硅氢化物 — FTIR 吸收峰及归属
这些是硅氢化物倾向于吸收的特征FTIR波数，来自已发表文献并按照支持证据排序。每个归属都可追溯到来源（DOI），并针对我们超过13万张参考光谱和知识图谱进行了交叉验证。
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快速答案
硅氢化物通常通过寻找重复出现的特征峰簇而非某个确切的教科书数值来归属。下表按累积证据排名，展示了文献中最常将此基团置于FTIR中的位置。
硅氢化物 的特征 FTIR 峰
| 波数 (cm⁻¹) | 支持性事实 | 引用来源 | 最高置信度 |
|---|---|---|---|
| 2000 | 11 | 7 | 1.0 |
| 2100 | 10 | 8 | 1.0 |
| 640 | 5 | 3 | 1.0 |
| 2160 | 4 | 3 | 1.0 |
| 2080 | 4 | 3 | 1.0 |
| 2120 | 4 | 3 | 1.0 |
| 630 | 4 | 2 | 1.0 |
| 2169 | 3 | 3 | 1.0 |
| 2159 | 3 | 3 | 1.0 |
| 620 | 3 | 2 | 1.0 |
| 2158 | 3 | 2 | 1.0 |
| 890 | 3 | 2 | 1.0 |
| 2250 | 3 | 2 | 1.0 |
| 885 | 2 | 2 | 1.0 |
| 2200 | 2 | 2 | 1.0 |
| 2109 | 2 | 2 | 1.0 |
| 2170 | 2 | 2 | 1.0 |
| 2110 | 2 | 2 | 1.0 |
| 792 | 2 | 2 | 1.0 |
| 2090 | 2 | 2 | 1.0 |
| 880 | 2 | 2 | 1.0 |
| 2148 | 2 | 2 | 1.0 |
| 2086 | 2 | 2 | 1.0 |
| 2083 | 2 | 2 | 1.0 |
| 910 | 2 | 2 | 0.9 |
| 670 | 2 | 1 | 1.0 |
| 906 | 2 | 1 | 1.0 |
| 2186 | 2 | 1 | 1.0 |
| 907 | 2 | 1 | 1.0 |
| 840 | 2 | 1 | 1.0 |
Showing the 30 best-supported peaks of 108 total for 硅氢化物.
光谱逻辑
当多个预期谱带同时出现时，官能团归属变得更加可靠。使用此页面找到最受支持的峰，然后确认同一样品表现出连贯的模式而非孤立的单个命中。
实际应用
这些页面适用于未知材料分析、报告中的峰解释、聚合物故障排除以及验证候选材料类别是否化学上合理。
常见错误
- 仅使用一个功能基团页面作为完整的材料判定，而不检查光谱的其余部分。
- 假设最强谱带总是最具诊断性的。
- 忘记加工、添加剂、老化和混合物会移动或展宽预期峰。
验证建议
当几种材料类别共享相似谱带或混合物效应使FTIR归属不确定时，请使用DSC、GC-MS或TGA。
这些分配背后的文献
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470 cm⁻¹ 置信度 1.0
“cm-1 中心在约470、820、1170、2180和3300的吸收带可分别归因于Si-N对称伸缩、Si-N不对称伸缩、N-H弯曲、Si-H伸缩和NH伸缩模式。”
Benyahia 等 - 2017 - Evolution of Optical and Structural Properties of DOI: 10.4028/www.scientific.net/JNanoR.49.163 -
2110 cm⁻¹ 置信度 1.0
“2110处的谱带对应于Si-H键的伸缩振动[44,45]。”
Mechanical properties, chemical analysis and evaluation of antimicrobial response of Si-DLC coatings fabricated on AISI 316 LVM substrate by a multi-target DC-RF magnetron sputtering method for potential biomedical applications DOI: 10.1016/j.apsusc.2017.03.223 -
3660 cm⁻¹ 置信度 1.0
“cm-1) cm-1) 3660和Si-H峰（在2160 417 (1997)处观察到）相对于Si-O-Si峰作为膜厚度的函数。”
Bougharouat 等 - 2011 - Plasma polymerization of TEOS for QCM-based VOC va DOI: 10.1051/epjap/2011110144 -
640 cm⁻¹ 置信度 1.0
“118 材料工程与机械自动化 cm-1，C 另外，H含量（ ）可以根据约640 cm-1处的吸收强度计算，该吸收归因于Si-H摇摆模式[9]。”
Chen 等 - 2014 - Effect of Deposition Power on the Structure Proper DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMM.442.116 -
2940 cm⁻¹ 置信度 1.0
“640 开始在 2940 附近出现伸缩模式。10,11 SC36,13 到 Si-H 摇摆或振动。它逐渐减小，在 SC96 和 SC100 中清晰可见。”
Chew 等 - 2002 - Hydrogenated amorphous silicon carbide deposition DOI: 10.1063/1.1500418 -
2159 cm⁻¹ 置信度 1.0
“图14显示了硅烷峰在2159 cm-1处的变化。对于纯沥青和CRMA粘合剂的LP，硅烷峰在160-10或160-50相互作用时未显示任何强度。”
Effect of used motor oil as a rejuvenator on crumb rubber modifier’s released components to asphalt binder DOI: 10.1177/1477760620918600 -
2300 cm⁻¹ 置信度 1.0
“介孔PS膜的IR光谱中在2300 cm-1和2000之间的吸收出现是由于Si-H价振动。让我们考虑形成的可能机制。”
Gorbanyuk 等 - 2006 - Porous silicon microstructure and composition char DOI: 10.1016/j.tsf.2005.08.188 -
490 cm⁻¹ 置信度 1.0
“(cm(cid:2)2) K 参考键 模式 波数 (cm(cid:2)1) 对称伸缩 490 - [15] Si-N N-Si3 Si-H Si-H 摇摆-摆动”
Effect of PECVD silicon oxynitride film composition on the surface passivation of silicon wafers DOI: 10.1016/j.solmat.2011.09.052
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