Silicon carbon — Picchi di assorbimento FTIR e assegnazioni

Risposta rapida

Silicon carbon viene solitamente assegnato cercando un cluster ricorrente di picchi caratteristici piuttosto che un numero esatto da manuale. La tabella seguente mostra dove la letteratura colloca più spesso questo gruppo in FTIR, classificato per evidenza accumulata.

Picchi FTIR caratteristici per Silicon carbon

Mostrando i 30 picchi meglio supportati su 129 totali per Silicon carbon.

Materiali possibili

Logica dello spettro

Un＇assegnazione di gruppo funzionale diventa più affidabile quando diverse bande attese appaiono insieme. Usa questa pagina per trovare i picchi più supportati, poi conferma che lo stesso campione mostra un pattern coerente piuttosto che un singolo hit isolato.

Utilizzo nel mondo reale

Queste pagine sono utili per l＇analisi di materiali sconosciuti, la spiegazione dei picchi nei rapporti, la risoluzione dei problemi dei polimeri e la verifica se una famiglia di materiali candidati è chimicamente plausibile.

Errori comuni

• Utilizzare una pagina di gruppo funzionale come verdetto completo del materiale senza controllare il resto dello spettro.
• Supponendo che la banda più forte sia sempre la più diagnostica.
• Dimenticare che la lavorazione, gli additivi, l＇invecchiamento e le miscele possono spostare o allargare i picchi attesi.

Consiglio di verifica

Utilizzare DSC, GC-MS o TGA quando più famiglie di materiali condividono bande simili o quando gli effetti di miscela rendono incerta l＇assegnazione FTIR.

Letteratura dietro queste assegnazioni

• 796 cm⁻¹ affidabilità 1,0

  “Raman spectra showed two characteristic peaks at 796 and 968 which are corresponding to transversal h-SiC, optic mode and longitudinal optic mode of respectively.”

  Baek 等 - 2006 - Structural characterization of beta-SiC nanowires DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.083
• 2900 cm⁻¹ affidabilità 1,0

  “LLM confirmed rule peak-group candidate”

  Bhagat 等 - 2007 - Rapid synthesis of water-glass based aerogels by i DOI: 10.1016/j.apsusc.2006.07.016
• 820 cm⁻¹ affidabilità 1,0

  “The spectra exhibit transmission peaks at around 820, 1060 and 1270 corresponding to Si-O bending, Si-O and Si-CH stretching, respectively [4].”

  Chabane 等 - 2009 - Characterization of SiOF thin films deposited by P DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.609.59
• 961 cm⁻¹ affidabilità 1,0

  “2 3 3 cm-1, cm-1 cm-1, SiOCH 2CH at 1390 SiOC symmetric stretch at 961 and SiC stretch at 789 are”

  Chen 等 - 2007 - Structural characterization and corrosion properti DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.546-549.1111
• 1260 cm⁻¹ affidabilità 1,0

  “Due to LiTFSI/ PSx interactions, a slight shifting of 1260cm-1 atῦ Si-CH bending mode = to higher wavenumbers was membrane due to stiffening.”

  Cznotka 等 - 2016 - Characterization of semi-interpenetrating polymer DOI: 10.1016/j.ssi.2016.02.016
• 1200 cm⁻¹ affidabilità 1,0

  “sic absorption band of chitosan at 1200 950 is less intense”

  New versatile approach for analysis of PEG content in conjugates and complexes with biomacromolecules based on FTIR spectroscopy. DOI: 10.1016/j.colsurfb.2016.01.030
• 1200 cm⁻¹ affidabilità 1,0

  “1200cm-1, carbonyl species, closed to the surface, can interact via hydroaround and Si-C stretching contribute to the envegen bonding with a Si-H lowering its stretching frequency.”

  Giovannozzi 和 Rocchia - 2008 - Effect of the reaction time, reagent concentration DOI: 10.1016/j.snb.2007.10.043
• 780 cm⁻¹ affidabilità 1,0

  “cm-1 bond with n=1,2,3 at ~640 [13], Si-C stretching bond cm-1 cm-1 at ~780 [12], SiH bending at ~900 [12] and C-H Table 1 Fluxes of H and B 2H used.”

  Si and SiC nanocrystals in an amorphous SiC matrix: Formation and electrical properties DOI: 10.1002/pssc.201000176