Silicon carbon — Puncak serapan FTIR dan tugasan

Jawapan pantas

Silicon carbon biasanya ditetapkan dengan mencari kelompok berulang puncak ciri dan bukan satu nombor tepat buku teks. Jadual di bawah menunjukkan di mana literatur paling kerap meletakkan kumpulan ini dalam FTIR, yang disusun mengikut bukti terkumpul.

Puncak FTIR ciri untuk Silicon carbon

Menunjukkan 30 puncak terbaik disokong daripada 129 jumlah untuk Silicon carbon.

Bahan yang mungkin

Logik spektrum

Tugasan kumpulan berfungsi menjadi lebih yakin apabila beberapa jalur yang dijangkakan muncul bersama. Gunakan halaman ini untuk mencari puncak yang paling disokong, kemudian sahkan bahawa sampel yang sama menunjukkan corak yang koheren dan bukannya satu hit terpencil.

Penggunaan dunia sebenar

Halaman-halaman ini berguna untuk analisis bahan yang tidak diketahui, penjelasan puncak dalam laporan, penyelesaian masalah polimer, dan mengesahkan sama ada keluarga bahan calon adalah boleh dipercayai secara kimia.

Kesilapan biasa

• Menggunakan satu halaman kumpulan berfungsi sebagai keputusan bahan lengkap tanpa memeriksa spektrum yang lain.
• Dengan menganggap jalur yang paling kuat sentiasa menjadi yang paling diagnostik.
• Melupakan bahawa pemprosesan, bahan tambahan, penuaan, dan campuran boleh mengalihkan atau melebarkan puncak yang dijangkakan.

Nasihat pengesahan

Gunakan DSC, GC-MS, atau TGA apabila beberapa keluarga bahan berkongsi jalur yang serupa atau apabila kesan campuran menyebabkan tugasan FTIR tidak pasti.

Literatur di sebalik penetapan ini

• 796 cm⁻¹ keyakinan 1.0

  “Raman spectra showed two characteristic peaks at 796 and 968 which are corresponding to transversal h-SiC, optic mode and longitudinal optic mode of respectively.”

  Baek 等 - 2006 - Structural characterization of beta-SiC nanowires DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.083
• 2900 cm⁻¹ keyakinan 1.0

  “LLM confirmed rule peak-group candidate”

  Bhagat 等 - 2007 - Rapid synthesis of water-glass based aerogels by i DOI: 10.1016/j.apsusc.2006.07.016
• 820 cm⁻¹ keyakinan 1.0

  “The spectra exhibit transmission peaks at around 820, 1060 and 1270 corresponding to Si-O bending, Si-O and Si-CH stretching, respectively [4].”

  Chabane 等 - 2009 - Characterization of SiOF thin films deposited by P DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.609.59
• 961 cm⁻¹ keyakinan 1.0

  “2 3 3 cm-1, cm-1 cm-1, SiOCH 2CH at 1390 SiOC symmetric stretch at 961 and SiC stretch at 789 are”

  Chen 等 - 2007 - Structural characterization and corrosion properti DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.546-549.1111
• 1260 cm⁻¹ keyakinan 1.0

  “Due to LiTFSI/ PSx interactions, a slight shifting of 1260cm-1 atῦ Si-CH bending mode = to higher wavenumbers was membrane due to stiffening.”

  Cznotka 等 - 2016 - Characterization of semi-interpenetrating polymer DOI: 10.1016/j.ssi.2016.02.016
• 1200 cm⁻¹ keyakinan 1.0

  “sic absorption band of chitosan at 1200 950 is less intense”

  New versatile approach for analysis of PEG content in conjugates and complexes with biomacromolecules based on FTIR spectroscopy. DOI: 10.1016/j.colsurfb.2016.01.030
• 1200 cm⁻¹ keyakinan 1.0

  “1200cm-1, carbonyl species, closed to the surface, can interact via hydroaround and Si-C stretching contribute to the envegen bonding with a Si-H lowering its stretching frequency.”

  Giovannozzi 和 Rocchia - 2008 - Effect of the reaction time, reagent concentration DOI: 10.1016/j.snb.2007.10.043
• 780 cm⁻¹ keyakinan 1.0

  “cm-1 bond with n=1,2,3 at ~640 [13], Si-C stretching bond cm-1 cm-1 at ~780 [12], SiH bending at ~900 [12] and C-H Table 1 Fluxes of H and B 2H used.”

  Si and SiC nanocrystals in an amorphous SiC matrix: Formation and electrical properties DOI: 10.1002/pssc.201000176