Silicon silicon — Puncak serapan FTIR dan tugasan
Ini ialah nombor gelombang FTIR ciri apabila Silicon silicon cenderung menyerap, yang dihimpunkan daripada literatur yang diterbitkan dan diperingkat berdasarkan bukti sokongan. Setiap penetapan boleh dijejaki kepada sumber (DOI) dan disahkan silang terhadap 320,000+ spektrum rujukan serta graf pengetahuan kami.
Disokong oleh 8 sumber yang dipetik
Jawapan pantas
Silicon silicon biasanya ditetapkan dengan mencari kelompok berulang puncak ciri dan bukan satu nombor tepat buku teks. Jadual di bawah menunjukkan di mana literatur paling kerap meletakkan kumpulan ini dalam FTIR, yang disusun mengikut bukti terkumpul.
Puncak FTIR ciri untuk Silicon silicon
| Nombor gelombang (cm⁻¹) | Fakta sokongan | Sumber dipetik | Keyakinan tertinggi |
|---|---|---|---|
| 520 | 4 | 4 | 1.0 |
| 2000 | 2 | 2 | 1.0 |
| 400 | 2 | 2 | 1.0 |
| 480 | 2 | 2 | 1.0 |
| 1255 | 1 | 1 | 1.0 |
| 1030 | 1 | 1 | 1.0 |
| 612 | 1 | 1 | 1.0 |
| 615 | 1 | 1 | 1.0 |
| 773 | 1 | 1 | 1.0 |
| 1050 | 1 | 1 | 1.0 |
| 768 | 1 | 1 | 1.0 |
| 1600 | 1 | 1 | 1.0 |
| 519 | 1 | 1 | 1.0 |
| 460 | 1 | 1 | 1.0 |
| 976 | 1 | 1 | 1.0 |
| 2013 | 1 | 1 | 1.0 |
| 618 | 1 | 1 | 1.0 |
| 962 | 1 | 1 | 1.0 |
| 728 | 1 | 1 | 1.0 |
| 744 | 1 | 1 | 1.0 |
| 762 | 1 | 1 | 1.0 |
| 788 | 1 | 1 | 1.0 |
| 605 | 1 | 1 | 1.0 |
| 611 | 1 | 1 | 1.0 |
| 1061 | 1 | 1 | 1.0 |
| 452 | 1 | 1 | 1.0 |
| 787 | 1 | 1 | 1.0 |
| 461 | 1 | 1 | 1.0 |
| 518 | 1 | 1 | 1.0 |
| 430 | 1 | 1 | 1.0 |
Menunjukkan 30 puncak terbaik disokong daripada 44 jumlah untuk Silicon silicon.
Bahan yang mungkin
Logik spektrum
Tugasan kumpulan berfungsi menjadi lebih yakin apabila beberapa jalur yang dijangkakan muncul bersama. Gunakan halaman ini untuk mencari puncak yang paling disokong, kemudian sahkan bahawa sampel yang sama menunjukkan corak yang koheren dan bukannya satu hit terpencil.
Penggunaan dunia sebenar
Halaman-halaman ini berguna untuk analisis bahan yang tidak diketahui, penjelasan puncak dalam laporan, penyelesaian masalah polimer, dan mengesahkan sama ada keluarga bahan calon adalah boleh dipercayai secara kimia.
Kesilapan biasa
- Menggunakan satu halaman kumpulan berfungsi sebagai keputusan bahan lengkap tanpa memeriksa spektrum yang lain.
- Dengan menganggap jalur yang paling kuat sentiasa menjadi yang paling diagnostik.
- Melupakan bahawa pemprosesan, bahan tambahan, penuaan, dan campuran boleh mengalihkan atau melebarkan puncak yang dijangkakan.
Nasihat pengesahan
Gunakan DSC, GC-MS, atau TGA apabila beberapa keluarga bahan berkongsi jalur yang serupa atau apabila kesan campuran menyebabkan tugasan FTIR tidak pasti.
Literatur di sebalik penetapan ini
-
480 cm⁻¹ keyakinan 1.0
“Before annealing treatments, some signature of the presence of Si-Si bonds (weak band centered at 480 cm-1 assigned to the amorphous silicon phase) are present in the spectrum of the as-grown material.”
Evolution of Optical and Structural Properties of Silicon Nanocrystals Embedded in Silicon Nitride Films with Annealing Temperature DOI: 10.4028/www.scientific.net/JNanoR.49.163 -
980 cm⁻¹ keyakinan 1.0
“7 (a) Typical absorption, transmission and reflection spectra of cm(cid:3)1 for 30and 60-s Si-Si peaks are at 979.56 and 943.58 vertical SiNWs by electroless process.”
Synthesis and Characterization of Silicon Nanowires by Electroless Etching DOI: 10.1007/s11665-018-3179-z -
480 cm⁻¹ keyakinan 1.0
“In Raman spectrum, for amorphous phase and crystalline phase, the Si-Si TO phonon mode occurs at about 480 cm-1 and 520 cm-1, respectively.”
Effect of Deposition Power on the Structure Properties of Microcrystalline Silicon Thin Films DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMM.442.116 -
400 cm⁻¹ keyakinan 1.0
“The weak absorption in the near infrared region (~400 cm-1) of three compounds is ascribed to Si-Si bonds.”
Synthesis, characterization and properties of diamidodisilanes and azocyclosilane DOI: 10.1360/982004-590 -
464 cm⁻¹ keyakinan 1.0
“Since in GaAs the 464 cm-1 peak corresponds to the longitudinal stretching mode of the pair [5] one can imagine that when Al atoms substitute Ga atoms nearest to the SiAs cation sites the Si-Si bond will become somewhat weaker due to an Al-”
Kaczor 等 - 1995 - Silicon-related local vibrational mode absorption DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.196-201.1091 -
411 cm⁻¹ keyakinan 1.0
“The only difference between FTIR of cm-1 ZnO:Al,N ZnO:Al,N ZnO:Al,N films films films and and and Si Si Si substrate substrate substrate is is is the the the peak peak peak at at at 411 411 411 cm cm that is only seen in the films.”
Karpyna 等 - 2020 - Raman and Photoluminescence Study of Al,N-Codoped DOI: 10.1002/pssb.201900788 -
400 cm⁻¹ keyakinan 1.0
“The inset is a magnified view of Si-Si peak at the temperature of 400 ºC and 500 ºC Figure 1 shows the Raman spectra of the self-implanted sample annealed at different”
Red Light Emission from Silicon Created by Self-Ion Implantation and Thermal Annealing DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMM.320.109 -
614 cm⁻¹ keyakinan 1.0
“LLM confirmed rule peak-group candidate”
Ion beam induced modification and nanostructures formation in thin SiC/Pd films on c-Si substrate DOI: 10.1016/j.nimb.2021.01.018
Lihat Silicon silicon dalam spektrum anda sendiri
Muat naik spektrum FTIR anda dan dapatkan laporan tafsiran penuh — tugasan puncak dengan petikan literatur, padanan perpustakaan, dan analisis berasaskan literatur — dalam beberapa saat.