Silicon nitrogen — Picos de absorção FTIR e atribuições
Estes são os números de onda característicos de FTIR nos quais Silicon nitrogen tende a absorver, compilados a partir da literatura publicada e classificados conforme as evidências de apoio. Cada atribuição pode ser rastreada até uma fonte (DOI) e validada de forma cruzada com nossos 320,000+ espectros de referência e grafo de conhecimento.
Respaldado por 8 fontes citadas
Resposta rápida
Silicon nitrogen é geralmente atribuído procurando por um aglomerado recorrente de picos característicos em vez de um número exato de livro-texto. A tabela abaixo mostra onde a literatura mais frequentemente coloca este grupo em FTIR, classificados por evidência acumulada.
Picos FTIR característicos para Silicon nitrogen
| Número de onda (cm⁻¹) | Fatos de suporte | Fontes citadas | Maior confiança |
|---|---|---|---|
| 450 | 2 | 2 | 1,0 |
| 850 | 2 | 1 | 1,0 |
| 904 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1162 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1300 | 1 | 1 | 1,0 |
| 840 | 1 | 1 | 1,0 |
| 709 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1000 | 1 | 1 | 1,0 |
| 3335 | 1 | 1 | 1,0 |
| 880 | 1 | 1 | 1,0 |
| 849 | 1 | 1 | 1,0 |
| 980 | 1 | 1 | 1,0 |
| 923 | 1 | 1 | 1,0 |
| 669 | 1 | 1 | 1,0 |
| 587 | 1 | 1 | 1,0 |
| 964 | 1 | 1 | 1,0 |
| 640 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1180 | 1 | 1 | 1,0 |
| 917 | 1 | 1 | 1,0 |
| 700 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1040 | 1 | 1 | 1,0 |
| 490 | 1 | 1 | 1,0 |
| 875 | 1 | 1 | 1,0 |
| 470 | 1 | 1 | 1,0 |
| 950 | 1 | 1 | 0,9 |
| 1083 | 1 | 0 | 1,0 |
| 1580 | 1 | 0 | 1,0 |
| 3350 | 1 | 0 | 1,0 |
| 1170 | 1 | 0 | 1,0 |
| 400 | 1 | 0 | 1,0 |
Mostrando os 30 picos mais suportados de 32 total para Silicon nitrogen.
Lógica do espectro
A atribuição de grupos funcionais torna-se mais confiante quando várias bandas esperadas aparecem juntas. Use esta página para encontrar os picos mais apoiados e, em seguida, confirme que a mesma amostra exibe um padrão coerente, em vez de um único hit isolado.
Uso no mundo real
Estas páginas são úteis para análise de material desconhecido, explicação de picos em relatórios, solução de problemas de polímeros e verificação se uma família de materiais candidata é quimicamente plausível.
Erros comuns
- Usar uma página de grupo funcional como veredito completo do material sem verificar o resto do espectro.
- Assumindo que a banda mais forte é sempre a mais diagnóstica.
- Esquecer que processamento, aditivos, envelhecimento e misturas podem deslocar ou alargar os picos esperados.
Conselho de verificação
Use DSC, GC-MS ou TGA quando várias famílias de materiais compartilham bandas semelhantes ou quando efeitos de mistura tornam a atribuição FTIR incerta.
Literatura por trás destas atribuições
-
470 cm⁻¹ confiança 1,0
“cm-1 The absorption bands centered at around 470, 820, 1170, 2180, and 3300 can be assigned to the Si-N symmetric stretching, Si-N asymmetric stretching, N-H bending, Si-H stretching, and NH stretching modes, respectively.”
Evolution of Optical and Structural Properties of Silicon Nanocrystals Embedded in Silicon Nitride Films with Annealing Temperature DOI: 10.4028/www.scientific.net/JNanoR.49.163 -
490 cm⁻¹ confiança 1,0
“LLM confirmed rule peak-group candidate”
Effect of PECVD silicon oxynitride film composition on the surface passivation of silicon wafers DOI: 10.1016/j.solmat.2011.09.052 -
917 cm⁻¹ confiança 1,0
“Fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy cm-1 analysis showed the Si-N-Si stretching peak at 917 further, the full width at half maxima and Si-N-Si peak position showed their dependency on the deposition temperature.”
Deposition of silicon nitride films using chemical vapor deposition for photovoltaic applications DOI: 10.1016/j.rinp.2016.11.029 -
450 cm⁻¹ confiança 1,0
“LLM confirmed rule peak-group candidate”
Optical and photoelectrochemical properties of nitrogen-doped a-SiC thin films deposited by reactive sputtering method at room temperature DOI: 10.1080/2374068X.2021.1890420 -
923 cm⁻¹ confiança 1,0
“2.0 10.4 (3) Si-N stretching 923 983 - - sin3 9.2”
Comparative investigation of hydrogen bonding in silicon based PECVD grown dielectrics for optical waveguides DOI: 10.1016/j.optmat.2003.12.004 -
849 cm⁻¹ confiança 1,0
“cm-1, cm-1, cm-1, 912 and 961 which can be fitted by three symmetric Gaussian bands at 849 represent absorption states of the Si-N stretching mode [52-54].”
Characterization of semiconductor materials using synchrotron radiation-based near-field infrared microscopy and nano-FTIR spectroscopy DOI: 10.1364/OE.22.017948 -
880 cm⁻¹ confiança 1,0
“The peak at 880 is associated cm-1 with the Si-N stretching mode [25].”
Examination of the Hydrogen Incorporation into Radio Frequency-Sputtered Hydrogenated SiNx Thin Films DOI: 10.3390/coatings11010054 -
1000 cm⁻¹ confiança 1,0
“The absorption bands below 1000 relate to the stretching and deformation vibrations of Si-C, Si-N, C-C, and C-H bonds, which, however are overlapping and consequently cannot be accurately assigned.”
Crosslinking Behavior of UV-Cured Polyorganosilazane as Polymer-Derived Ceramic Precursor in Ambient and Nitrogen Atmosphere DOI: 10.3390/polym13152424
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