Siliciu carbon — Vârfuri de absorbție FTIR și atribuiri

Răspuns rapid

Siliciu carbon este de obicei atribuit prin căutarea unui grup recurent de vârfuri caracteristice, mai degrabă decât a unui număr exact din manual. Tabelul de mai jos arată unde literatura de specialitate plasează cel mai des acest grup în FTIR, clasificat în funcție de dovezile acumulate.

Vârfuri FTIR caracteristice pentru Siliciu carbon

Se afișează cele 30 de vârfuri cel mai bine susținute din totalul de 129 pentru Siliciu carbon.

Materiale posibile

Logica spectrului

O atribuire a grupului funcțional devine mai sigură atunci când mai multe benzi așteptate apar împreună. Utilizați această pagină pentru a găsi vârfurile cel mai bine susținute, apoi confirmați că aceeași probă prezintă un model coerent, mai degrabă decât o singură lovitură izolată.

Utilizare în condiții reale

Aceste pagini sunt utile pentru analiza materialelor necunoscute, explicarea vârfurilor în rapoarte, depanarea polimerilor și verificarea dacă o familie de materiale candidate este chimic plauzibilă.

Greșeli comune

• Utilizarea unei pagini de grup funcțional ca verdict complet al materialului fără a verifica restul spectrului.
• Presupunând că banda cea mai puternică este întotdeauna cea mai diagnostică.
• Uitând că prelucrarea, aditivii, îmbătrânirea și amestecurile pot deplasa sau lărgi vârfurile așteptate.

Sfat de verificare

Utilizați DSC, GC-MS sau TGA atunci când mai multe familii de materiale împărtășesc benzi similare sau când efectele de amestec fac incertă atribuirea FTIR.

Literatura din spatele acestor atribuiri

• 796 cm⁻¹ încredere 1,0

  “Spectrele Raman au arătat două vârfuri caracteristice la 796 și 968 care corespund modului optic transversal al h-SiC și modului optic longitudinal, respectiv.”

  Baek 等 - 2006 - Structural characterization of beta-SiC nanowires DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.083
• 2900 cm⁻¹ încredere 1,0

  “Candidat grup de vârf confirmat de LLM”

  Bhagat 等 - 2007 - Rapid synthesis of water-glass based aerogels by i DOI: 10.1016/j.apsusc.2006.07.016
• 820 cm⁻¹ încredere 1,0

  “Spectrele prezintă vârfuri de transmisie în jurul valorilor de 820, 1060 și 1270 corespunzând îndoirii Si-O, întinderii Si-O și Si-CH, respectiv [4].”

  Chabane 等 - 2009 - Characterization of SiOF thin films deposited by P DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.609.59
• 961 cm⁻¹ încredere 1,0

  “2 3 3 cm-1, cm-1 cm-1, SiOCH 2CH la 1390 Întindere simetrică SiOC la 961 și întindere SiC la 789 sunt”

  Chen 等 - 2007 - Structural characterization and corrosion properti DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.546-549.1111
• 1260 cm⁻¹ încredere 1,0

  “Datorită interacțiunilor LiTFSI/ PSx, o ușoară deplasare a modului de îndoire Si-CH la 1260cm-1 atῦ = către numere de undă mai mari a fost membrană din cauza rigidizării.”

  Cznotka 等 - 2016 - Characterization of semi-interpenetrating polymer DOI: 10.1016/j.ssi.2016.02.016
• 1200 cm⁻¹ încredere 1,0

  “banda de absorbție sic a chitosanului la 1200 950 este mai puțin intensă”

  New versatile approach for analysis of PEG content in conjugates and complexes with biomacromolecules based on FTIR spectroscopy. DOI: 10.1016/j.colsurfb.2016.01.030
• 1200 cm⁻¹ încredere 1,0

  “1200 cm-1, speciile carbonil, aproape de suprafață, pot interacționa prin hidroîn jur și întinderea Si-C contribuie la legătura envegen cu un Si-H scăzând frecvența sa de întindere.”

  Giovannozzi 和 Rocchia - 2008 - Effect of the reaction time, reagent concentration DOI: 10.1016/j.snb.2007.10.043
• 780 cm⁻¹ încredere 1,0

  “legătură cm-1 cu n=1,2,3 la ~640 [13], legătură de întindere Si-C cm-1 cm-1 la ~780 [12], îndoire SiH la ~900 [12] și C-H Tabelul 1 Fluxuri de H și B 2H utilizate.”

  Si and SiC nanocrystals in an amorphous SiC matrix: Formation and electrical properties DOI: 10.1002/pssc.201000176