Si-N键 — FTIR 吸收峰及归属
这些是Si-N键倾向于吸收的特征FTIR波数，来自已发表文献并按照支持证据排序。每个归属都可追溯到来源（DOI），并针对我们超过13万张参考光谱和知识图谱进行了交叉验证。
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快速答案
Si-N键通常通过寻找重复出现的特征峰簇而非某个确切的教科书数值来归属。下表按累积证据排名，展示了文献中最常将此基团置于FTIR中的位置。
Si-N键 的特征 FTIR 峰
| 波数 (cm⁻¹) | 支持性事实 | 引用来源 | 最高置信度 |
|---|---|---|---|
| 850 | 3 | 1 | 1.0 |
| 450 | 2 | 2 | 1.0 |
| 490 | 2 | 1 | 1.0 |
| 904 | 1 | 1 | 1.0 |
| 1162 | 1 | 1 | 1.0 |
| 1300 | 1 | 1 | 1.0 |
| 840 | 1 | 1 | 1.0 |
| 709 | 1 | 1 | 1.0 |
| 1000 | 1 | 1 | 1.0 |
| 849 | 1 | 1 | 1.0 |
| 3335 | 1 | 1 | 1.0 |
| 880 | 1 | 1 | 1.0 |
| 980 | 1 | 1 | 1.0 |
| 923 | 1 | 1 | 1.0 |
| 669 | 1 | 1 | 1.0 |
| 587 | 1 | 1 | 1.0 |
| 964 | 1 | 1 | 1.0 |
| 640 | 1 | 1 | 1.0 |
| 1180 | 1 | 1 | 1.0 |
| 917 | 1 | 1 | 1.0 |
| 700 | 1 | 1 | 1.0 |
| 1040 | 1 | 1 | 1.0 |
| 875 | 1 | 1 | 1.0 |
| 470 | 1 | 1 | 1.0 |
| 1019 | 1 | 1 | 0.9 |
| 1075 | 1 | 1 | 0.7 |
| 1150 | 1 | 1 | 0.6 |
| 1083 | 1 | 0 | 1.0 |
| 1580 | 1 | 0 | 1.0 |
| 3350 | 1 | 0 | 1.0 |
Showing the 30 best-supported peaks of 34 total for Si-N键.
可能的材料
光谱逻辑
当多个预期谱带同时出现时，官能团归属变得更加可靠。使用此页面找到最受支持的峰，然后确认同一样品表现出连贯的模式而非孤立的单个命中。
实际应用
这些页面适用于未知材料分析、报告中的峰解释、聚合物故障排除以及验证候选材料类别是否化学上合理。
常见错误
- 仅使用一个功能基团页面作为完整的材料判定，而不检查光谱的其余部分。
- 假设最强谱带总是最具诊断性的。
- 忘记加工、添加剂、老化和混合物会移动或展宽预期峰。
验证建议
当几种材料类别共享相似谱带或混合物效应使FTIR归属不确定时，请使用DSC、GC-MS或TGA。
这些分配背后的文献
-
470 cm⁻¹ 置信度 1.0
“cm-1 中心在约470、820、1170、2180和3300的吸收带可分别归因于Si-N对称伸缩、Si-N不对称伸缩、N-H弯曲、Si-H伸缩和NH伸缩模式。”
Benyahia 等 - 2017 - Evolution of Optical and Structural Properties of DOI: 10.4028/www.scientific.net/JNanoR.49.163 -
490 cm⁻¹ 置信度 1.0
“(cm(cid:2)2) K 参考键 模式 波数 (cm(cid:2)1) 对称伸缩 490 - [15] Si-N N-Si3 Si-H Si-H 摇摆-摆动”
Effect of PECVD silicon oxynitride film composition on the surface passivation of silicon wafers DOI: 10.1016/j.solmat.2011.09.052 -
917 cm⁻¹ 置信度 1.0
“傅里叶变换红外（FTIR）光谱cm-1分析显示Si-N-Si伸缩峰在917处，此外，半峰全宽和Si-N-Si峰位置显示了它们对沉积温度的依赖性。”
Deposition of Silicon Nitride Films using Chemical Vapor deposition for Photovoltaic Applications DOI: 10.1016/j.rinp.2016.11.029 -
450 cm⁻¹ 置信度 1.0
“LLM确认的规则峰组候选”
Optical and photoelectrochemical properties of nitrogen-doped a-SiC thin films deposited by reactive DOI: 10.1080/2374068X.2021.1890420 -
923 cm⁻¹ 置信度 1.0
“2.0 10.4 (3) Si-N伸缩 923 983 - - sin3 9.2”
Ay 和 Aydinli - 2004 - Comparative investigation of hydrogen bonding in s DOI: 10.1016/j.optmat.2003.12.004 -
880 cm⁻¹ 置信度 1.0
“在 880 cm-1 处的峰与 Si-N 伸缩模式相关 [25]。”
Examination of the Hydrogen Incorporation into Radio Frequency-Sputtered Hydrogenated SiNx Thin Films DOI: 10.3390/coatings11010054 -
849 cm⁻¹ 置信度 1.0
“cm-1、cm-1、cm-1、912和961，可通过849处的三个对称高斯带拟合，代表Si-N伸缩模式的吸收态[52-54]。”
Hermann 等 - 2014 - Characterization of semiconductor materials using DOI: 10.1364/OE.22.017948 -
1000 cm⁻¹ 置信度 1.0
“低于1000 cm-1的吸收带与Si-C、Si-N、C-C和C-H键的伸缩和变形振动有关，但这些峰重叠，因此无法准确归属。”
Crosslinking Behavior of UV-Cured Polyorganosilazane as Polymer-Derived Ceramic Precursor in Ambient and Nitrogen Atmosphere DOI: 10.3390/polym13152424
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