Silicon nitrogen — picos de absorción FTIR y asignaciones
Estas son las frecuencias de onda características de FTIR en las que Silicon nitrogen tiende a absorber, recopiladas de la bibliografía publicada y clasificadas según la evidencia disponible. Cada asignación puede rastrearse hasta una fuente (DOI) y se ha validado comparándola con nuestros 320,000+ espectros de referencia y nuestro grafo de conocimiento.
Respaldado por 8 fuentes citadas
Respuesta rápida
Silicon nitrogen se asigna generalmente buscando un grupo recurrente de picos característicos en lugar de un número exacto de libro de texto. La siguiente tabla muestra dónde la literatura coloca con mayor frecuencia este grupo en FTIR, clasificado por evidencia acumulada.
Picos FTIR característicos para Silicon nitrogen
| Número de onda (cm⁻¹) | Hechos de respaldo | Fuentes citadas | Confianza máxima |
|---|---|---|---|
| 450 | 2 | 2 | 1,0 |
| 850 | 2 | 1 | 1,0 |
| 904 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1162 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1300 | 1 | 1 | 1,0 |
| 840 | 1 | 1 | 1,0 |
| 709 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1000 | 1 | 1 | 1,0 |
| 3335 | 1 | 1 | 1,0 |
| 880 | 1 | 1 | 1,0 |
| 849 | 1 | 1 | 1,0 |
| 980 | 1 | 1 | 1,0 |
| 923 | 1 | 1 | 1,0 |
| 669 | 1 | 1 | 1,0 |
| 587 | 1 | 1 | 1,0 |
| 964 | 1 | 1 | 1,0 |
| 640 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1180 | 1 | 1 | 1,0 |
| 917 | 1 | 1 | 1,0 |
| 700 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1040 | 1 | 1 | 1,0 |
| 490 | 1 | 1 | 1,0 |
| 875 | 1 | 1 | 1,0 |
| 470 | 1 | 1 | 1,0 |
| 950 | 1 | 1 | 0,9 |
| 1083 | 1 | 0 | 1,0 |
| 1580 | 1 | 0 | 1,0 |
| 3350 | 1 | 0 | 1,0 |
| 1170 | 1 | 0 | 1,0 |
| 400 | 1 | 0 | 1,0 |
Mostrando los 30 picos mejor respaldados de 32 totales para Silicon nitrogen.
Lógica de espectro
Una asignación de grupo funcional se vuelve más confiable cuando varias bandas esperadas aparecen juntas. Use esta página para encontrar los picos con mayor soporte, luego confirme que la misma muestra exhibe un patrón coherente en lugar de un solo acierto aislado.
Uso en el mundo real
Estas páginas son útiles para el análisis de materiales desconocidos, la explicación de picos en informes, la resolución de problemas de polímeros y la verificación de si una familia de materiales candidata es químicamente plausible.
Errores comunes
- Usar una página de grupo funcional como veredicto completo del material sin verificar el resto del espectro.
- Asumiendo que la banda más fuerte es siempre la más diagnóstica.
- Olvidar que el procesamiento, los aditivos, el envejecimiento y las mezclas pueden desplazar o ensanchar los picos esperados.
Consejo de verificación
Utilice DSC, GC-MS o TGA cuando varias familias de materiales compartan bandas similares o cuando los efectos de mezcla hagan incierta la asignación de FTIR.
Literatura detrás de estas asignaciones
-
470 cm⁻¹ confianza 1,0
“cm-1 The absorption bands centered at around 470, 820, 1170, 2180, and 3300 can be assigned to the Si-N symmetric stretching, Si-N asymmetric stretching, N-H bending, Si-H stretching, and NH stretching modes, respectively.”
Evolution of Optical and Structural Properties of Silicon Nanocrystals Embedded in Silicon Nitride Films with Annealing Temperature DOI: 10.4028/www.scientific.net/JNanoR.49.163 -
490 cm⁻¹ confianza 1,0
“LLM confirmed rule peak-group candidate”
Effect of PECVD silicon oxynitride film composition on the surface passivation of silicon wafers DOI: 10.1016/j.solmat.2011.09.052 -
917 cm⁻¹ confianza 1,0
“Fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy cm-1 analysis showed the Si-N-Si stretching peak at 917 further, the full width at half maxima and Si-N-Si peak position showed their dependency on the deposition temperature.”
Deposition of silicon nitride films using chemical vapor deposition for photovoltaic applications DOI: 10.1016/j.rinp.2016.11.029 -
450 cm⁻¹ confianza 1,0
“LLM confirmed rule peak-group candidate”
Optical and photoelectrochemical properties of nitrogen-doped a-SiC thin films deposited by reactive sputtering method at room temperature DOI: 10.1080/2374068X.2021.1890420 -
923 cm⁻¹ confianza 1,0
“2.0 10.4 (3) Si-N stretching 923 983 - - sin3 9.2”
Comparative investigation of hydrogen bonding in silicon based PECVD grown dielectrics for optical waveguides DOI: 10.1016/j.optmat.2003.12.004 -
849 cm⁻¹ confianza 1,0
“cm-1, cm-1, cm-1, 912 and 961 which can be fitted by three symmetric Gaussian bands at 849 represent absorption states of the Si-N stretching mode [52-54].”
Characterization of semiconductor materials using synchrotron radiation-based near-field infrared microscopy and nano-FTIR spectroscopy DOI: 10.1364/OE.22.017948 -
880 cm⁻¹ confianza 1,0
“The peak at 880 is associated cm-1 with the Si-N stretching mode [25].”
Examination of the Hydrogen Incorporation into Radio Frequency-Sputtered Hydrogenated SiNx Thin Films DOI: 10.3390/coatings11010054 -
1000 cm⁻¹ confianza 1,0
“The absorption bands below 1000 relate to the stretching and deformation vibrations of Si-C, Si-N, C-C, and C-H bonds, which, however are overlapping and consequently cannot be accurately assigned.”
Crosslinking Behavior of UV-Cured Polyorganosilazane as Polymer-Derived Ceramic Precursor in Ambient and Nitrogen Atmosphere DOI: 10.3390/polym13152424
Vea Silicon nitrogen en su propio espectro
Cargue su espectro FTIR y obtenga un informe de interpretación completo — asignaciones de picos con citas de literatura, coincidencias de biblioteca y un análisis respaldado por literatura — en segundos.