Silicium azote — Pics d＇absorption FTIR et attributions
Voici les nombres d’onde FTIR caractéristiques auxquels Silicium azote a tendance à absorber, compilés à partir de la littérature publiée et classés selon les éléments probants disponibles. Chaque attribution est traçable jusqu’à une source (DOI) et validée par comparaison croisée avec nos 320,000+ spectres de référence et notre graphe de connaissances.
Ét ayé par 8 sources citées
Réponse rapide
Silicium azote est généralement attribué en recherchant un groupe récurrent de pics caractéristiques plutôt qu＇un numéro exact de manuel. Le tableau ci-dessous montre où la littérature place le plus souvent ce groupe en FTIR, classé par preuves accumulées.
Pics FTIR caractéristiques pour Silicium azote
| Nombre d＇onde (cm⁻¹) | Faits à l＇appui | Sources citées | Confiance maximale |
|---|---|---|---|
| 450 | 2 | 2 | 1,0 |
| 850 | 2 | 1 | 1,0 |
| 904 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1162 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1300 | 1 | 1 | 1,0 |
| 840 | 1 | 1 | 1,0 |
| 709 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1000 | 1 | 1 | 1,0 |
| 3335 | 1 | 1 | 1,0 |
| 880 | 1 | 1 | 1,0 |
| 849 | 1 | 1 | 1,0 |
| 980 | 1 | 1 | 1,0 |
| 923 | 1 | 1 | 1,0 |
| 669 | 1 | 1 | 1,0 |
| 587 | 1 | 1 | 1,0 |
| 964 | 1 | 1 | 1,0 |
| 640 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1180 | 1 | 1 | 1,0 |
| 917 | 1 | 1 | 1,0 |
| 700 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1040 | 1 | 1 | 1,0 |
| 490 | 1 | 1 | 1,0 |
| 875 | 1 | 1 | 1,0 |
| 470 | 1 | 1 | 1,0 |
| 950 | 1 | 1 | 0,9 |
| 1083 | 1 | 0 | 1,0 |
| 1580 | 1 | 0 | 1,0 |
| 3350 | 1 | 0 | 1,0 |
| 1170 | 1 | 0 | 1,0 |
| 400 | 1 | 0 | 1,0 |
Affichage des 30 pics les mieux soutenus sur 32 au total pour Silicium azote.
Logique du spectre
Une attribution de groupe fonctionnel devient plus fiable lorsque plusieurs bandes attendues apparaissent ensemble. Utilisez cette page pour trouver les pics les mieux soutenus, puis confirmez que le même échantillon présente un motif cohérent plutôt qu＇un seul résultat isolé.
Utilisation réelle
Ces pages sont utiles pour l＇analyse de matériaux inconnus, l＇explication des pics dans les rapports, le dépannage des polymères et la vérification de la plausibilité chimique d＇une famille de matériaux candidate.
Erreurs courantes
- Utiliser une page de groupe fonctionnel comme verdict complet du matériau sans vérifier le reste du spectre.
- En supposant que la bande la plus forte est toujours la plus diagnostique.
- Oublier que le traitement, les additifs, le vieillissement et les mélanges peuvent décaler ou élargir les pics attendus.
Conseil de vérification
Utilisez DSC, GC-MS ou TGA lorsque plusieurs familles de matériaux partagent des bandes similaires ou lorsque les effets de mélange rendent l＇attribution FTIR incertaine.
Bibliographie derrière ces attributions
-
470 cm⁻¹ confiance 1,0
“cm-1 Les bandes d＇absorption centrées autour de 470, 820, 1170, 2180, et 3300 peuvent être attribuées aux modes d＇étirement symétrique Si-N, étirement asymétrique Si-N, flexion N-H, étirement Si-H, et étirement NH, respectivement.”
Evolution of Optical and Structural Properties of Silicon Nanocrystals Embedded in Silicon Nitride Films with Annealing Temperature DOI: 10.4028/www.scientific.net/JNanoR.49.163 -
490 cm⁻¹ confiance 1,0
“Candidat de groupe de pics confirmé par LLM”
Effect of PECVD silicon oxynitride film composition on the surface passivation of silicon wafers DOI: 10.1016/j.solmat.2011.09.052 -
917 cm⁻¹ confiance 1,0
“L＇analyse par spectroscopie infrarouge à transformée de Fourier (FTIR) cm-1 a montré le pic d＇étirement Si-N-Si à 917. De plus, la largeur à mi-hauteur et la position du pic Si-N-Si ont montré leur dépendance à la température de dépôt.”
Deposition of silicon nitride films using chemical vapor deposition for photovoltaic applications DOI: 10.1016/j.rinp.2016.11.029 -
450 cm⁻¹ confiance 1,0
“Candidat de groupe de pics confirmé par LLM”
Optical and photoelectrochemical properties of nitrogen-doped a-SiC thin films deposited by reactive sputtering method at room temperature DOI: 10.1080/2374068X.2021.1890420 -
923 cm⁻¹ confiance 1,0
“2.0 10.4 (3) Si-N étirement 923 983 - - sin3 9.2”
Comparative investigation of hydrogen bonding in silicon based PECVD grown dielectrics for optical waveguides DOI: 10.1016/j.optmat.2003.12.004 -
849 cm⁻¹ confiance 1,0
“cm-1, cm-1, cm-1, 912 et 961 qui peuvent être ajustées par trois bandes gaussiennes symétriques à 849 représentent des états d＇absorption du mode d＇étirement Si-N [52-54].”
Characterization of semiconductor materials using synchrotron radiation-based near-field infrared microscopy and nano-FTIR spectroscopy DOI: 10.1364/OE.22.017948 -
880 cm⁻¹ confiance 1,0
“Le pic à 880 cm-1 est associé au mode d＇étirement Si-N [25].”
Examination of the Hydrogen Incorporation into Radio Frequency-Sputtered Hydrogenated SiNx Thin Films DOI: 10.3390/coatings11010054 -
1000 cm⁻¹ confiance 1,0
“Les bandes d＇absorption en dessous de 1000 sont liées aux vibrations d＇étirement et de déformation des liaisons Si-C, Si-N, C-C et C-H, qui, cependant, se chevauchent et ne peuvent donc pas être attribuées avec précision.”
Crosslinking Behavior of UV-Cured Polyorganosilazane as Polymer-Derived Ceramic Precursor in Ambient and Nitrogen Atmosphere DOI: 10.3390/polym13152424
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