de 30 bäst understödda topparna av totalt 129 för Silicon carbon.

Möjliga material

Spektrumlogik

En funktionell grupptilldelning blir mer säker när flera förväntade band uppträder tillsammans. Använd denna sida för att hitta de starkast stödda topparna, bekräfta sedan att samma prov uppvisar ett sammanhängande mönster snarare än en enskild isolerad träff.

Användning i verkligheten

Dessa sidor är användbara för analys av okänt material, tolkning av toppar i rapporter, felsökning av polymerer och för att verifiera om en kandidatmaterialfamilj är kemiskt rimlig.

Vanliga misstag

• Använda en funktionell grupp-sida som en fullständig materialbedömning utan att kontrollera resten av spektrat.
• Antag att det starkaste bandet alltid är det mest diagnostiska.
• Att glömma att bearbetning, tillsatser, åldring och blandningar kan förskjuta eller bredda förväntade toppar.

Verifieringsråd

Använd DSC, GC-MS eller TGA när flera materialfamiljer har liknande band eller när blandningseffekter gör FTIR-tilldelningen osäker.

Litteratur bakom dessa identifieringar

• 796 cm⁻¹ förtroende 1,0

  “Raman spectra showed two characteristic peaks at 796 and 968 which are corresponding to transversal h-SiC, optic mode and longitudinal optic mode of respectively.”

  Baek 等 - 2006 - Structural characterization of beta-SiC nanowires DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.083
• 2900 cm⁻¹ förtroende 1,0

  “LLM confirmed rule peak-group candidate”

  Bhagat 等 - 2007 - Rapid synthesis of water-glass based aerogels by i DOI: 10.1016/j.apsusc.2006.07.016
• 820 cm⁻¹ förtroende 1,0

  “The spectra exhibit transmission peaks at around 820, 1060 and 1270 corresponding to Si-O bending, Si-O and Si-CH stretching, respectively [4].”

  Chabane 等 - 2009 - Characterization of SiOF thin films deposited by P DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.609.59
• 961 cm⁻¹ förtroende 1,0

  “2 3 3 cm-1, cm-1 cm-1, SiOCH 2CH at 1390 SiOC symmetric stretch at 961 and SiC stretch at 789 are”

  Chen 等 - 2007 - Structural characterization and corrosion properti DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.546-549.1111
• 1260 cm⁻¹ förtroende 1,0

  “Due to LiTFSI/ PSx interactions, a slight shifting of 1260cm-1 atῦ Si-CH bending mode = to higher wavenumbers was membrane due to stiffening.”

  Cznotka 等 - 2016 - Characterization of semi-interpenetrating polymer DOI: 10.1016/j.ssi.2016.02.016
• 1200 cm⁻¹ förtroende 1,0

  “sic absorption band of chitosan at 1200 950 is less intense”

  New versatile approach for analysis of PEG content in conjugates and complexes with biomacromolecules based on FTIR spectroscopy. DOI: 10.1016/j.colsurfb.2016.01.030
• 1200 cm⁻¹ förtroende 1,0

  “1200cm-1, carbonyl species, closed to the surface, can interact via hydroaround and Si-C stretching contribute to the envegen bonding with a Si-H lowering its stretching frequency.”

  Giovannozzi 和 Rocchia - 2008 - Effect of the reaction time, reagent concentration DOI: 10.1016/j.snb.2007.10.043
• 780 cm⁻¹ förtroende 1,0

  “cm-1 bond with n=1,2,3 at ~640 [13], Si-C stretching bond cm-1 cm-1 at ~780 [12], SiH bending at ~900 [12] and C-H Table 1 Fluxes of H and B 2H used.”

  Si and SiC nanocrystals in an amorphous SiC matrix: Formation and electrical properties DOI: 10.1002/pssc.201000176