Silicon nitrogen — FTIR শোষণ পিক এবং অ্যাসাইনমেন্ট
এগুলো হলো বৈশিষ্ট্যপূর্ণ FTIR ওয়েভনাম্বর, যেখানে Silicon nitrogen সাধারণত শোষণ করতে প্রবণ, যা প্রকাশিত সাহিত্য থেকে সংকলিত এবং সহায়ক প্রমাণের ভিত্তিতে র্যাঙ্ক করা হয়েছে। প্রতিটি অ্যাসাইনমেন্ট একটি উৎস (DOI)-এর সঙ্গে ট্রেসযোগ্য এবং আমাদের 320,000+টি রেফারেন্স স্পেকট্রাম ও নলেজ গ্রাফের বিরুদ্ধে ক্রস-ভ্যালিডেট করা হয়েছে।
8টি উদ্ধৃত উৎস দ্বারা সমর্থিত
দ্রুত উত্তর
Silicon nitrogen সাধারণত একটি নির্দিষ্ট পাঠ্যপুস্তকের সংখ্যার পরিবর্তে বৈশিষ্ট্যপূর্ণ পিকের পুনরাবৃত্ত ক্লাস্টার খুঁজে নির্ধারণ করা হয়। নীচের সারণীটি দেখায় যে সাহিত্যে এই গ্রুপটি FTIR-এ সবচেয়ে বেশি কোথায় রাখে, সঞ্চিত প্রমাণ অনুযায়ী র্যাঙ্ক করা।
Silicon nitrogen-এর জন্য বৈশিষ্ট্যযুক্ত FTIR পিক
| তরঙ্গসংখ্যা (cm⁻¹) | সমর্থনকারী তথ্য | উদ্ধৃত সূত্র | সর্বোচ্চ আত্মবিশ্বাস |
|---|---|---|---|
| 450 | 2 | 2 | 1.0 |
| 850 | 2 | 1 | 1.0 |
| 904 | 1 | 1 | 1.0 |
| 1162 | 1 | 1 | 1.0 |
| 1300 | 1 | 1 | 1.0 |
| 840 | 1 | 1 | 1.0 |
| 709 | 1 | 1 | 1.0 |
| 1000 | 1 | 1 | 1.0 |
| 3335 | 1 | 1 | 1.0 |
| 880 | 1 | 1 | 1.0 |
| 849 | 1 | 1 | 1.0 |
| 980 | 1 | 1 | 1.0 |
| 923 | 1 | 1 | 1.0 |
| 669 | 1 | 1 | 1.0 |
| 587 | 1 | 1 | 1.0 |
| 964 | 1 | 1 | 1.0 |
| 640 | 1 | 1 | 1.0 |
| 1180 | 1 | 1 | 1.0 |
| 917 | 1 | 1 | 1.0 |
| 700 | 1 | 1 | 1.0 |
| 1040 | 1 | 1 | 1.0 |
| 490 | 1 | 1 | 1.0 |
| 875 | 1 | 1 | 1.0 |
| 470 | 1 | 1 | 1.0 |
| 950 | 1 | 1 | 0.9 |
| 1083 | 1 | 0 | 1.0 |
| 1580 | 1 | 0 | 1.0 |
| 3350 | 1 | 0 | 1.0 |
| 1170 | 1 | 0 | 1.0 |
| 400 | 1 | 0 | 1.0 |
Showing the 30 best-supported peaks of 32 total for Silicon nitrogen.
