Silicon nitrogen — пики поглощения FTIR и назначения

Быстрый ответ

Silicon nitrogen обычно определяется по повторяющемуся кластеру характерных пиков, а не по одному точному числу из учебника. В таблице ниже показано, где в литературе чаще всего размещается эта группа в FTIR, ранжированная по накопленным доказательствам.

Характерные пики FTIR для Silicon nitrogen

Показаны 30 наиболее подтвержденных пиков из 32 всего для Silicon nitrogen.

Логика спектра

Назначение функциональных групп становится более уверенным, когда несколько ожидаемых полос появляются вместе. Используйте эту страницу, чтобы найти наиболее подтвержденные пики, затем убедитесь, что тот же образец демонстрирует согласованную картину, а не единичное изолированное совпадение.

Использование в реальных условиях

Эти страницы полезны для анализа неизвестных материалов, объяснения пиков в отчетах, устранения неполадок полимеров и проверки химической обоснованности семейства материалов-кандидатов.

Распространенные ошибки

• Использование одной страницы функциональной группы как полного заключения о материале без проверки остальной части спектра.
• Предполагая, что самая сильная полоса всегда является наиболее диагностической.
• Забывая, что обработка, добавки, старение и смеси могут смещать или расширять ожидаемые пики.

Рекомендации по проверке

Используйте DSC, GC-MS или TGA, когда несколько семейств материалов имеют схожие полосы или когда эффекты смеси делают интерпретацию FTIR неопределенной.

Литература, лежащая в основе этих назначений

• 470 cm⁻¹ достоверность 1,0

  “cm-1 The absorption bands centered at around 470, 820, 1170, 2180, and 3300 can be assigned to the Si-N symmetric stretching, Si-N asymmetric stretching, N-H bending, Si-H stretching, and NH stretching modes, respectively.”

  Evolution of Optical and Structural Properties of Silicon Nanocrystals Embedded in Silicon Nitride Films with Annealing Temperature DOI: 10.4028/www.scientific.net/JNanoR.49.163
• 490 cm⁻¹ достоверность 1,0

  “LLM confirmed rule peak-group candidate”

  Effect of PECVD silicon oxynitride film composition on the surface passivation of silicon wafers DOI: 10.1016/j.solmat.2011.09.052
• 917 cm⁻¹ достоверность 1,0

  “Fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy cm-1 analysis showed the Si-N-Si stretching peak at 917 further, the full width at half maxima and Si-N-Si peak position showed their dependency on the deposition temperature.”

  Deposition of silicon nitride films using chemical vapor deposition for photovoltaic applications DOI: 10.1016/j.rinp.2016.11.029
• 450 cm⁻¹ достоверность 1,0

  “LLM confirmed rule peak-group candidate”

  Optical and photoelectrochemical properties of nitrogen-doped a-SiC thin films deposited by reactive sputtering method at room temperature DOI: 10.1080/2374068X.2021.1890420
• 923 cm⁻¹ достоверность 1,0

  “2.0 10.4 (3) Si-N stretching 923 983 - - sin3 9.2”

  Comparative investigation of hydrogen bonding in silicon based PECVD grown dielectrics for optical waveguides DOI: 10.1016/j.optmat.2003.12.004
• 849 cm⁻¹ достоверность 1,0

  “cm-1, cm-1, cm-1, 912 and 961 which can be fitted by three symmetric Gaussian bands at 849 represent absorption states of the Si-N stretching mode [52-54].”

  Characterization of semiconductor materials using synchrotron radiation-based near-field infrared microscopy and nano-FTIR spectroscopy DOI: 10.1364/OE.22.017948
• 880 cm⁻¹ достоверность 1,0

  “The peak at 880 is associated cm-1 with the Si-N stretching mode [25].”

  Examination of the Hydrogen Incorporation into Radio Frequency-Sputtered Hydrogenated SiNx Thin Films DOI: 10.3390/coatings11010054
• 1000 cm⁻¹ достоверность 1,0

  “The absorption bands below 1000 relate to the stretching and deformation vibrations of Si-C, Si-N, C-C, and C-H bonds, which, however are overlapping and consequently cannot be accurately assigned.”

  Crosslinking Behavior of UV-Cured Polyorganosilazane as Polymer-Derived Ceramic Precursor in Ambient and Nitrogen Atmosphere DOI: 10.3390/polym13152424