Silicon nitrogen — FTIR-absorptionstoppar och tilldelningar

Snabbt svar

Silicon nitrogen tilldelas vanligtvis genom att leta efter en återkommande kluster av karakteristiska toppar snarare än ett exakt läroboksnummer. Tabellen nedan visar var litteraturen oftast placerar denna grupp i FTIR, rangordnad efter ackumulerad bevisning.

Karakteristiska FTIR-toppar för Silicon nitrogen

Visar de 30 bäst understödda topparna av totalt 32 för Silicon nitrogen.

Spektrumlogik

En funktionell grupptilldelning blir mer säker när flera förväntade band uppträder tillsammans. Använd denna sida för att hitta de starkast stödda topparna, bekräfta sedan att samma prov uppvisar ett sammanhängande mönster snarare än en enskild isolerad träff.

Användning i verkligheten

Dessa sidor är användbara för analys av okänt material, tolkning av toppar i rapporter, felsökning av polymerer och för att verifiera om en kandidatmaterialfamilj är kemiskt rimlig.

Vanliga misstag

• Använda en funktionell grupp-sida som en fullständig materialbedömning utan att kontrollera resten av spektrat.
• Antag att det starkaste bandet alltid är det mest diagnostiska.
• Att glömma att bearbetning, tillsatser, åldring och blandningar kan förskjuta eller bredda förväntade toppar.

Verifieringsråd

Använd DSC, GC-MS eller TGA när flera materialfamiljer har liknande band eller när blandningseffekter gör FTIR-tilldelningen osäker.

Litteratur bakom dessa identifieringar

• 470 cm⁻¹ förtroende 1,0

  “cm-1 The absorption bands centered at around 470, 820, 1170, 2180, and 3300 can be assigned to the Si-N symmetric stretching, Si-N asymmetric stretching, N-H bending, Si-H stretching, and NH stretching modes, respectively.”

  Evolution of Optical and Structural Properties of Silicon Nanocrystals Embedded in Silicon Nitride Films with Annealing Temperature DOI: 10.4028/www.scientific.net/JNanoR.49.163
• 490 cm⁻¹ förtroende 1,0

  “LLM confirmed rule peak-group candidate”

  Effect of PECVD silicon oxynitride film composition on the surface passivation of silicon wafers DOI: 10.1016/j.solmat.2011.09.052
• 917 cm⁻¹ förtroende 1,0

  “Fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy cm-1 analysis showed the Si-N-Si stretching peak at 917 further, the full width at half maxima and Si-N-Si peak position showed their dependency on the deposition temperature.”

  Deposition of silicon nitride films using chemical vapor deposition for photovoltaic applications DOI: 10.1016/j.rinp.2016.11.029
• 450 cm⁻¹ förtroende 1,0

  “LLM confirmed rule peak-group candidate”

  Optical and photoelectrochemical properties of nitrogen-doped a-SiC thin films deposited by reactive sputtering method at room temperature DOI: 10.1080/2374068X.2021.1890420
• 923 cm⁻¹ förtroende 1,0

  “2.0 10.4 (3) Si-N stretching 923 983 - - sin3 9.2”

  Comparative investigation of hydrogen bonding in silicon based PECVD grown dielectrics for optical waveguides DOI: 10.1016/j.optmat.2003.12.004
• 849 cm⁻¹ förtroende 1,0

  “cm-1, cm-1, cm-1, 912 and 961 which can be fitted by three symmetric Gaussian bands at 849 represent absorption states of the Si-N stretching mode [52-54].”

  Characterization of semiconductor materials using synchrotron radiation-based near-field infrared microscopy and nano-FTIR spectroscopy DOI: 10.1364/OE.22.017948
• 880 cm⁻¹ förtroende 1,0

  “The peak at 880 is associated cm-1 with the Si-N stretching mode [25].”

  Examination of the Hydrogen Incorporation into Radio Frequency-Sputtered Hydrogenated SiNx Thin Films DOI: 10.3390/coatings11010054
• 1000 cm⁻¹ förtroende 1,0

  “The absorption bands below 1000 relate to the stretching and deformation vibrations of Si-C, Si-N, C-C, and C-H bonds, which, however are overlapping and consequently cannot be accurately assigned.”

  Crosslinking Behavior of UV-Cured Polyorganosilazane as Polymer-Derived Ceramic Precursor in Ambient and Nitrogen Atmosphere DOI: 10.3390/polym13152424