Silicon carbon — FTIR absorbcijas pīķi un piešķīrumi

Ātra atbilde

Silicon carbon parasti tiek noteikts, meklējot atkārtotu raksturīgu virsotņu kopu, nevis vienu precīzu mācību grāmatas numuru. Zemāk esošā tabula parāda, kur literatūra visbiežāk novieto šo grupu FTIR, sarindots pēc uzkrātajiem pierādījumiem.

Raksturīgie FTIR pīķi priekš Silicon carbon

Tiek rādītas 30 vislabāk atbalstītās virsotnes no 130 kopējām Silicon carbon.

Iespējamie materiāli

Spektra loģika

Funkcionālās grupas piešķīrums kļūst pārliecinošāks, kad kopā parādās vairākas sagaidāmās joslas. Izmantojiet šo lapu, lai atrastu visspēcīgāk atbalstītos pīķus, pēc tam apstipriniet, ka tas pats paraugs uzrāda saskaņotu modeli, nevis vienu izolētu trāpījumu.

Reālās pasaules izmantošana

Šīs lapas ir noderīgas nezināmu materiālu analīzei, pīķu skaidrošanai pārskatos, polimēru problēmu risināšanai un pārbaudei, vai kandidātmateriālu grupa ir ķīmiski ticama.

Biežākās kļūdas

• Izmantojot vienu funkcionālās grupas lapu kā pilnīgu materiāla spriedumu, nepārbaudot pārējo spektru.
• Pieņemot, ka spēcīgākā josla vienmēr ir visdiagnostiskākā.
• Aizmirstot, ka apstrāde, piedevas, novecošana un maisījumi var novirzīt vai paplašināt paredzamos pīķus.

Verifikācijas padoms

Izmantojiet DSC, GC-MS vai TGA, kad vairākas materiālu grupas dalās ar līdzīgām joslām vai kad maisījumu efekti padara FTIR piešķīrumu nenoteiktu.

Literatūra aiz šiem piešķīrumiem

• 796 cm⁻¹ pārliecība 1,0

  “Raman spectra showed two characteristic peaks at 796 and 968 which are corresponding to transversal h-SiC, optic mode and longitudinal optic mode of respectively.”

  Structural characterization of β-SiC nanowires synthesized by direct heating method DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.083
• 2900 cm⁻¹ pārliecība 1,0

  “LLM confirmed rule peak-group candidate”

  Rapid synthesis of water-glass based aerogels by in situ surface modification of the hydrogels DOI: 10.1016/j.apsusc.2006.07.016
• 820 cm⁻¹ pārliecība 1,0

  “The spectra exhibit transmission peaks at around 820, 1060 and 1270 corresponding to Si-O bending, Si-O and Si-CH stretching, respectively [4].”

  Characterization of SiOF Thin Films Deposited by PECVD from Hexamethyldisiloxane in Mixture with Oxygen and CF<sub>4</sub> DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.609.59
• 961 cm⁻¹ pārliecība 1,0

  “2 3 3 cm-1, cm-1 cm-1, SiOCH 2CH at 1390 SiOC symmetric stretch at 961 and SiC stretch at 789 are”

  Structural Characterization and Corrosion Properties of BTESPT Silane Films on Surface of 2024-T6 Aluminium Alloy DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.546-549.1111
• 1260 cm⁻¹ pārliecība 1,0

  “Due to LiTFSI/ PSx interactions, a slight shifting of 1260cm-1 atῦ Si-CH bending mode = to higher wavenumbers was membrane due to stiffening.”

  Characterization of semi-interpenetrating polymer electrolytes containing poly(vinylidene fluoride-co-hexafluoropropylene) and ether-modified polysiloxane DOI: 10.1016/j.ssi.2016.02.016
• 1200 cm⁻¹ pārliecība 1,0

  “sic absorption band of chitosan at 1200 950 is less intense”

  New versatile approach for analysis of PEG content in conjugates and complexes with biomacromolecules based on FTIR spectroscopy. DOI: 10.1016/j.colsurfb.2016.01.030
• 1200 cm⁻¹ pārliecība 1,0

  “1200cm-1, carbonyl species, closed to the surface, can interact via hydroaround and Si-C stretching contribute to the envegen bonding with a Si-H lowering its stretching frequency.”

  Effect of the reaction time, reagent concentration and sample thickness on the thermal derivatisation of p+ porous silicon with α-undecene and ω-carboxy alkenes: A FTIR investigation DOI: 10.1016/j.snb.2007.10.043
• 780 cm⁻¹ pārliecība 1,0

  “LLM confirmed rule peak-group candidate”

  Si and SiC nanocrystals in an amorphous SiC matrix: Formation and electrical properties DOI: 10.1002/pssc.201000176