স্পেকট্রাম লজিক
যখন বেশ কয়েকটি প্রত্যাশিত ব্যান্ড একসাথে দেখা যায় তখন একটি কার্যকরী-গ্রুপ নির্ধারণ আরও আত্মবিশ্বাসী হয়। এই পৃষ্ঠাটি ব্যবহার করে সবচেয়ে শক্তিশালী সমর্থিত শিখরগুলি খুঁজুন, তারপর নিশ্চিত করুন যে একই নমুনা একটি একক বিচ্ছিন্ন হিটের পরিবর্তে একটি সুসংগত প্যাটার্ন প্রদর্শন করে।
বাস্তব বিশ্বের ব্যবহার
এই পৃষ্ঠাগুলি অজানা উপাদান বিশ্লেষণ, প্রতিবেদনে শিখর ব্যাখ্যা, পলিমার সমস্যা সমাধান এবং একটি প্রার্থী উপাদান পরিবার রাসায়নিকভাবে সম্ভাব্য কিনা তা যাচাই করার জন্য দরকারী।
সাধারণ ভুল
- বর্ণালীর বাকি অংশ না দেখে একটি কার্যকরী-গ্রুপ পৃষ্ঠাকে সম্পূর্ণ উপাদান রায় হিসেবে ব্যবহার করা।
- ধরে নেওয়া হচ্ছে যে সবচেয়ে শক্তিশালী ব্যান্ডটি সর্বদা সবচেয়ে ডায়াগনস্টিক।
- ভুলে যাওয়া যে প্রক্রিয়াজাতকরণ, সংযোজন, বার্ধক্য এবং মিশ্রণ প্রত্যাশিত শিখর সরাতে বা প্রশস্ত করতে পারে।
পরামর্শ যাচাই
যখন একাধিক উপাদান পরিবার একই রকম ব্যান্ড শেয়ার করে বা যখন মিশ্রণ প্রভাব FTIR নির্ধারণকে অনিশ্চিত করে, তখন DSC, GC-MS, বা TGA ব্যবহার করুন।
এই অ্যাসাইনমেন্টগুলোর পেছনে সাহিত্য
-
470 cm⁻¹ আত্মবিশ্বাস 1.0
“cm-1 The absorption bands centered at around 470, 820, 1170, 2180, and 3300 can be assigned to the Si-N symmetric stretching, Si-N asymmetric stretching, N-H bending, Si-H stretching, and NH stretching modes, respectively.”
Evolution of Optical and Structural Properties of Silicon Nanocrystals Embedded in Silicon Nitride Films with Annealing Temperature DOI: 10.4028/www.scientific.net/JNanoR.49.163 -
490 cm⁻¹ আত্মবিশ্বাস 1.0
“LLM confirmed rule peak-group candidate”
Effect of PECVD silicon oxynitride film composition on the surface passivation of silicon wafers DOI: 10.1016/j.solmat.2011.09.052 -
917 cm⁻¹ আত্মবিশ্বাস 1.0
“Fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy cm-1 analysis showed the Si-N-Si stretching peak at 917 further, the full width at half maxima and Si-N-Si peak position showed their dependency on the deposition temperature.”
Deposition of silicon nitride films using chemical vapor deposition for photovoltaic applications DOI: 10.1016/j.rinp.2016.11.029 -
450 cm⁻¹ আত্মবিশ্বাস 1.0
“LLM confirmed rule peak-group candidate”
Optical and photoelectrochemical properties of nitrogen-doped a-SiC thin films deposited by reactive sputtering method at room temperature DOI: 10.1080/2374068X.2021.1890420 -
923 cm⁻¹ আত্মবিশ্বাস 1.0
“2.0 10.4 (3) Si-N stretching 923 983 - - sin3 9.2”
Comparative investigation of hydrogen bonding in silicon based PECVD grown dielectrics for optical waveguides DOI: 10.1016/j.optmat.2003.12.004 -
849 cm⁻¹ আত্মবিশ্বাস 1.0
“cm-1, cm-1, cm-1, 912 and 961 which can be fitted by three symmetric Gaussian bands at 849 represent absorption states of the Si-N stretching mode [52-54].”
Characterization of semiconductor materials using synchrotron radiation-based near-field infrared microscopy and nano-FTIR spectroscopy DOI: 10.1364/OE.22.017948 -
880 cm⁻¹ আত্মবিশ্বাস 1.0
“The peak at 880 is associated cm-1 with the Si-N stretching mode [25].”
Examination of the Hydrogen Incorporation into Radio Frequency-Sputtered Hydrogenated SiNx Thin Films DOI: 10.3390/coatings11010054 -
1000 cm⁻¹ আত্মবিশ্বাস 1.0
“The absorption bands below 1000 relate to the stretching and deformation vibrations of Si-C, Si-N, C-C, and C-H bonds, which, however are overlapping and consequently cannot be accurately assigned.”
Crosslinking Behavior of UV-Cured Polyorganosilazane as Polymer-Derived Ceramic Precursor in Ambient and Nitrogen Atmosphere DOI: 10.3390/polym13152424
আপনার নিজের স্পেকট্রামে Silicon nitrogen দেখুন
আপনার FTIR স্পেকট্রাম আপলোড করুন এবং সেকেন্ডের মধ্যে একটি সম্পূর্ণ ব্যাখ্যা প্রতিবেদন পান — সাহিত্য উদ্ধৃতি সহ শীর্ষ নির্ধারণ, লাইব্রেরি ম্যাচ এবং সাহিত্য-সমর্থিত বিশ্লেষণ।