Silicon nitrogen — FTIR-Absorptionspeaks und Zuordnungen
Dies sind die charakteristischen FTIR-Wellenzahlen, bei denen Silicon nitrogen tendenziell absorbiert. Sie wurden aus veröffentlichter Literatur zusammengestellt und nach der unterstützenden Evidenz geordnet. Jede Zuordnung ist bis zu einer Quelle (DOI) rückverfolgbar und wurde anhand unserer 320,000+ Referenzspektren und unseres Wissensgraphen kreuzvalidiert.
Gestützt durch 8 zitierte Quellen
Schnelle Antwort
Silicon nitrogen wird normalerweise durch die Suche nach einem wiederkehrenden Cluster charakteristischer Peaks zugeordnet, nicht nach einer exakten Lehrbuchzahl. Die folgende Tabelle zeigt, wo die Literatur diese Gruppe am häufigsten im FTIR platziert, geordnet nach gesammelten Belegen.
Charakteristische FTIR-Peaks für Silicon nitrogen
| Wellenzahl (cm⁻¹) | Unterstützende Fakten | Zitierte Quellen | Höchstes Vertrauen |
|---|---|---|---|
| 450 | 2 | 2 | 1,0 |
| 850 | 2 | 1 | 1,0 |
| 904 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1162 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1300 | 1 | 1 | 1,0 |
| 840 | 1 | 1 | 1,0 |
| 709 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1000 | 1 | 1 | 1,0 |
| 3335 | 1 | 1 | 1,0 |
| 880 | 1 | 1 | 1,0 |
| 849 | 1 | 1 | 1,0 |
| 980 | 1 | 1 | 1,0 |
| 923 | 1 | 1 | 1,0 |
| 669 | 1 | 1 | 1,0 |
| 587 | 1 | 1 | 1,0 |
| 964 | 1 | 1 | 1,0 |
| 640 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1180 | 1 | 1 | 1,0 |
| 917 | 1 | 1 | 1,0 |
| 700 | 1 | 1 | 1,0 |
| 1040 | 1 | 1 | 1,0 |
| 490 | 1 | 1 | 1,0 |
| 875 | 1 | 1 | 1,0 |
| 470 | 1 | 1 | 1,0 |
| 950 | 1 | 1 | 0,9 |
| 1083 | 1 | 0 | 1,0 |
| 1580 | 1 | 0 | 1,0 |
| 3350 | 1 | 0 | 1,0 |
| 1170 | 1 | 0 | 1,0 |
| 400 | 1 | 0 | 1,0 |
Zeigt die 30 am besten gestützten Peaks von insgesamt 32 für Silicon nitrogen an.
Spektrumslogik
Eine funktionelle Gruppen-Zuordnung wird sicherer, wenn mehrere erwartete Banden gemeinsam auftreten. Verwenden Sie diese Seite, um die am stärksten gestützten Peaks zu finden, und bestätigen Sie dann, dass dieselbe Probe ein kohärentes Muster und nicht einen einzelnen isolierten Treffer aufweist.
Praktische Anwendung
Diese Seiten sind nützlich für die Analyse unbekannter Materialien, die Erklärung von Peaks in Berichten, die Fehlerbehebung bei Polymeren und die Überprüfung, ob eine in Frage kommende Materialfamilie chemisch plausibel ist.
Häufige Fehler
- Verwendung einer Seite für funktionelle Gruppen als vollständiges Materialurteil, ohne den Rest des Spektrums zu überprüfen.
- Annahme, dass die stärkste Bande immer die diagnostischste ist.
- Vergessen, dass Verarbeitung, Zusatzstoffe, Alterung und Mischungen erwartete Peaks verschieben oder verbreitern können.
Beratung zur Verifizierung
Verwenden Sie DSC, GC-MS oder TGA, wenn mehrere Materialfamilien ähnliche Banden aufweisen oder wenn Mischeffekte die FTIR-Zuordnung unsicher machen.
Literatur hinter diesen Zuweisungen
-
470 cm⁻¹ Vertrauen 1,0
“cm-1 The absorption bands centered at around 470, 820, 1170, 2180, and 3300 can be assigned to the Si-N symmetric stretching, Si-N asymmetric stretching, N-H bending, Si-H stretching, and NH stretching modes, respectively.”
Evolution of Optical and Structural Properties of Silicon Nanocrystals Embedded in Silicon Nitride Films with Annealing Temperature DOI: 10.4028/www.scientific.net/JNanoR.49.163 -
490 cm⁻¹ Vertrauen 1,0
“LLM confirmed rule peak-group candidate”
Effect of PECVD silicon oxynitride film composition on the surface passivation of silicon wafers DOI: 10.1016/j.solmat.2011.09.052 -
917 cm⁻¹ Vertrauen 1,0
“Fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy cm-1 analysis showed the Si-N-Si stretching peak at 917 further, the full width at half maxima and Si-N-Si peak position showed their dependency on the deposition temperature.”
Deposition of silicon nitride films using chemical vapor deposition for photovoltaic applications DOI: 10.1016/j.rinp.2016.11.029 -
450 cm⁻¹ Vertrauen 1,0
“LLM confirmed rule peak-group candidate”
Optical and photoelectrochemical properties of nitrogen-doped a-SiC thin films deposited by reactive sputtering method at room temperature DOI: 10.1080/2374068X.2021.1890420 -
923 cm⁻¹ Vertrauen 1,0
“2.0 10.4 (3) Si-N stretching 923 983 - - sin3 9.2”
Comparative investigation of hydrogen bonding in silicon based PECVD grown dielectrics for optical waveguides DOI: 10.1016/j.optmat.2003.12.004 -
849 cm⁻¹ Vertrauen 1,0
“cm-1, cm-1, cm-1, 912 and 961 which can be fitted by three symmetric Gaussian bands at 849 represent absorption states of the Si-N stretching mode [52-54].”
Characterization of semiconductor materials using synchrotron radiation-based near-field infrared microscopy and nano-FTIR spectroscopy DOI: 10.1364/OE.22.017948 -
880 cm⁻¹ Vertrauen 1,0
“The peak at 880 is associated cm-1 with the Si-N stretching mode [25].”
Examination of the Hydrogen Incorporation into Radio Frequency-Sputtered Hydrogenated SiNx Thin Films DOI: 10.3390/coatings11010054 -
1000 cm⁻¹ Vertrauen 1,0
“The absorption bands below 1000 relate to the stretching and deformation vibrations of Si-C, Si-N, C-C, and C-H bonds, which, however are overlapping and consequently cannot be accurately assigned.”
Crosslinking Behavior of UV-Cured Polyorganosilazane as Polymer-Derived Ceramic Precursor in Ambient and Nitrogen Atmosphere DOI: 10.3390/polym13152424
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