Silicon silicon — FTIR-Absorptionspeaks und Zuordnungen
Dies sind die charakteristischen FTIR-Wellenzahlen, bei denen Silicon silicon tendenziell absorbiert. Sie wurden aus veröffentlichter Literatur zusammengestellt und nach der unterstützenden Evidenz geordnet. Jede Zuordnung ist bis zu einer Quelle (DOI) rückverfolgbar und wurde anhand unserer 320,000+ Referenzspektren und unseres Wissensgraphen kreuzvalidiert.
Gestützt durch 8 zitierte Quellen
Schnelle Antwort
Silicon silicon wird normalerweise durch die Suche nach einem wiederkehrenden Cluster charakteristischer Peaks zugeordnet, nicht nach einer exakten Lehrbuchzahl. Die folgende Tabelle zeigt, wo die Literatur diese Gruppe am häufigsten im FTIR platziert, geordnet nach gesammelten Belegen.
Charakteristische FTIR-Peaks für Silicon silicon
| Wellenzahl (cm⁻¹) | Unterstützende Fakten | Zitierte Quellen | Höchstes Vertrauen |
|---|---|---|---|
| 520 | 4 | 4 | 1,0 |
| 2000 | 2 | 2 | 1,0 |
| 400 | 2 | 2 | 1,0 |
| 480 | 2 | 2 | 1,0 |
| 1255 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1030 | 1 | 1 | 1,0 |
| 612 | 1 | 1 | 1,0 |
| 615 | 1 | 1 | 1,0 |
| 773 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1050 | 1 | 1 | 1,0 |
| 768 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1600 | 1 | 1 | 1,0 |
| 519 | 1 | 1 | 1,0 |
| 460 | 1 | 1 | 1,0 |
| 976 | 1 | 1 | 1,0 |
| 2013 | 1 | 1 | 1,0 |
| 618 | 1 | 1 | 1,0 |
| 962 | 1 | 1 | 1,0 |
| 728 | 1 | 1 | 1,0 |
| 744 | 1 | 1 | 1,0 |
| 762 | 1 | 1 | 1,0 |
| 788 | 1 | 1 | 1,0 |
| 605 | 1 | 1 | 1,0 |
| 611 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1061 | 1 | 1 | 1,0 |
| 452 | 1 | 1 | 1,0 |
| 787 | 1 | 1 | 1,0 |
| 461 | 1 | 1 | 1,0 |
| 518 | 1 | 1 | 1,0 |
| 430 | 1 | 1 | 1,0 |
Zeigt die 30 am besten gestützten Peaks von insgesamt 44 für Silicon silicon an.
Mögliche Materialien
Spektrumslogik
Eine funktionelle Gruppen-Zuordnung wird sicherer, wenn mehrere erwartete Banden gemeinsam auftreten. Verwenden Sie diese Seite, um die am stärksten gestützten Peaks zu finden, und bestätigen Sie dann, dass dieselbe Probe ein kohärentes Muster und nicht einen einzelnen isolierten Treffer aufweist.
Praktische Anwendung
Diese Seiten sind nützlich für die Analyse unbekannter Materialien, die Erklärung von Peaks in Berichten, die Fehlerbehebung bei Polymeren und die Überprüfung, ob eine in Frage kommende Materialfamilie chemisch plausibel ist.
Häufige Fehler
- Verwendung einer Seite für funktionelle Gruppen als vollständiges Materialurteil, ohne den Rest des Spektrums zu überprüfen.
- Annahme, dass die stärkste Bande immer die diagnostischste ist.
- Vergessen, dass Verarbeitung, Zusatzstoffe, Alterung und Mischungen erwartete Peaks verschieben oder verbreitern können.
Beratung zur Verifizierung
Verwenden Sie DSC, GC-MS oder TGA, wenn mehrere Materialfamilien ähnliche Banden aufweisen oder wenn Mischeffekte die FTIR-Zuordnung unsicher machen.
Literatur hinter diesen Zuweisungen
-
480 cm⁻¹ Vertrauen 1,0
“Before annealing treatments, some signature of the presence of Si-Si bonds (weak band centered at 480 cm-1 assigned to the amorphous silicon phase) are present in the spectrum of the as-grown material.”
Evolution of Optical and Structural Properties of Silicon Nanocrystals Embedded in Silicon Nitride Films with Annealing Temperature DOI: 10.4028/www.scientific.net/JNanoR.49.163 -
980 cm⁻¹ Vertrauen 1,0
“7 (a) Typical absorption, transmission and reflection spectra of cm(cid:3)1 for 30and 60-s Si-Si peaks are at 979.56 and 943.58 vertical SiNWs by electroless process.”
Synthesis and Characterization of Silicon Nanowires by Electroless Etching DOI: 10.1007/s11665-018-3179-z -
480 cm⁻¹ Vertrauen 1,0
“In Raman spectrum, for amorphous phase and crystalline phase, the Si-Si TO phonon mode occurs at about 480 cm-1 and 520 cm-1, respectively.”
Effect of Deposition Power on the Structure Properties of Microcrystalline Silicon Thin Films DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMM.442.116 -
400 cm⁻¹ Vertrauen 1,0
“The weak absorption in the near infrared region (~400 cm-1) of three compounds is ascribed to Si-Si bonds.”
Synthesis, characterization and properties of diamidodisilanes and azocyclosilane DOI: 10.1360/982004-590 -
464 cm⁻¹ Vertrauen 1,0
“Since in GaAs the 464 cm-1 peak corresponds to the longitudinal stretching mode of the pair [5] one can imagine that when Al atoms substitute Ga atoms nearest to the SiAs cation sites the Si-Si bond will become somewhat weaker due to an Al-”
Kaczor 等 - 1995 - Silicon-related local vibrational mode absorption DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.196-201.1091 -
411 cm⁻¹ Vertrauen 1,0
“The only difference between FTIR of cm-1 ZnO:Al,N ZnO:Al,N ZnO:Al,N films films films and and and Si Si Si substrate substrate substrate is is is the the the peak peak peak at at at 411 411 411 cm cm that is only seen in the films.”
Karpyna 等 - 2020 - Raman and Photoluminescence Study of Al,N-Codoped DOI: 10.1002/pssb.201900788 -
400 cm⁻¹ Vertrauen 1,0
“The inset is a magnified view of Si-Si peak at the temperature of 400 ºC and 500 ºC Figure 1 shows the Raman spectra of the self-implanted sample annealed at different”
Red Light Emission from Silicon Created by Self-Ion Implantation and Thermal Annealing DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMM.320.109 -
614 cm⁻¹ Vertrauen 1,0
“LLM confirmed rule peak-group candidate”
Ion beam induced modification and nanostructures formation in thin SiC/Pd films on c-Si substrate DOI: 10.1016/j.nimb.2021.01.018
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