Silicon nitrogen — FTIR absorbcijas pīķi un piešķīrumi
Šie ir raksturīgie FTIR viļņu skaitļi, kuros Silicon nitrogen parasti absorbē, un tie ir apkopoti no publicētās literatūras un sarindoti pēc pamatojošo pierādījumu stipruma. Katra piešķire ir izsekojama līdz avotam (DOI) un savstarpēji validēta, salīdzinot ar mūsu 320,000+ atsauces spektriem un zināšanu grafu.
Pamatots ar 8 citētiem avotiem
Ātra atbilde
Silicon nitrogen parasti tiek noteikts, meklējot atkārtotu raksturīgu virsotņu kopu, nevis vienu precīzu mācību grāmatas numuru. Zemāk esošā tabula parāda, kur literatūra visbiežāk novieto šo grupu FTIR, sarindots pēc uzkrātajiem pierādījumiem.
Raksturīgie FTIR pīķi priekš Silicon nitrogen
| Vilnu skaitlis (cm⁻¹) | Atbalstošie fakti | Citētie avoti | Augstākā pārliecība |
|---|---|---|---|
| 450 | 2 | 2 | 1,0 |
| 850 | 2 | 1 | 1,0 |
| 904 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1162 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1300 | 1 | 1 | 1,0 |
| 840 | 1 | 1 | 1,0 |
| 709 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1000 | 1 | 1 | 1,0 |
| 3335 | 1 | 1 | 1,0 |
| 880 | 1 | 1 | 1,0 |
| 849 | 1 | 1 | 1,0 |
| 980 | 1 | 1 | 1,0 |
| 923 | 1 | 1 | 1,0 |
| 669 | 1 | 1 | 1,0 |
| 587 | 1 | 1 | 1,0 |
| 964 | 1 | 1 | 1,0 |
| 640 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1180 | 1 | 1 | 1,0 |
| 917 | 1 | 1 | 1,0 |
| 700 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1040 | 1 | 1 | 1,0 |
| 490 | 1 | 1 | 1,0 |
| 875 | 1 | 1 | 1,0 |
| 470 | 1 | 1 | 1,0 |
| 950 | 1 | 1 | 0,9 |
| 1083 | 1 | 0 | 1,0 |
| 1580 | 1 | 0 | 1,0 |
| 3350 | 1 | 0 | 1,0 |
| 1170 | 1 | 0 | 1,0 |
| 400 | 1 | 0 | 1,0 |
Tiek rādītas 30 vislabāk atbalstītās virsotnes no 32 kopējām Silicon nitrogen.
Spektra loģika
Funkcionālās grupas piešķīrums kļūst pārliecinošāks, kad kopā parādās vairākas sagaidāmās joslas. Izmantojiet šo lapu, lai atrastu visspēcīgāk atbalstītos pīķus, pēc tam apstipriniet, ka tas pats paraugs uzrāda saskaņotu modeli, nevis vienu izolētu trāpījumu.
Reālās pasaules izmantošana
Šīs lapas ir noderīgas nezināmu materiālu analīzei, pīķu skaidrošanai pārskatos, polimēru problēmu risināšanai un pārbaudei, vai kandidātmateriālu grupa ir ķīmiski ticama.
Biežākās kļūdas
- Izmantojot vienu funkcionālās grupas lapu kā pilnīgu materiāla spriedumu, nepārbaudot pārējo spektru.
- Pieņemot, ka spēcīgākā josla vienmēr ir visdiagnostiskākā.
- Aizmirstot, ka apstrāde, piedevas, novecošana un maisījumi var novirzīt vai paplašināt paredzamos pīķus.
Verifikācijas padoms
Izmantojiet DSC, GC-MS vai TGA, kad vairākas materiālu grupas dalās ar līdzīgām joslām vai kad maisījumu efekti padara FTIR piešķīrumu nenoteiktu.
Literatūra aiz šiem piešķīrumiem
-
470 cm⁻¹ pārliecība 1,0
“cm-1 The absorption bands centered at around 470, 820, 1170, 2180, and 3300 can be assigned to the Si-N symmetric stretching, Si-N asymmetric stretching, N-H bending, Si-H stretching, and NH stretching modes, respectively.”
Evolution of Optical and Structural Properties of Silicon Nanocrystals Embedded in Silicon Nitride Films with Annealing Temperature DOI: 10.4028/www.scientific.net/JNanoR.49.163 -
490 cm⁻¹ pārliecība 1,0
“LLM confirmed rule peak-group candidate”
Effect of PECVD silicon oxynitride film composition on the surface passivation of silicon wafers DOI: 10.1016/j.solmat.2011.09.052 -
917 cm⁻¹ pārliecība 1,0
“Fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy cm-1 analysis showed the Si-N-Si stretching peak at 917 further, the full width at half maxima and Si-N-Si peak position showed their dependency on the deposition temperature.”
Deposition of silicon nitride films using chemical vapor deposition for photovoltaic applications DOI: 10.1016/j.rinp.2016.11.029 -
450 cm⁻¹ pārliecība 1,0
“LLM confirmed rule peak-group candidate”
Optical and photoelectrochemical properties of nitrogen-doped a-SiC thin films deposited by reactive sputtering method at room temperature DOI: 10.1080/2374068X.2021.1890420 -
923 cm⁻¹ pārliecība 1,0
“2.0 10.4 (3) Si-N stretching 923 983 - - sin3 9.2”
Comparative investigation of hydrogen bonding in silicon based PECVD grown dielectrics for optical waveguides DOI: 10.1016/j.optmat.2003.12.004 -
849 cm⁻¹ pārliecība 1,0
“cm-1, cm-1, cm-1, 912 and 961 which can be fitted by three symmetric Gaussian bands at 849 represent absorption states of the Si-N stretching mode [52-54].”
Characterization of semiconductor materials using synchrotron radiation-based near-field infrared microscopy and nano-FTIR spectroscopy DOI: 10.1364/OE.22.017948 -
880 cm⁻¹ pārliecība 1,0
“The peak at 880 is associated cm-1 with the Si-N stretching mode [25].”
Examination of the Hydrogen Incorporation into Radio Frequency-Sputtered Hydrogenated SiNx Thin Films DOI: 10.3390/coatings11010054 -
1000 cm⁻¹ pārliecība 1,0
“The absorption bands below 1000 relate to the stretching and deformation vibrations of Si-C, Si-N, C-C, and C-H bonds, which, however are overlapping and consequently cannot be accurately assigned.”
Crosslinking Behavior of UV-Cured Polyorganosilazane as Polymer-Derived Ceramic Precursor in Ambient and Nitrogen Atmosphere DOI: 10.3390/polym13152424
Skatiet Silicon nitrogen savā spektrā
Augšupielādējiet savu FTIR spektru un dažu sekunžu laikā saņemiet pilnu interpretācijas ziņojumu — pīķu piešķīrumus ar literatūras atsaucēm, bibliotēkas atbilstības un literatūrā pamatotu analīzi.