Silicon carbon — пики поглощения FTIR и назначения

Быстрый ответ

Silicon carbon обычно определяется по повторяющемуся кластеру характерных пиков, а не по одному точному числу из учебника. В таблице ниже показано, где в литературе чаще всего размещается эта группа в FTIR, ранжированная по накопленным доказательствам.

Характерные пики FTIR для Silicon carbon

Показаны 30 наиболее подтвержденных пиков из 129 всего для Silicon carbon.

Возможные материалы

Логика спектра

Назначение функциональных групп становится более уверенным, когда несколько ожидаемых полос появляются вместе. Используйте эту страницу, чтобы найти наиболее подтвержденные пики, затем убедитесь, что тот же образец демонстрирует согласованную картину, а не единичное изолированное совпадение.

Использование в реальных условиях

Эти страницы полезны для анализа неизвестных материалов, объяснения пиков в отчетах, устранения неполадок полимеров и проверки химической обоснованности семейства материалов-кандидатов.

Распространенные ошибки

• Использование одной страницы функциональной группы как полного заключения о материале без проверки остальной части спектра.
• Предполагая, что самая сильная полоса всегда является наиболее диагностической.
• Забывая, что обработка, добавки, старение и смеси могут смещать или расширять ожидаемые пики.

Рекомендации по проверке

Используйте DSC, GC-MS или TGA, когда несколько семейств материалов имеют схожие полосы или когда эффекты смеси делают интерпретацию FTIR неопределенной.

Литература, лежащая в основе этих назначений

• 796 cm⁻¹ достоверность 1,0

  “Raman spectra showed two characteristic peaks at 796 and 968 which are corresponding to transversal h-SiC, optic mode and longitudinal optic mode of respectively.”

  Baek 等 - 2006 - Structural characterization of beta-SiC nanowires DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.083
• 2900 cm⁻¹ достоверность 1,0

  “LLM confirmed rule peak-group candidate”

  Bhagat 等 - 2007 - Rapid synthesis of water-glass based aerogels by i DOI: 10.1016/j.apsusc.2006.07.016
• 820 cm⁻¹ достоверность 1,0

  “The spectra exhibit transmission peaks at around 820, 1060 and 1270 corresponding to Si-O bending, Si-O and Si-CH stretching, respectively [4].”

  Chabane 等 - 2009 - Characterization of SiOF thin films deposited by P DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.609.59
• 961 cm⁻¹ достоверность 1,0

  “2 3 3 cm-1, cm-1 cm-1, SiOCH 2CH at 1390 SiOC symmetric stretch at 961 and SiC stretch at 789 are”

  Chen 等 - 2007 - Structural characterization and corrosion properti DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.546-549.1111
• 1260 cm⁻¹ достоверность 1,0

  “Due to LiTFSI/ PSx interactions, a slight shifting of 1260cm-1 atῦ Si-CH bending mode = to higher wavenumbers was membrane due to stiffening.”

  Cznotka 等 - 2016 - Characterization of semi-interpenetrating polymer DOI: 10.1016/j.ssi.2016.02.016
• 1200 cm⁻¹ достоверность 1,0

  “sic absorption band of chitosan at 1200 950 is less intense”

  New versatile approach for analysis of PEG content in conjugates and complexes with biomacromolecules based on FTIR spectroscopy. DOI: 10.1016/j.colsurfb.2016.01.030
• 1200 cm⁻¹ достоверность 1,0

  “1200cm-1, carbonyl species, closed to the surface, can interact via hydroaround and Si-C stretching contribute to the envegen bonding with a Si-H lowering its stretching frequency.”

  Giovannozzi 和 Rocchia - 2008 - Effect of the reaction time, reagent concentration DOI: 10.1016/j.snb.2007.10.043
• 780 cm⁻¹ достоверность 1,0

  “cm-1 bond with n=1,2,3 at ~640 [13], Si-C stretching bond cm-1 cm-1 at ~780 [12], SiH bending at ~900 [12] and C-H Table 1 Fluxes of H and B 2H used.”

  Si and SiC nanocrystals in an amorphous SiC matrix: Formation and electrical properties DOI: 10.1002/pssc.201000176