Silicon carbon — FTIR吸収ピークと帰属
これらは Silicon carbon が吸収する傾向がある特性FTIR波数であり、公開文献から編集され、裏付けとなる証拠でランク付けされています。各帰属はソース(DOI)にトレース可能で、当社の130,000以上の参照スペクトルと知識グラフに対してクロスバリデーションされています。
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クイックアンサー
Silicon carbon は、教科書の正確な数値ではなく、特徴的なピークの繰り返しクラスターを探すことで通常割り当てられます。以下の表は、文献がこのグループをFTIRで最も頻繁に配置する場所を、蓄積された証拠に基づいてランク付けしたものです。
Silicon carbon の特性FTIRピーク
| 波数 (cm⁻¹) | 裏付け事実 | 引用元 | 最高信頼度 |
|---|---|---|---|
| 1260 | 13 | 12 | 1.0 |
| 800 | 9 | 7 | 1.0 |
| 780 | 5 | 3 | 1.0 |
| 1255 | 4 | 4 | 1.0 |
| 790 | 4 | 4 | 1.0 |
| 1258 | 3 | 3 | 1.0 |
| 791 | 3 | 3 | 1.0 |
| 1261 | 3 | 3 | 1.0 |
| 1000 | 3 | 3 | 1.0 |
| 820 | 3 | 3 | 1.0 |
| 1270 | 3 | 3 | 1.0 |
| 1265 | 3 | 3 | 1.0 |
| 1250 | 3 | 2 | 1.0 |
| 840 | 3 | 2 | 1.0 |
| 2966 | 2 | 2 | 1.0 |
| 1300 | 2 | 2 | 1.0 |
| 845 | 2 | 2 | 1.0 |
| 796 | 2 | 2 | 1.0 |
| 1259 | 2 | 2 | 1.0 |
| 786 | 2 | 2 | 1.0 |
| 2975 | 2 | 2 | 1.0 |
| 777 | 2 | 2 | 1.0 |
| 2900 | 2 | 2 | 1.0 |
| 1272 | 2 | 2 | 1.0 |
| 1275 | 2 | 2 | 1.0 |
| 797 | 2 | 2 | 1.0 |
| 789 | 2 | 2 | 1.0 |
| 950 | 2 | 2 | 1.0 |
| 605 | 2 | 2 | 1.0 |
| 1200 | 2 | 2 | 1.0 |
合計 129 個中、最も支持されている30個のピークを Silicon carbon に対して表示しています。
可能性のある材料
スペクトルロジック
複数の期待されるバンドが同時に現れると、官能基の帰属の信頼性が高まります。このページを使用して最も強く支持されるピークを見つけ、その後、同じサンプルが孤立したヒットではなく一貫したパターンを示すことを確認してください。
実使用例
これらのページは、未知材料分析、レポート内のピーク説明、ポリマートラブルシューティング、および候補材料ファミリーが化学的に妥当かどうかの検証に役立ちます。
よくある間違い
- スペクトルの残りを確認せずに、1つの官能基ページを完全な材料判定として使用すること。
- 最も強いバンドが常に最も診断的であると仮定しています。
- 加工、添加剤、経年変化、混合物が予想されるピークをシフトまたはブロードにする可能性があることを忘れている。
検証アドバイス
DSC、GC-MS、またはTGAを使用してください。複数の材料ファミリーが類似したバンドを共有する場合や、混合物の影響でFTIRの帰属が不確かな場合に適しています。
これらのアサインの根拠となる文献
-
796 cm⁻¹ 信頼度 1.0
“Raman spectra showed two characteristic peaks at 796 and 968 which are corresponding to transversal h-SiC, optic mode and longitudinal optic mode of respectively.”
Baek 等 - 2006 - Structural characterization of beta-SiC nanowires DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.083 -
2900 cm⁻¹ 信頼度 1.0
“LLM confirmed rule peak-group candidate”
Bhagat 等 - 2007 - Rapid synthesis of water-glass based aerogels by i DOI: 10.1016/j.apsusc.2006.07.016 -
820 cm⁻¹ 信頼度 1.0
“The spectra exhibit transmission peaks at around 820, 1060 and 1270 corresponding to Si-O bending, Si-O and Si-CH stretching, respectively [4].”
Chabane 等 - 2009 - Characterization of SiOF thin films deposited by P DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.609.59 -
961 cm⁻¹ 信頼度 1.0
“2 3 3 cm-1, cm-1 cm-1, SiOCH 2CH at 1390 SiOC symmetric stretch at 961 and SiC stretch at 789 are”
Chen 等 - 2007 - Structural characterization and corrosion properti DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.546-549.1111 -
1260 cm⁻¹ 信頼度 1.0
“Due to LiTFSI/ PSx interactions, a slight shifting of 1260cm-1 atῦ Si-CH bending mode = to higher wavenumbers was membrane due to stiffening.”
Cznotka 等 - 2016 - Characterization of semi-interpenetrating polymer DOI: 10.1016/j.ssi.2016.02.016 -
1200 cm⁻¹ 信頼度 1.0
“sic absorption band of chitosan at 1200 950 is less intense”
New versatile approach for analysis of PEG content in conjugates and complexes with biomacromolecules based on FTIR spectroscopy. DOI: 10.1016/j.colsurfb.2016.01.030 -
1200 cm⁻¹ 信頼度 1.0
“1200cm-1, carbonyl species, closed to the surface, can interact via hydroaround and Si-C stretching contribute to the envegen bonding with a Si-H lowering its stretching frequency.”
Giovannozzi 和 Rocchia - 2008 - Effect of the reaction time, reagent concentration DOI: 10.1016/j.snb.2007.10.043 -
780 cm⁻¹ 信頼度 1.0
“cm-1 bond with n=1,2,3 at ~640 [13], Si-C stretching bond cm-1 cm-1 at ~780 [12], SiH bending at ~900 [12] and C-H Table 1 Fluxes of H and B 2H used.”
Si and SiC nanocrystals in an amorphous SiC matrix: Formation and electrical properties DOI: 10.1002/pssc.201000176
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