Silicon nitrogen — Picchi di assorbimento FTIR e assegnazioni
Questi sono i numeri d＇onda FTIR caratteristici in cui Silicon nitrogen tende ad assorbire, compilati dalla letteratura pubblicata e classificati per evidenze di supporto. Ogni assegnazione è tracciabile a una fonte (DOI) e convalidata incrociando i nostri oltre 130.000 spettri di riferimento e il grafico della conoscenza.
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Risposta rapida
Silicon nitrogen viene solitamente assegnato cercando un cluster ricorrente di picchi caratteristici piuttosto che un numero esatto da manuale. La tabella seguente mostra dove la letteratura colloca più spesso questo gruppo in FTIR, classificato per evidenza accumulata.
Picchi FTIR caratteristici per Silicon nitrogen
| Numero d＇onda (cm⁻¹) | Fatti di supporto | Fonti citate | Affidabilità massima |
|---|---|---|---|
| 850 | 3 | 1 | 1,0 |
| 450 | 2 | 2 | 1,0 |
| 490 | 2 | 1 | 1,0 |
| 904 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1162 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1300 | 1 | 1 | 1,0 |
| 840 | 1 | 1 | 1,0 |
| 709 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1000 | 1 | 1 | 1,0 |
| 849 | 1 | 1 | 1,0 |
| 3335 | 1 | 1 | 1,0 |
| 880 | 1 | 1 | 1,0 |
| 980 | 1 | 1 | 1,0 |
| 923 | 1 | 1 | 1,0 |
| 669 | 1 | 1 | 1,0 |
| 587 | 1 | 1 | 1,0 |
| 964 | 1 | 1 | 1,0 |
| 640 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1180 | 1 | 1 | 1,0 |
| 917 | 1 | 1 | 1,0 |
| 700 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1040 | 1 | 1 | 1,0 |
| 875 | 1 | 1 | 1,0 |
| 470 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1019 | 1 | 1 | 0,9 |
| 1075 | 1 | 1 | 0,7 |
| 1150 | 1 | 1 | 0,6 |
| 1083 | 1 | 0 | 1,0 |
| 1580 | 1 | 0 | 1,0 |
| 3350 | 1 | 0 | 1,0 |
Mostrando i 30 picchi meglio supportati su 34 totali per Silicon nitrogen.
Materiali possibili
Logica dello spettro
Un＇assegnazione di gruppo funzionale diventa più affidabile quando diverse bande attese appaiono insieme. Usa questa pagina per trovare i picchi più supportati, poi conferma che lo stesso campione mostra un pattern coerente piuttosto che un singolo hit isolato.
Utilizzo nel mondo reale
Queste pagine sono utili per l＇analisi di materiali sconosciuti, la spiegazione dei picchi nei rapporti, la risoluzione dei problemi dei polimeri e la verifica se una famiglia di materiali candidati è chimicamente plausibile.
Errori comuni
- Utilizzare una pagina di gruppo funzionale come verdetto completo del materiale senza controllare il resto dello spettro.
- Supponendo che la banda più forte sia sempre la più diagnostica.
- Dimenticare che la lavorazione, gli additivi, l＇invecchiamento e le miscele possono spostare o allargare i picchi attesi.
Consiglio di verifica
Utilizzare DSC, GC-MS o TGA quando più famiglie di materiali condividono bande simili o quando gli effetti di miscela rendono incerta l＇assegnazione FTIR.
Letteratura dietro queste assegnazioni
-
470 cm⁻¹ affidabilità 1,0
“cm-1 The absorption bands centered at around 470, 820, 1170, 2180, and 3300 can be assigned to the Si-N symmetric stretching, Si-N asymmetric stretching, N-H bending, Si-H stretching, and NH stretching modes, respectively.”
Benyahia 等 - 2017 - Evolution of Optical and Structural Properties of DOI: 10.4028/www.scientific.net/JNanoR.49.163 -
490 cm⁻¹ affidabilità 1,0
“(cm(cid:2)2) K Reference Bond Mode Wavenumber (cm(cid:2)1) symmetric stretching 490 - [15] Si-N N-Si3 Si-H Si-H wag-rocking”
Effect of PECVD silicon oxynitride film composition on the surface passivation of silicon wafers DOI: 10.1016/j.solmat.2011.09.052 -
917 cm⁻¹ affidabilità 1,0
“Fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy cm-1 analysis showed the Si-N-Si stretching peak at 917 further, the full width at half maxima and Si-N-Si peak position showed their dependency on the deposition temperature.”
Deposition of Silicon Nitride Films using Chemical Vapor deposition for Photovoltaic Applications DOI: 10.1016/j.rinp.2016.11.029 -
450 cm⁻¹ affidabilità 1,0
“LLM confirmed rule peak-group candidate”
Optical and photoelectrochemical properties of nitrogen-doped a-SiC thin films deposited by reactive DOI: 10.1080/2374068X.2021.1890420 -
923 cm⁻¹ affidabilità 1,0
“2.0 10.4 (3) Si-N stretching 923 983 - - sin3 9.2”
Ay 和 Aydinli - 2004 - Comparative investigation of hydrogen bonding in s DOI: 10.1016/j.optmat.2003.12.004 -
880 cm⁻¹ affidabilità 1,0
“The peak at 880 is associated cm-1 with the Si-N stretching mode [25].”
Examination of the Hydrogen Incorporation into Radio Frequency-Sputtered Hydrogenated SiNx Thin Films DOI: 10.3390/coatings11010054 -
849 cm⁻¹ affidabilità 1,0
“cm-1, cm-1, cm-1, 912 and 961 which can be fitted by three symmetric Gaussian bands at 849 represent absorption states of the Si-N stretching mode [52-54].”
Hermann 等 - 2014 - Characterization of semiconductor materials using DOI: 10.1364/OE.22.017948 -
1000 cm⁻¹ affidabilità 1,0
“The absorption bands below 1000 relate to the stretching and deformation vibrations of Si-C, Si-N, C-C, and C-H bonds, which, however are overlapping and consequently cannot be accurately assigned.”
Crosslinking Behavior of UV-Cured Polyorganosilazane as Polymer-Derived Ceramic Precursor in Ambient and Nitrogen Atmosphere DOI: 10.3390/polym13152424
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