Silicon carbon — FTIR-Absorptionspeaks und Zuordnungen

Schnelle Antwort

Silicon carbon wird normalerweise durch die Suche nach einem wiederkehrenden Cluster charakteristischer Peaks zugeordnet, nicht nach einer exakten Lehrbuchzahl. Die folgende Tabelle zeigt, wo die Literatur diese Gruppe am häufigsten im FTIR platziert, geordnet nach gesammelten Belegen.

Charakteristische FTIR-Peaks für Silicon carbon

Zeigt die 30 am besten gestützten Peaks von insgesamt 129 für Silicon carbon an.

Mögliche Materialien

Spektrumslogik

Eine funktionelle Gruppen-Zuordnung wird sicherer, wenn mehrere erwartete Banden gemeinsam auftreten. Verwenden Sie diese Seite, um die am stärksten gestützten Peaks zu finden, und bestätigen Sie dann, dass dieselbe Probe ein kohärentes Muster und nicht einen einzelnen isolierten Treffer aufweist.

Praktische Anwendung

Diese Seiten sind nützlich für die Analyse unbekannter Materialien, die Erklärung von Peaks in Berichten, die Fehlerbehebung bei Polymeren und die Überprüfung, ob eine in Frage kommende Materialfamilie chemisch plausibel ist.

Häufige Fehler

• Verwendung einer Seite für funktionelle Gruppen als vollständiges Materialurteil, ohne den Rest des Spektrums zu überprüfen.
• Annahme, dass die stärkste Bande immer die diagnostischste ist.
• Vergessen, dass Verarbeitung, Zusatzstoffe, Alterung und Mischungen erwartete Peaks verschieben oder verbreitern können.

Beratung zur Verifizierung

Verwenden Sie DSC, GC-MS oder TGA, wenn mehrere Materialfamilien ähnliche Banden aufweisen oder wenn Mischeffekte die FTIR-Zuordnung unsicher machen.

Literatur hinter diesen Zuweisungen

• 796 cm⁻¹ Vertrauen 1,0

  “Raman spectra showed two characteristic peaks at 796 and 968 which are corresponding to transversal h-SiC, optic mode and longitudinal optic mode of respectively.”

  Baek 等 - 2006 - Structural characterization of beta-SiC nanowires DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.083
• 2900 cm⁻¹ Vertrauen 1,0

  “LLM confirmed rule peak-group candidate”

  Bhagat 等 - 2007 - Rapid synthesis of water-glass based aerogels by i DOI: 10.1016/j.apsusc.2006.07.016
• 820 cm⁻¹ Vertrauen 1,0

  “The spectra exhibit transmission peaks at around 820, 1060 and 1270 corresponding to Si-O bending, Si-O and Si-CH stretching, respectively [4].”

  Chabane 等 - 2009 - Characterization of SiOF thin films deposited by P DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.609.59
• 961 cm⁻¹ Vertrauen 1,0

  “2 3 3 cm-1, cm-1 cm-1, SiOCH 2CH at 1390 SiOC symmetric stretch at 961 and SiC stretch at 789 are”

  Chen 等 - 2007 - Structural characterization and corrosion properti DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.546-549.1111
• 1260 cm⁻¹ Vertrauen 1,0

  “Due to LiTFSI/ PSx interactions, a slight shifting of 1260cm-1 atῦ Si-CH bending mode = to higher wavenumbers was membrane due to stiffening.”

  Cznotka 等 - 2016 - Characterization of semi-interpenetrating polymer DOI: 10.1016/j.ssi.2016.02.016
• 1200 cm⁻¹ Vertrauen 1,0

  “sic absorption band of chitosan at 1200 950 is less intense”

  New versatile approach for analysis of PEG content in conjugates and complexes with biomacromolecules based on FTIR spectroscopy. DOI: 10.1016/j.colsurfb.2016.01.030
• 1200 cm⁻¹ Vertrauen 1,0

  “1200cm-1, carbonyl species, closed to the surface, can interact via hydroaround and Si-C stretching contribute to the envegen bonding with a Si-H lowering its stretching frequency.”

  Giovannozzi 和 Rocchia - 2008 - Effect of the reaction time, reagent concentration DOI: 10.1016/j.snb.2007.10.043
• 780 cm⁻¹ Vertrauen 1,0

  “cm-1 bond with n=1,2,3 at ~640 [13], Si-C stretching bond cm-1 cm-1 at ~780 [12], SiH bending at ~900 [12] and C-H Table 1 Fluxes of H and B 2H used.”

  Si and SiC nanocrystals in an amorphous SiC matrix: Formation and electrical properties DOI: 10.1002/pssc.201000176