Silicon carbon — Picos de absorção FTIR e atribuições

Resposta rápida

Silicon carbon é geralmente atribuído procurando por um aglomerado recorrente de picos característicos em vez de um número exato de livro-texto. A tabela abaixo mostra onde a literatura mais frequentemente coloca este grupo em FTIR, classificados por evidência acumulada.

Picos FTIR característicos para Silicon carbon

Mostrando os 30 picos mais suportados de 129 total para Silicon carbon.

Materiais possíveis

Lógica do espectro

A atribuição de grupos funcionais torna-se mais confiante quando várias bandas esperadas aparecem juntas. Use esta página para encontrar os picos mais apoiados e, em seguida, confirme que a mesma amostra exibe um padrão coerente, em vez de um único hit isolado.

Uso no mundo real

Estas páginas são úteis para análise de material desconhecido, explicação de picos em relatórios, solução de problemas de polímeros e verificação se uma família de materiais candidata é quimicamente plausível.

Erros comuns

• Usar uma página de grupo funcional como veredito completo do material sem verificar o resto do espectro.
• Assumindo que a banda mais forte é sempre a mais diagnóstica.
• Esquecer que processamento, aditivos, envelhecimento e misturas podem deslocar ou alargar os picos esperados.

Conselho de verificação

Use DSC, GC-MS ou TGA quando várias famílias de materiais compartilham bandas semelhantes ou quando efeitos de mistura tornam a atribuição FTIR incerta.

Literatura por trás destas atribuições

• 796 cm⁻¹ confiança 1,0

  “Raman spectra showed two characteristic peaks at 796 and 968 which are corresponding to transversal h-SiC, optic mode and longitudinal optic mode of respectively.”

  Baek 等 - 2006 - Structural characterization of beta-SiC nanowires DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.083
• 2900 cm⁻¹ confiança 1,0

  “LLM confirmed rule peak-group candidate”

  Bhagat 等 - 2007 - Rapid synthesis of water-glass based aerogels by i DOI: 10.1016/j.apsusc.2006.07.016
• 820 cm⁻¹ confiança 1,0

  “The spectra exhibit transmission peaks at around 820, 1060 and 1270 corresponding to Si-O bending, Si-O and Si-CH stretching, respectively [4].”

  Chabane 等 - 2009 - Characterization of SiOF thin films deposited by P DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.609.59
• 961 cm⁻¹ confiança 1,0

  “2 3 3 cm-1, cm-1 cm-1, SiOCH 2CH at 1390 SiOC symmetric stretch at 961 and SiC stretch at 789 are”

  Chen 等 - 2007 - Structural characterization and corrosion properti DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.546-549.1111
• 1260 cm⁻¹ confiança 1,0

  “Due to LiTFSI/ PSx interactions, a slight shifting of 1260cm-1 atῦ Si-CH bending mode = to higher wavenumbers was membrane due to stiffening.”

  Cznotka 等 - 2016 - Characterization of semi-interpenetrating polymer DOI: 10.1016/j.ssi.2016.02.016
• 1200 cm⁻¹ confiança 1,0

  “sic absorption band of chitosan at 1200 950 is less intense”

  New versatile approach for analysis of PEG content in conjugates and complexes with biomacromolecules based on FTIR spectroscopy. DOI: 10.1016/j.colsurfb.2016.01.030
• 1200 cm⁻¹ confiança 1,0

  “1200cm-1, carbonyl species, closed to the surface, can interact via hydroaround and Si-C stretching contribute to the envegen bonding with a Si-H lowering its stretching frequency.”

  Giovannozzi 和 Rocchia - 2008 - Effect of the reaction time, reagent concentration DOI: 10.1016/j.snb.2007.10.043
• 780 cm⁻¹ confiança 1,0

  “cm-1 bond with n=1,2,3 at ~640 [13], Si-C stretching bond cm-1 cm-1 at ~780 [12], SiH bending at ~900 [12] and C-H Table 1 Fluxes of H and B 2H used.”

  Si and SiC nanocrystals in an amorphous SiC matrix: Formation and electrical properties DOI: 10.1002/pssc.201000176