실리콘 탄소 — FTIR 흡수 피크 및 할당

빠른 답변

실리콘 탄소는 일반적으로 정확한 교과서 숫자 하나보다는 반복되는 특징적 피크 클러스터를 찾아 할당됩니다. 아래 표는 문헌에서 이 그룹을 FTIR에서 가장 자주 배치하는 위치를 누적 증거 순으로 보여줍니다.

실리콘 탄소의 특성 FTIR 피크

Showing the 30 best-supported peaks of 129 total for 실리콘 탄소.

가능한 재료

스펙트럼 로직

여러 예상 밴드가 함께 나타날 때 작용기 할당이 더 확실해집니다. 이 페이지를 사용하여 가장 강력하게 지원되는 피크를 찾은 다음, 동일한 샘플이 단일 고립된 히트가 아닌 일관된 패턴을 보이는지 확인하세요.

실제 사용

이 페이지는 미지 물질 분석, 보고서의 피크 설명, 폴리머 문제 해결, 후보 물질군이 화학적으로 타당한지 확인하는 데 유용합니다.

일반적인 실수

• 스펙트럼의 나머지 부분을 확인하지 않고 하나의 기능 그룹 페이지를 완전한 재료 판정으로 사용하는 것.
• 가장 강한 밴드가 항상 가장 진단적이라고 가정합니다.
• 가공, 첨가제, 노화 및 혼합물이 예상 피크를 이동시키거나 넓힐 수 있다는 것을 잊는 것.

검증 조언

여러 물질군이 유사한 밴드를 공유하거나 혼합 효과로 FTIR 할당이 불확실할 때 DSC, GC-MS 또는 TGA를 사용하십시오.

이 할당의 배경이 되는 문헌

• 796 cm⁻¹ 신뢰도 1.0

  “라만 스펙트럼은 796 및 968 cm-1에서 두 개의 특성 피크를 보여주었으며, 이는 각각 횡방향 h-SiC, 광학 모드 및 종방향 광학 모드에 해당합니다.”

  Baek 等 - 2006 - Structural characterization of beta-SiC nanowires DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.083
• 2900 cm⁻¹ 신뢰도 1.0

  “LLM 확인 규칙 피크-그룹 후보”

  Bhagat 等 - 2007 - Rapid synthesis of water-glass based aerogels by i DOI: 10.1016/j.apsusc.2006.07.016
• 820 cm⁻¹ 신뢰도 1.0

  “스펙트럼은 각각 Si-O 굽힘, Si-O 및 Si-CH 스트레칭에 해당하는 약 820, 1060 및 1270에서 투과 피크를 보여줍니다 [4].”

  Chabane 等 - 2009 - Characterization of SiOF thin films deposited by P DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.609.59
• 961 cm⁻¹ 신뢰도 1.0

  “2 3 3 cm-1, cm-1 cm-1, 1390에서 SiOCH 2CH, 961에서 SiOC 대칭 신축, 789에서 SiC 신축은”

  Chen 等 - 2007 - Structural characterization and corrosion properti DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.546-549.1111
• 1260 cm⁻¹ 신뢰도 1.0

  “LiTFSI/ PSx 상호작용으로 인해, 1260cm-1 atῦ Si-CH 굽힘 모드의 약간의 이동이 더 높은 파수로 이동하였으며, 이는 막의 경화 때문입니다.”

  Cznotka 等 - 2016 - Characterization of semi-interpenetrating polymer DOI: 10.1016/j.ssi.2016.02.016
• 1200 cm⁻¹ 신뢰도 1.0

  “키토산의 1200 950에서의 sic 흡수 밴드는 덜 강함.”

  New versatile approach for analysis of PEG content in conjugates and complexes with biomacromolecules based on FTIR spectroscopy. DOI: 10.1016/j.colsurfb.2016.01.030
• 1200 cm⁻¹ 신뢰도 1.0

  “1200cm-1, carbonyl species, closed to the surface, can interact via hydroaround and Si-C stretching contribute to the envegen bonding with a Si-H lowering its stretching frequency.”

  Giovannozzi 和 Rocchia - 2008 - Effect of the reaction time, reagent concentration DOI: 10.1016/j.snb.2007.10.043
• 780 cm⁻¹ 신뢰도 1.0

  “n=1,2,3에서 ~640 [13]의 cm-1 결합, ~780 [12]에서 Si-C 신축 결합 cm-1 cm-1, ~900 [12]에서 SiH 굽힘, 그리고 C-H 표 1 사용된 H 및 B 2H의 플럭스.”

  Si and SiC nanocrystals in an amorphous SiC matrix: Formation and electrical properties DOI: 10.1002/pssc.201000176