Silicon carbon — FTIR absorbcijas pīķi un piešķīrumi

Ātra atbilde

Silicon carbon parasti tiek noteikts, meklējot atkārtotu raksturīgu virsotņu kopu, nevis vienu precīzu mācību grāmatas numuru. Zemāk esošā tabula parāda, kur literatūra visbiežāk novieto šo grupu FTIR, sarindots pēc uzkrātajiem pierādījumiem.

Raksturīgie FTIR pīķi priekš Silicon carbon

Tiek rādītas 30 vislabāk atbalstītās virsotnes no 129 kopējām Silicon carbon.

Iespējamie materiāli

Spektra loģika

Funkcionālās grupas piešķīrums kļūst pārliecinošāks, kad kopā parādās vairākas sagaidāmās joslas. Izmantojiet šo lapu, lai atrastu visspēcīgāk atbalstītos pīķus, pēc tam apstipriniet, ka tas pats paraugs uzrāda saskaņotu modeli, nevis vienu izolētu trāpījumu.

Reālās pasaules izmantošana

Šīs lapas ir noderīgas nezināmu materiālu analīzei, pīķu skaidrošanai pārskatos, polimēru problēmu risināšanai un pārbaudei, vai kandidātmateriālu grupa ir ķīmiski ticama.

Biežākās kļūdas

• Izmantojot vienu funkcionālās grupas lapu kā pilnīgu materiāla spriedumu, nepārbaudot pārējo spektru.
• Pieņemot, ka spēcīgākā josla vienmēr ir visdiagnostiskākā.
• Aizmirstot, ka apstrāde, piedevas, novecošana un maisījumi var novirzīt vai paplašināt paredzamos pīķus.

Verifikācijas padoms

Izmantojiet DSC, GC-MS vai TGA, kad vairākas materiālu grupas dalās ar līdzīgām joslām vai kad maisījumu efekti padara FTIR piešķīrumu nenoteiktu.

Literatūra aiz šiem piešķīrumiem

• 796 cm⁻¹ pārliecība 1,0

  “Raman spectra showed two characteristic peaks at 796 and 968 which are corresponding to transversal h-SiC, optic mode and longitudinal optic mode of respectively.”

  Baek 等 - 2006 - Structural characterization of beta-SiC nanowires DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.083
• 2900 cm⁻¹ pārliecība 1,0

  “LLM confirmed rule peak-group candidate”

  Bhagat 等 - 2007 - Rapid synthesis of water-glass based aerogels by i DOI: 10.1016/j.apsusc.2006.07.016
• 820 cm⁻¹ pārliecība 1,0

  “The spectra exhibit transmission peaks at around 820, 1060 and 1270 corresponding to Si-O bending, Si-O and Si-CH stretching, respectively [4].”

  Chabane 等 - 2009 - Characterization of SiOF thin films deposited by P DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.609.59
• 961 cm⁻¹ pārliecība 1,0

  “2 3 3 cm-1, cm-1 cm-1, SiOCH 2CH at 1390 SiOC symmetric stretch at 961 and SiC stretch at 789 are”

  Chen 等 - 2007 - Structural characterization and corrosion properti DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.546-549.1111
• 1260 cm⁻¹ pārliecība 1,0

  “Due to LiTFSI/ PSx interactions, a slight shifting of 1260cm-1 atῦ Si-CH bending mode = to higher wavenumbers was membrane due to stiffening.”

  Cznotka 等 - 2016 - Characterization of semi-interpenetrating polymer DOI: 10.1016/j.ssi.2016.02.016
• 1200 cm⁻¹ pārliecība 1,0

  “sic absorption band of chitosan at 1200 950 is less intense”

  New versatile approach for analysis of PEG content in conjugates and complexes with biomacromolecules based on FTIR spectroscopy. DOI: 10.1016/j.colsurfb.2016.01.030
• 1200 cm⁻¹ pārliecība 1,0

  “1200cm-1, carbonyl species, closed to the surface, can interact via hydroaround and Si-C stretching contribute to the envegen bonding with a Si-H lowering its stretching frequency.”

  Giovannozzi 和 Rocchia - 2008 - Effect of the reaction time, reagent concentration DOI: 10.1016/j.snb.2007.10.043
• 780 cm⁻¹ pārliecība 1,0

  “cm-1 bond with n=1,2,3 at ~640 [13], Si-C stretching bond cm-1 cm-1 at ~780 [12], SiH bending at ~900 [12] and C-H Table 1 Fluxes of H and B 2H used.”

  Si and SiC nanocrystals in an amorphous SiC matrix: Formation and electrical properties DOI: 10.1002/pssc.201000176