Silicon nitrogen — FTIR吸収ピークと帰属
これらは Silicon nitrogen が吸収する傾向がある特性FTIR波数であり、公開文献から編集され、裏付けとなる証拠でランク付けされています。各帰属はソース（DOI）にトレース可能で、当社の130,000以上の参照スペクトルと知識グラフに対してクロスバリデーションされています。
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クイックアンサー
Silicon nitrogen は、教科書の正確な数値ではなく、特徴的なピークの繰り返しクラスターを探すことで通常割り当てられます。以下の表は、文献がこのグループをFTIRで最も頻繁に配置する場所を、蓄積された証拠に基づいてランク付けしたものです。
Silicon nitrogen の特性FTIRピーク
| 波数 (cm⁻¹) | 裏付け事実 | 引用元 | 最高信頼度 |
|---|---|---|---|
| 850 | 3 | 1 | 1.0 |
| 450 | 2 | 2 | 1.0 |
| 490 | 2 | 1 | 1.0 |
| 904 | 1 | 1 | 1.0 |
| 1162 | 1 | 1 | 1.0 |
| 1300 | 1 | 1 | 1.0 |
| 840 | 1 | 1 | 1.0 |
| 709 | 1 | 1 | 1.0 |
| 1000 | 1 | 1 | 1.0 |
| 849 | 1 | 1 | 1.0 |
| 3335 | 1 | 1 | 1.0 |
| 880 | 1 | 1 | 1.0 |
| 980 | 1 | 1 | 1.0 |
| 923 | 1 | 1 | 1.0 |
| 669 | 1 | 1 | 1.0 |
| 587 | 1 | 1 | 1.0 |
| 964 | 1 | 1 | 1.0 |
| 640 | 1 | 1 | 1.0 |
| 1180 | 1 | 1 | 1.0 |
| 917 | 1 | 1 | 1.0 |
| 700 | 1 | 1 | 1.0 |
| 1040 | 1 | 1 | 1.0 |
| 875 | 1 | 1 | 1.0 |
| 470 | 1 | 1 | 1.0 |
| 1019 | 1 | 1 | 0.9 |
| 1075 | 1 | 1 | 0.7 |
| 1150 | 1 | 1 | 0.6 |
| 1083 | 1 | 0 | 1.0 |
| 1580 | 1 | 0 | 1.0 |
| 3350 | 1 | 0 | 1.0 |
合計 34 個中、最も支持されている30個のピークを Silicon nitrogen に対して表示しています。
可能性のある材料
スペクトルロジック
複数の期待されるバンドが同時に現れると、官能基の帰属の信頼性が高まります。このページを使用して最も強く支持されるピークを見つけ、その後、同じサンプルが孤立したヒットではなく一貫したパターンを示すことを確認してください。
実使用例
これらのページは、未知材料分析、レポート内のピーク説明、ポリマートラブルシューティング、および候補材料ファミリーが化学的に妥当かどうかの検証に役立ちます。
よくある間違い
- スペクトルの残りを確認せずに、1つの官能基ページを完全な材料判定として使用すること。
- 最も強いバンドが常に最も診断的であると仮定しています。
- 加工、添加剤、経年変化、混合物が予想されるピークをシフトまたはブロードにする可能性があることを忘れている。
検証アドバイス
DSC、GC-MS、またはTGAを使用してください。複数の材料ファミリーが類似したバンドを共有する場合や、混合物の影響でFTIRの帰属が不確かな場合に適しています。
これらのアサインの根拠となる文献
-
470 cm⁻¹ 信頼度 1.0
“cm-1 The absorption bands centered at around 470, 820, 1170, 2180, and 3300 can be assigned to the Si-N symmetric stretching, Si-N asymmetric stretching, N-H bending, Si-H stretching, and NH stretching modes, respectively.”
Benyahia 等 - 2017 - Evolution of Optical and Structural Properties of DOI: 10.4028/www.scientific.net/JNanoR.49.163 -
490 cm⁻¹ 信頼度 1.0
“(cm(cid:2)2) K Reference Bond Mode Wavenumber (cm(cid:2)1) symmetric stretching 490 - [15] Si-N N-Si3 Si-H Si-H wag-rocking”
Effect of PECVD silicon oxynitride film composition on the surface passivation of silicon wafers DOI: 10.1016/j.solmat.2011.09.052 -
917 cm⁻¹ 信頼度 1.0
“Fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy cm-1 analysis showed the Si-N-Si stretching peak at 917 further, the full width at half maxima and Si-N-Si peak position showed their dependency on the deposition temperature.”
Deposition of Silicon Nitride Films using Chemical Vapor deposition for Photovoltaic Applications DOI: 10.1016/j.rinp.2016.11.029 -
450 cm⁻¹ 信頼度 1.0
“LLM confirmed rule peak-group candidate”
Optical and photoelectrochemical properties of nitrogen-doped a-SiC thin films deposited by reactive DOI: 10.1080/2374068X.2021.1890420 -
923 cm⁻¹ 信頼度 1.0
“2.0 10.4 (3) Si-N stretching 923 983 - - sin3 9.2”
Ay 和 Aydinli - 2004 - Comparative investigation of hydrogen bonding in s DOI: 10.1016/j.optmat.2003.12.004 -
880 cm⁻¹ 信頼度 1.0
“The peak at 880 is associated cm-1 with the Si-N stretching mode [25].”
Examination of the Hydrogen Incorporation into Radio Frequency-Sputtered Hydrogenated SiNx Thin Films DOI: 10.3390/coatings11010054 -
849 cm⁻¹ 信頼度 1.0
“cm-1, cm-1, cm-1, 912 and 961 which can be fitted by three symmetric Gaussian bands at 849 represent absorption states of the Si-N stretching mode [52-54].”
Hermann 等 - 2014 - Characterization of semiconductor materials using DOI: 10.1364/OE.22.017948 -
1000 cm⁻¹ 信頼度 1.0
“The absorption bands below 1000 relate to the stretching and deformation vibrations of Si-C, Si-N, C-C, and C-H bonds, which, however are overlapping and consequently cannot be accurately assigned.”
Crosslinking Behavior of UV-Cured Polyorganosilazane as Polymer-Derived Ceramic Precursor in Ambient and Nitrogen Atmosphere DOI: 10.3390/polym13152424
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