Siliciumkoolstof — FTIR-absorptiepieken en toewijzingen

Snel antwoord

Siliciumkoolstof wordt meestal toegewezen door te zoeken naar een terugkerende cluster van karakteristieke pieken in plaats van één exact theoretisch getal. De onderstaande tabel toont waar de literatuur deze groep het vaakst plaatst in FTIR, gerangschikt op basis van verzameld bewijs.

Karakteristieke FTIR-pieken voor Siliciumkoolstof

Toont de 30 best ondersteunde pieken van 129 totaal voor Siliciumkoolstof.

Mogelijke materialen

Spectrumlogica

Een functionele-groepstoewijzing wordt zekerder wanneer meerdere verwachte banden samen voorkomen. Gebruik deze pagina om de sterkst ondersteunde pieken te vinden en bevestig vervolgens dat hetzelfde monster een coherent patroon vertoont in plaats van een enkele geïsoleerde hit.

Gebruik in de praktijk

Deze pagina＇s zijn nuttig voor analyse van onbekend materiaal, piekverklaring in rapporten, probleemoplossing voor polymeren en het verifiëren of een kandidaat-materiaalfamilie chemisch aannemelijk is.

Veelgemaakte fouten

• Het gebruiken van één functionele groepspagina als een volledig materiaaloordeel zonder de rest van het spectrum te controleren.
• Ervan uitgaande dat de sterkste band altijd de meest diagnostische is.
• Vergeten dat verwerking, additieven, veroudering en mengsels de verwachte pieken kunnen verschuiven of verbreden.

Advies voor verificatie

Gebruik DSC, GC-MS of TGA wanneer verschillende materiaalfamilies vergelijkbare banden delen of wanneer mengseleffecten de FTIR-toewijzing onzeker maken.

Literatuur achter deze toewijzingen

• 796 cm⁻¹ vertrouwen 1,0

  “Raman-spectra vertoonden twee karakteristieke pieken bij 796 en 968 die overeenkomen met transversale h-SiC, optische modus en longitudinale optische modus van respectievelijk.”

  Baek 等 - 2006 - Structural characterization of beta-SiC nanowires DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.083
• 2900 cm⁻¹ vertrouwen 1,0

  “LLM bevestigde regel piekgroep kandidaat”

  Bhagat 等 - 2007 - Rapid synthesis of water-glass based aerogels by i DOI: 10.1016/j.apsusc.2006.07.016
• 820 cm⁻¹ vertrouwen 1,0

  “De spectra vertonen transmissiepieken rond 820, 1060 en 1270 corresponderend met Si-O buiging, Si-O en Si-CH rek, respectievelijk [4].”

  Chabane 等 - 2009 - Characterization of SiOF thin films deposited by P DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.609.59
• 961 cm⁻¹ vertrouwen 1,0

  “2 3 3 cm-1, cm-1 cm-1, SiOCH 2CH bij 1390 SiOC symmetrische rek bij 961 en SiC-rek bij 789 zijn”

  Chen 等 - 2007 - Structural characterization and corrosion properti DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.546-549.1111
• 1260 cm⁻¹ vertrouwen 1,0

  “Als gevolg van LiTFSI/ PSx interacties, een lichte verschuiving van 1260cm-1 atῦ Si-CH buigingsmodus = naar hogere golfgetallen was membraan door verstijving.”

  Cznotka 等 - 2016 - Characterization of semi-interpenetrating polymer DOI: 10.1016/j.ssi.2016.02.016
• 1200 cm⁻¹ vertrouwen 1,0

  “sic absorptieband van chitosan bij 1200 950 is minder intens”

  New versatile approach for analysis of PEG content in conjugates and complexes with biomacromolecules based on FTIR spectroscopy. DOI: 10.1016/j.colsurfb.2016.01.030
• 1200 cm⁻¹ vertrouwen 1,0

  “1200cm-1, carbonylsoorten, dicht bij het oppervlak, kunnen interageren via hydroaround en Si-C-rek draagt bij aan de envegen binding met een Si-H die zijn reksnelheid verlaagt.”

  Giovannozzi 和 Rocchia - 2008 - Effect of the reaction time, reagent concentration DOI: 10.1016/j.snb.2007.10.043
• 780 cm⁻¹ vertrouwen 1,0

  “cm-1 binding met n=1,2,3 bij ~640 [13], Si-C rekbinding cm-1 cm-1 bij ~780 [12], SiH buiging bij ~900 [12] en C-H Tabel 1 Fluxen van H en B 2H gebruikt.”

  Si and SiC nanocrystals in an amorphous SiC matrix: Formation and electrical properties DOI: 10.1002/pssc.201000176